光电流成像系统

LBIC 激光光束诱导电流成像系统是卓立汉光公司开发的用于测量光电材料的光电响应信号、表征材料光电性质的光电系统。 该系统是基于激光光束诱导电流的测试原理，将光电材料对于光信号响应的不均匀性以可量化且可视化的方式显示出来。通过该系统，可以研究例如太阳能电池光生电流的不均匀性，探索光电器件量子效率与器件电阻的分布特性，研究器件吸收与电荷生成的微区特性，以及光电材料界面、半导体结区的品质分布等。整个系统包括光源部分、显微部分、位移台部分、电控电测部分和软件部分。 激光光束诱导电流成像系统LBIC系统特点： 高精度空间分辨率 灵活选择多种激发光源 高倍聚焦激发光斑 精密自动化电动位移台 光源、显微、监视光路一体化设计 激光光束诱导电流成像系统LBIC技术规格：系统名称LBIC激光光束诱导电流成像系统激发光源多种高稳定性连续激光器激光功率0-30mW连续可调聚焦光斑大小小于50um 光源功率稳定性1% 系统测量重复性2% 显微系统X10、X20倍显微物镜监视部分130W像素工业相机可测量样品面积100mm X 100mm 位移空间分辨率0.625um 工作温度范围10-35摄氏度标准探测器中国计量院标定的Si或InGaAs标准探测器激光光束诱导电流成像系统LBIC测试示例： 硅探测器对于405nm诱导激光量子效率空间分布图， 图示空间分辨率为50um。 某硅探测器的405nm激光光束诱导电流空间分布图， 图示空间分辨率为50um。

近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含：皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求：a：3 米，b：6 米，c：30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标：TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时，分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量：4-50KV，功率：0-50W 连续可调，靶材：钨靶，铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量：0-25Sv/h光路透射和反射双光路，可切换 光谱范围200-900nm（可扩展近红外）监视器内置监视器方便观察样品发光，可拍照快门可控屏蔽快门，辐射光源最大功率下，关闭快门，样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》（GBZ115-2023）样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积：直径20mm（可定制更大面积：120mm×80mm）成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白，分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)，像元尺寸：2.4μm×2.4μm，量子效率：84%@495nm，暗电流：0.001e-/pixel/s，制冷温度：-15℃，成像分辨率：优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管：波长：100Hz-100MHz 可调，峰值功率：400mW@ 典型值，脉冲宽度：100ps光激发X 射线光管：辐射灵敏度：QE10%（@400nm），靶材：钨，操作电压：40KV，操作电流：10μA@ 平均值，50μA@ 最大值 电压：150KV脉冲宽度：50ns重复频率：10Hz平均输出剂量率：2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机（同时获得光谱和寿命）示波器瞬时饱和计数率：100Mcps 时间分辨率(ps)：16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数：65535死时间：＜ 10ns支持稳态光谱采集数据接口：USB3.0最大量程：1.08μs @16ps，67.1μs@1024ps， 2.19s@33554432ps 光谱测量范围：200-900nm时间分辨率：=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器：同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围：500ps-100us( 十档可选)工作模式：静态模式，高频同步模式以及 低频触发模式；系统光谱分辨率：0.2nm@1200g/mm单次成谱范围：=100nm@150g/mm静态（稳态）光谱采集，瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽：500 MHz通道数：4+ EXT实时采样率：5GSa/s( 交织模式），2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度：250Mpts/ch( 交织模式)，125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸：2.4μm×2.4μm量子效率：84%@495nm暗电流：0.001e-/pixel/s制冷温度：-15℃XY 二维电动位移台：XY5050：行程：X 轴50mm，Y 轴50mm，重复定位精度1.5μm，水平负载4Kg；XY120120：行程：X 轴120mm，Y 轴120mm，重复定位精度3μm，水平负载20KgTFT 阵列传感芯片（可提供直接型和间接型芯片）：背板尺寸（H×V×T）：44.64×46.64×0.5 mm，有源区尺寸（H×V）：32×32mm，分辨率（H×V）：64×64， 像素大小：500×500μmTFT 读出系统：成像规格：解析度：64 行×64 列，数据灰阶：支持256 灰阶显示，数据通信方式：WIFI 无线通讯，数据显示载体：手机/ 平板（Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存）辐射剂量测定辐射计量表探测器：塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射：50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射：5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围：10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间：0.03 s相对固有误差：连续和短期辐射：±15% 最大137 Cs 灵敏度：70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ 射线、X 射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下：碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV 光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22（或 Cs-137 可选），屏蔽铅箱（被测器件及光路），充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围：160-650nm，有效面积：46mm 直径，上升时间：≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供：0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间＜ 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率：250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%，同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率，前置放大器下降时间：信号源阻抗为 1 MΩ，则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱，适合所有类型的辐射探测器（Ge、Si、闪烁体等） 积分非线性（单极输出）: 从 0 到 +10V0.025%噪声：增益 100 时，等效输入噪声 5.0uV rms；手动模式下，增益＞ 1000 时，等效输入噪声 4.5uV rms；或者自动模式下，增益 100 时，等效输入噪声 6.0uV rms温度系数（0 到 50° C）单极输出：增益为 +0.005%/'C，双极输出：增益为 +0.07%/'C，直流电 平为 +30μV/° C误差：双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围：2.5-1500 连接可调，增益是 COARSE（粗调）和 FINE GAIN（微调增益）的乘积。单极脉冲形状：可用开关为 UNIPOLAR（单极）输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间，包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸：1500*1200*800mm台面 430 材质，厚度 200mm，带脚轮。固有频率：7-18Hz，整体焊接式支架

