二茂铁癸烷

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  • 西南大学唐超课题组MME:硅烷偶联剂接枝hBN对绝缘纸纤维素的热性能和力学性能的提升
    摘要:西南大学工程技术学院唐超课题组通过使用不同硅烷偶联剂接枝纳米氮化硼掺杂绝缘纸纤维素,发现KH550接枝氮化硼能显著提升绝缘纸纤维素的散热性、热稳定性和材料的力学特性(热导率提升了114%,延展性和抗形变能力提升了50%以上),为提升变压器内部绝缘材料的使用寿命和抗热老化性能提供了理论指导。关键词:硅烷偶联剂,氮化硼,变压器绝缘纸纤维素,热力学性能图1 KH550接枝hBN原理图。图2 不同改性的纤维素模型,(a)纯纤维素,(b)hBN/纤维素,(c)KH550 hBN/纤维,(d)KH560-hBN/纤维素和(e)KH570-hBN/纤维素。电力设备运行寿命的提升,与其内部绝缘材料性能的提升有着重要关联。以变压器为例,利用新兴的纳米技术来修饰纤维素绝缘纸能较为高效、显著地提升材料的性能。然而,现有的纤维素绝缘纸的纳米改性研究,往往局限在纤维素力学性能的分析上,较少关注其热性能的改进。因此,利用一种新型的纳米颗粒对纯纤维素进行改性,以同时提高纤维素绝缘纸的力学性能和热性能成为大家关注的热点。针对这一问题,西南大学工程技术学院唐超教授课题组采用了分子模拟的方法,将三种不同硅烷偶联剂接枝到氮化硼表面,并与纤维素混合,得到了具有相对较高热稳定性和力学特性的改性绝缘纸纤维素(KH550 hBN/纤维),相关结果发表在Macromolecular Materials and Engineering上。氮化硼具有较高的固有导热性和良好的介电性能,是一种常用的导热填料。由于其结构与石墨烯相似,氮化硼也具有较高的机械强度和优良的润滑性,可以显著提高聚合物的热稳定性。然而,氮化硼在纤维素内部容易发生团聚,这使得它无法直接用于改善聚合物的性能。因此,本研究将硅烷偶联剂与氮化硼接枝,对传统绝缘纸纤维素进行改性。通过分析比较得出,硅烷偶联剂氮化硼对纤维素的改性使得纤维素链间的空隙得到填充,纤维素与硅烷偶联剂间形成了更多的氢键,连接更为紧密,从而在聚合物内部形成了导热网络,改性纤维素的导热性能显著提高,热稳定性显著增强。同时,硅烷偶联剂的增加使得纤维素材料的韧性、抗形变能力、延展性增加,便于其在高温高压条件下有更长的使用寿命。图3 (a)CED、(b)力学性能、(c)热导率图4 均方位移图5 玻璃转变温度论文信息:Enhancement on thermal and mechanical properties of insulating paper cellulose modified by silane coupling agent grafted hBNXiao Peng, Jinshan Qin, Dong huang, Zhenglin Zeng, Chao Tang*Macromolecular Materials and EngineeringDOI: 10.1002/mame.202200424
  • BSTFA+1%TMCS硅烷化试剂促销 售完为止
    CYCQ-270123 BSTFA:TMCS=99:1, BSTFA+1%TMCS硅烷化试剂(干燥保存) 批号 46815 有效期至 09/2013 2瓶 批号 47187 有效期至 10/2013 3瓶 促销价:180元/瓶 上海安谱科学仪器有限公司 地址:上海市斜土路2897弄50号海文商务楼5层 [200030] 电话:86-21-54890099 传真:86-21-54248311 网址:www.anpel.com.cn 联系方式:shanpel@anpel.com.cn 技术支持:techservice@anpel.com.cn
  • 新型二维铁电材料铁电畴结构的调控研究获进展
