磁控溅射沉积

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磁控溅射沉积相关的耗材

  • Eachwave 专业提供镀膜服务 磁控溅射镀膜 气相沉积镀膜 电子束蒸发镀膜 其他光谱配件
    上海屹持光电技术有限公司专业提供各种镀膜服务:典型实例 1,磁控溅射合金膜2,ICPPECVD 制备高厚低应力氧化硅薄膜3,沉积细胞定位电极4,磁控溅射的 制备的 Au/TiO2 连续 主要设备:1,磁控溅射镀膜系统2,磁控溅射镀膜机3,磁控溅射真空镀膜机4,电子束蒸发镀膜仪5,高密度等离子体增强化学气相沉积设备
  • 磁控溅射靶材
    高纯度的金属溅射靶材适用于多种品牌的离子溅射仪: 包括PELCO® , Cressington, Agar, Bal-Tec, Bio-Rad, Denton, Edwards, Emitech, Emscope, Gatan, ISI, JEOL, LEICA, Polaron, Quorum, and SPI.这些磁控溅射靶材的直径分为60,57,54,50和19mm。1、高纯60mm金属靶材:适用于Denton DESK II / DESK III / DESK IV/ DESK V, Edwards 150 B / SCANCOAT, Emitech K500/K550/K650和Emscope SC500离子溅射仪。货号产品描述单位91217铜靶, 99.99% Cu (?60mm x 0.076mm)块91210金靶, 99.99% Au (?60mm x 0.1mm)块91212金钯合金靶, 99.99% Au:Pd 60/40 (?60mm x 0.1mm)块91216镍靶, 99.98% Ni (?60mm x 0.1mm)块91214铂靶, 99.95% Pt (?60mm x 0.1mm)块91219钯靶, 99.95% Pd (?60mm x 0.1mm)块91229银靶, 99.99% Ag (?60mm x 0.1mm)块2、高纯57mm金属靶材:适合于 Agar, Cressington 108/208, Emitech SC7620/SC7610/K575X/K575XD, ISI 5400, JEOL JFC 1200/1300/1400/1600/2300HR, PELCO® Model 3, SC4/SC5/SC6/SC7, Polaron 5000/5400/SC7610/SC7620, Quorum Q150, 和 SPI Module/Super离子溅射仪货号产品描述单位8074铬靶, 99.95% Cr (?57mm x 3.2mm) (208HR only)块91117铜靶, 99.99% Cu (?57mm x 0.1mm) 块8077铜靶, 99.99% Cu (?57mm x 0.3mm)块91110金靶, 99.99% Au (?57mm x 0.1mm)块8071金靶, 99.99% Au (?57mm x 0.2mm)块91112金钯合金靶, 99.99% Au:Pd 60/40 (?57mm x 0.1mm)块91111金钯合金靶, 99.99% Au:Pd 60/40 (?57mm x 0.2mm)块91132-B铟锡氧化物靶 , 99.99% ITO, In2O3/SnO2 90/10 wt % 背面有1mm 铜片, (?57mm x 3mm 总厚)(208HR only)块91120铱靶, 99.95% Ir (?57mm x 0.3mm) (208HR only)块91124铁靶, 99.5% Fe (?57mm x 0.12mm) (208HR only)块8073钼靶, 99.95% Mo (?57mm x 0.25mm) (208HR only)块91116镍靶, 99.98% Ni (?57mm x 0.1mm) (208HR only)块8079铌靶, 99.95% Nb (?57mm x 0.25mm) (208HR only)块91119钯靶, 99.95% Pd (?57mm x 0.1mm)块91114铂靶, 99.95% Pt (?57mm x 0.1mm)块8076铂钯合金靶, 99.99% Pt:Pd 80/20 (?57mm x 0.1mm)块91115铂钯合金靶, 99.99% Pt:Pd 80/20 (?57mm x 0.2mm)块91118银靶, 99.99% Ag (?57mm x 0.1mm)块91129银靶, 99.99% Ag (?57mm x 0.3mm)块8075钽靶, 99.95% Ta (?57mm x 0.3mm) (208HR only)块91123钛靶, 99.6% Ti (?57mm x 0.2mm) (208HR only)块8078钨靶, 99.95% W (?57mm x 0.25mm) (208HR only)块3、高纯54mm金属靶材,适合于Bal-Tec SCD005/040/050/500, MED10/20 和LEICA EM SCD 005/050/500, MED 020 离子溅射仪。4、高纯50mm金属靶材,适合于Anatech/Technics Hummer I, II, III, Fullam EffaCoater 和 Fullam EMS-76离子溅射仪。 5、高纯38mm金属靶材,适合于Cressington 308HR离子溅射仪。