光电流成像系统所属类别： ? 专用实验设备 ? 拉曼/PL/光电流 成像系统所属品牌：韩国Nanobase公司 激光共聚焦光电流成像系统，带低温探针台 XperRam CONFOCAL RAMAN-PHOTOCURRENT/ EL WITHPROBESTATION, CRYOSTATENVIRONMENT 超高性价比光电流成像系统，同时可用于拉曼光谱成像，荧光光谱成像。u 独特的激光扫描技术，具有优异的扫描分辨率和重复性 激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μmu 体相全息光栅光谱仪 光透过率90%，比反射式光栅高30%，信号传输效率更高u 具有Raman/PL/光电流等多种测量模式u 结构紧凑，模块化设计u 扫描速度快，扫描范围大200μm x 200μm范围内高速成像 & 2D Mapping (x 40 objective) 探针台，拉曼光谱成像，PL，荧光光谱成像，光电流光谱成像，拉曼 mapping，PL mapping，photocurrent mapping，光电流mapping，荧光mapping 韩国Nanobase公司最新推出的激光共聚焦光电流成像系统（光电流mapping）结合了探针台和激光共聚焦成像系统，不仅可以用作探针台，还可以用于光电流成像，同事扩展支持拉曼光谱成像和荧光光谱成像，产品具有如下特点： ? 客制化，可升级设计? 200μm x 200μm 大面积快速扫描成像 & 2D Mapping (x 40 objective)? 采用VPHG体相全息光栅，光通过率高。? 易于使用和维护? 可升级至拉曼光谱成像和荧光光谱成像 光学参数：激发光源445，532，635，808，1530nm等显微镜（标配）X40，NA=0.75光谱范围30cm-1到6000cm-1激光扫描分辨率 0.02 um & 重复性 0.1 μmFOV：200μm x 200μm@40X物镜激光扫描光谱范围VIS：450-700nm NIR 1：650-1050nmNIR 2: 1050-1550nm 探针台参数：探针台6寸真空吸附卡盘，光谱范围30cm-1到6000cm-1XY方向移动范围150 x 150mm, 分辨率5um FOV：200μm x 200μm@40X物镜Z方向移动范围上/下10mm, 分辨率1um探针头金，钨高精度定位器PH-C15, 10fA leakage current 4SET 配备独特的激光扫描装置 应用实例： 应用领域：材料学，功能材料，纳米材料，二维材料（石墨烯，二硫化钼等），铁电陶瓷等生物医学，细胞成像，疾病检测，皮肤分析等半导体，太阳能电池和OLED等 相关产品惊爆价！50万RMB！高速大面积共聚焦拉曼成像系统 显微拉曼成像光谱仪 光致发光成像光谱仪