    铁电材料因具有稳定的自发极化,且在外加电场下具有可切换的极化特性,在非易失性存储器、传感器、场效应晶体管以及光学器件等方面具有广阔的应用前景。与传统的三维铁电材料不同,二维范德华层状铁电材料表面没有悬空键,这可降低表面能,有助于实现更小的器件尺寸。此外,传统三维铁电薄膜的外延生长需要合适的具有小的晶格失配的基材,而在二维层状材料中,许多具有不同结构特性的层可以被堆叠并用于铁电异质结构器件,不受基底的限制,从而提供了广泛的铁电特性可调性。某些二维层状材料已在实验或理论上被报道为铁电材料,包括薄层SnTe、In2Se3、CuInP2S6、1T单层MoS2、双层或三层WTe2、铋氧氯化物和化学功能化的二维材料等。然而,目前对二维材料铁电畴结构的调控及铁电-反铁电相变等方面缺乏系统性研究,在范德华层状材料中实现连续的铁电域可调性和铁电-反铁电相转变仍是挑战。   近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员康黎星团队与中国人民大学教授季威团队、南方科技大学副教授林君浩团队、松山湖材料实验室副研究员韩梦娇合作,在新型二维铁电材料铁电畴结构的调控方面取得进展。该团队发现了一种具有室温本征面内铁电极化的新型二维材料Bi2TeO5,并观测到由插层铁电畴壁诱导的铁电畴大小、形状调控机制以及由此产生的铁电相到反铁电相的转变。科研人员采用CVD法合成新型的超薄室温二维铁电材料Bi2TeO5,通过压电力显微测(PFM)证实该材料存在面内的铁电畴结构,结合电子衍射及原子尺度的能谱分析和第一性原理计算结果对其结构进行解析,结合像差校正透射电镜对亚埃尺度的离子位移进行分析(图1)。对Bi2TeO5中畴结构的进一步研究发现,样品中存在大量的条状畴结构。原子尺度结构分析和计算结果表明,由于Bi/Te插层的存在,有效降低了畴壁的应变能,从而使得180°畴壁的条状畴能够稳定(图2)。研究表明,通过调控前驱体中Bi2O3和Te的比例可以有效实现180°铁电畴宽度的调控及实现铁电-反铁电相的反转(图3、图4)。此外,Bi/Te插层的引入除了能够改变铁电畴的大小,同时可以对畴壁的方向进行调控(图5)。   本研究对Bi2TeO5室温面内铁电性的报道丰富了本征二维铁电材料体系。原子插层作为新的调控单元对铁电畴大小及方向的调控,以及由此产生的铁电-反铁电相变,为二维铁电材料畴结构及相结构的调控提供了新思路,并为在未来纳米器件领域的应用奠定了新的材料基础。相关研究成果以Continuously tunable ferroelectric domain width down to the single-atomic limit in bismuth tellurite为题,发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上。图1.二维层状铁电材料Bi2TeO5的CVD生长及结构表征。a、二维层状Bi2TeO5的光镜图;b-c、样品的表面形貌及对应的面内PFM图像;d-f、不同方向Bi2TeO5的结构模型以及铁电极化的产生;g-I、Bi2TeO5的原子尺度结构表征及对应的极化分布。图2.Bi/Te插层诱导的180°铁电畴的形成。a、Bi2TeO5中典型条状180°铁电畴的面内PFM;b、180°铁电畴壁的原子尺度HAADF-STEM图;c-e、180°铁电畴壁处铁电离子位移(DBi)及晶格畸变(晶格转角θ)的原子尺度分析;f、弛豫后180°铁电畴的结构模型。图3.插层对畴宽度的调控及铁电相到反铁电相的转变。a-d、具有不同周期的180°畴HAADF-STEM图像;e-h、分别为对应图a-d中的离子位移分布。图4.插层诱导的反铁电相。a、具有反铁电性样品的PFM;b-d、反铁电样品中的原子尺度极化分布及晶格畸变分析;e、弛豫后的反铁电相结构模型。图5.畴壁台阶的形成及插层对畴壁取向的影响。a-b、样品中扇形铁电畴的面内PFM图像;c、扇形铁电畴边缘处大量台阶形成的倾斜畴壁面;d-e、畴壁台阶的原子尺度HAADF-STEM图像及对应的离子位移分析;f、弛豫后的畴壁台阶结构模型;g、Te和O浓度对畴壁台阶形成焓的影响。

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  • 仪器配备高灵敏的氦离子化检测器,采用华爱公司的中心切割技术,进样阀均带有吹扫保护气路;整机采用多柱箱设计,并配备进样压力自动校正系统 二氯硅烷氦离子色谱仪仪器配备高灵敏的氦离子化检测器,采用华爱公司的中心切割技术,进样阀均带有吹扫保护气路;整机采用多柱箱设计,并配备进样压力自动校正系统,不同底气的样品的进样量。产品先后荣获上海市成果转化A级项目、上海市重点新产品、上海市火炬计划和2009科学仪器产品等称号。 项目名称指标三氯氢硅(SiHCl3 )含量(体积分数)/l0-6 ≤ 10(一氯硅烷+氯化氢)含量(SiH3Cl+HCl)含量”,以氯化氢计(体积分数)/l0-6 ≤50氮(N2)含量(体积分数)/l0-6 ≤1(氧+氩)(O2+Ar)含量(体积分数)/l0-6 ≤1一氧化碳(CO)含量(体积分数)/l0-6 ≤1氢(H2)含量(体积分数)/l0-6 ≤10二氧化碳(CO2)含量(体积分数)/l0-6 ≤1总烃(THC)含量,以甲烷(CH4)计(体积分数)/l0-6 ≤1金属元素及其他元素含量(硼+铝)(B+Al)含量/(μg/kg) ≤0.1(磷+砷)(P+As)含量/(μg/kg) ≤0.3镓(Ga)含量/(μg/kg) ≤0.1锑(Sb)含量/(μg/kg) ≤0.1铟(In)含量/(μg/kg) ≤0.1钙(Ca)含量/(μg/kg) ≤1铬(Cr)含量/(μg/kg) ≤1铁(Fe)含量/(μg/kg) ≤5钾(K)含量/(μg/kg) ≤1钠(Na)含量/(μg/kg) ≤0.2镍(Ni)含量/(μg/kg) ≤1钼(Mo)含量/(μg/kg) ≤0.1锰(Mn) 含量/(μg/kg) ≤0.2铜(Cu)含量/(μg/kg) ≤0.2镉(Cd) 含量/(μg/kg) ≤0.5钴(Co)含量/(μg/kg) ≤0.5锌(Zn)含量/(μg/kg) ≤0.1
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  • 什么是硅烷气体硅烷即硅与氢的化合物,是一系列化合物的总称,包括甲硅烷( SiH4) 、乙硅烷( Si2H6) 和一些更**的硅氢化合物。目前应用**多的是甲硅烷。一般把甲硅烷简称做硅烷。硅烷作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅、各种金属硅化物。 因其高纯度和能实现精细控制,已成为许多其他硅源无法取代的重要特种气体。硅烷广泛应用于微电子、光电子工业, 用于制造太阳电池、平板显示器、玻璃和钢铁镀层, 并且是迄今世界上**的大规模生产粒状高纯度硅的中间产物。硅烷的高科技应用还在不断出现, 包括用于制造**陶瓷、复合材料、功能材料、生物材料、高能材料等等,成为许多新技术、新材料、新器件的基础。硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著称。硅烷有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量,决定了它是一种高危险性的气体。主要是针对化工厂、实验室,危化品仓库等有限空间研发检测气体进行优化后的一款专用的在线固定式检测仪。它能将现场检测到的有毒有害气体浓度,转换为对应的标准信号(标准信号种类选择请参考技术参数表),然后将信号传输到 PLC、DCS、报警控制主机等上位机进行统一显示、管理和控制,从而组成功能强大的智能化气体检测报警控制系统。该设备内置继电器,可控制外围声光报警器、风机、电磁阀等设备。如该设备连入我司服务器,可实现远程设置报警值和远程标定等功能,节省后期维护成本。广州市诺达电子有限公司以专业、负责的态度致力于为客户提供与环境匹配的检测产品和服务。 主要特点:★速核系统:采用高精度32位高速微处理器,**Epsion数据处理系统,速测危害气体,高效预警毒气泄漏; ★多级标定:业内智能化多级校准技术,多重滤波技术,更精准更快速地反馈现场浓度值;★自动标定:通入实际标气,无需标定员操作,**智能识别标定;★稳定性超强:经过严格的进料筛选工序,及行业经验十几年的研发人员匠心打造,抗EMC、EMI干扰,大幅度提高**侦察兵的可靠性;★多结构的通讯方式:支持4-20mA与RS485单路或多路同时通讯,有线与内置无线433M/GPRS等无线多路通讯(选配);★规范标准:JJF 1363-2012,JJF 1368-2012,JJF 1421-2013,JJF 1364-2012 GB3836-2010,GB 12476.5-2013 技术规格参数及气体种类:检测气体硅烷量 程0-10PPM/0-50PPM/0-100PPM(更多量程可以来电咨询);分 辨 率0.01PPM检测原理电化学原理精 度≤±3F.S显示方式320*240 高清彩屏响应时间T90<30S恢复时间≤30S(T90-T10)使用寿命传感器2-3年检测方式扩散式重 复 性≤±1 %F.S继 电 器容量 220VAC **/24VDC ** 无线输出(选配)433M(≤无障碍3公里 ) (定制)GPRS(无距离限制) (定制)WIFI/zigbee/LORA (定制) 有线输出(选配) 485+开关量输出 (标配)4-20mA+RS485+开关量报警输出 (定制)以上任选一种防护等级 IP66防爆等级隔爆型:ExdⅡCT6 Gb 尺 寸205*140*92mm(L×W×H)探头材质铝合金、不锈钢(可选)安装方式壁挂式、杆装式、管道式重 量1KG工作电压12-35VDC,常用 12VDC、24VDC电气接口接线口尺寸:内螺牙 M20*1.5( G1/2 内螺牙、G3/4 内螺牙、 1/2NPT标准配件探测器、说明书、红外遥控器、厂家出厂检测报告选 配 件防爆声光报警、安装支架、管道式安装配件等工作环境温度:催化燃烧:-40~+70℃;电化学:-20~+50℃;PID:-20~+50℃;红外:-20~+50℃; 荧光法:-20~+50℃; 氧化锆:-40℃~+700℃压力:86-110Kpa;(氧化锆:≤0.6Mpa)湿度:15%RH~95%RH(无凝露)产品功耗电化学传感器:P ≤ 1.2W 红外传感器:P ≤ 2.0W普通催化传感器 :P ≤ 2.6W 低功耗催化传感器 :P ≤ 1.5W 热导传感器 :P ≤ 2.0W 执行标准GB15311.1-2003; GB3836.1-2010; GB3836.2-2010; GB3836.4-2010;气体选型O30-100%LELCH2O0-10,50,100PPMCO0-100,1000,2000,10000PPMO30-1,10,50,100%VOLH2S0-50,100,1000,2000PPMCH40-1,10,50,100%VOLO20-30,100%VOLPH30-10,100,1000,5000PPMNH30-50,100,1000,2000PPMH20-100,1000,5000,40000PPM,100%VOLO30-5,10,50,100,1000,5000,10000PPMN20-100%VOLCL20-10,20PPMHCL0-10,100,500,1000PPMNO0-100,500,1000,5000PPMSO20-10,20,100,500,1000,5000,40000PPM
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  • 单轭双调电磁铁单轭双调电磁铁产品介绍:北京锦正茂科技有限公司自主研发的电磁铁,可以通过更换电磁铁极头在一定范围内改善磁场的大小和磁场的均匀度,极头间距可调,极头尺寸也可以定制,并且可以通过调整极头间距改变磁场的大小,该种类型的电磁铁能够与客户设计的磁场平台兼容。 单轭双调电磁铁产品用途:电磁铁/电磁场发生器主要用于磁滞现象研究、磁化系数测量、霍尔效应研究、磁光实验、磁场退火、核磁共振、电子顺磁共振、生物学研究、磁性测量、磁性材料取向、霍尔效应、磁导率测量、自旋磁共振演示、生物研究等。 单轭双调电磁铁产品优势:EM系列电磁铁是锦正茂自主研发设计出的新型磁铁,拥有以下几个优点:1:双轭水冷式U形结构、具有视野开阔、磁场强度高、磁场强度大小调节方便的特点2:体积小、重量轻、占空比小、结构紧凑、磁场性能更佳。3:电磁铁的工作气隙调节轻便灵活,极头处设有螺纹更换极头装卸方便4:可选配工作间隙刻度指示5:在小气隙时用于铁氧体产品的充磁,与磁性样品产品的磁化处理。同时与北京锦正茂自主研发的高精度双极性恒流电源及 FCP磁场控制平台结合(稳定性10PPM),可以组成一套多功能实验室磁场发生系统。这个系统中,通过真正的双极性恒流电源输出,可以实现了快速均匀的磁场扫描以及磁场换向,从而避免在使用非连续性电源时出现过零反转的间断问题,实现真正的零磁场。 单轭双调电磁铁技术指标:※电磁铁为双调单轭型结构,直立座放,磁场在水平方向,线包间距100mm,极柱直径100mm,磁场气隙可调范围0~100mm。※电磁铁极头直径为100mm,当气隙为10mm时,中心磁场Hmax=1.6T 3、电磁铁采用自然冷却结构,当磁极间距为20mm,磁场≥1.0T时,持续工作时间30分钟,温升小于30℃※电磁铁直流供电功率为1.6KW;※电磁铁重量约为200Kg更多规格详见选型表
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