6、高纯19mm金属靶材,适合于Gatan Model 681 and 682 PECS 离子束溅射仪镀非导电SEM样品时,如何选择相应靶材:Gold黄金优良的靶材,广泛应用于标准SEM镀膜。对于冷镀膜离子溅射仪(如Cressington 108auto),对于热敏性样品几乎不会产生任何热量. 在高倍SEM下可看到颗粒尺寸. Gold/Palladium金钯合金溅射率低于纯黄金. 与Au相比,Au/Pd 的颗粒更小,但由于其有两个峰,所以不是很适合EDS分析,也不是很适合热敏性物质镀膜。Palladium钯成本低,可用于中低放大倍数场合,具有更低的SE信号Platinum铂金具有比Au 或 Au/Pd更小的溅射颗粒。但溅射率更低。如果有氧气,则应力开裂的敏感性。有更高的SE产出。Platinum/Palladium铂钯合金颗粒大小与Pt差不多,但应力开立的敏感性较小。非常适合FESEM,但更适合高分辨率镀膜仪208HR.Silver银成本低,可用于中低放大倍数场合,颗粒比Au大. 适合于小型SEMs。与Au或Pt相比,SE产出更低。. 如果样品没有放在真空环境下,则镀膜表面易氧化. 可用于特殊的EDS工作.Chromium铬非常细的溅射颗粒,适合于 FESEM. 为避免氧化,需用于208HR一样的高真空镀膜仪。镀膜后的样品只能存放在高真空环境中. 溅射离子直线下落。适合生物样品的BE成像,溅射产率低。Iridium铱非常细的溅射颗粒,适合于 FESEM,需用于208HR一样的高真空镀膜仪,溅射产率低。Tungsten钨可替代Cr.颗粒非常细,但氧化非常快,溅射产率低。 Nickel镍可作为特殊的EDS应用, 不适合SE成像.适合BE成像,溅射产率低,镀膜易氧化。Copper铜适用于EDS. 适合中/低放大倍数场合,BE成像.Note 1:铝的溅射产率非常低,对于SEM离子溅射不适用,且氧化非常快。Note 2:碳最适合于EDS应用,但很难溅射。碳的蒸发产率非常好。 金靶种类选择厂家型号60mm57mm54mm50mm38mm19mmAGAR手动型离子溅射仪XAGAR自动型离子溅射仪XAnatech/TechnicsHummer IXAnatech/TechnicsHummer IIXAnatech/TechnicsHummer IIIXAnatech/TechnicsHummer Jr.XBal-TecSCD 005XBal-TecSCD 040XBal-TecSCD 050XBal-TecSCD 500XBal-TecMED 10XBal-TecMED 20XBio-RadSC 5200XBio-RadSC 502XCressington108 manualXCressington108 autoXCressington108/auto/SEXCressington208HRXCressington308HRXDentonDESK IIXDentonDESK IIIXDentonDESK IVXDentonDESK VXEdwards150 BXEdwardsScancoatXEmitechSC7620/SC7610XEmitechK500X/K550X/K650X XEmitechK575/K575XD/Q150 XEmscope/PolaronSC 502XFullamEMS-76XGatanISI 5400XJEOLJFC-1200XJEOLJFC-1300PELCO® SC6X
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磁控溅射沉积相关的仪器

  • 1.产品概述:本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等,工艺性能稳定、模块化结构,采用行业的软件控制系统。2.设备用途:可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.用户评价:TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关,功能齐全,性能稳定,自动化程度高,抽气速平稳,电源稳定可靠,气路流畅密闭,镀膜质量平整光滑,均匀致密,结合力强,且系统操控智能,便捷,可满足科研实验与生产制造的需求,是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师4.真空室:真空室结构:圆筒形开门 真空室尺寸:φ450x400mm 限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套,φ2英寸,可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸,温度:φ4英寸,1片,高800℃占地面积(长x宽x高):约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%
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  • 1.产品概述:本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等,工艺性能稳定、模块化结构,采用行业的软件控制系统。2.产品优势:用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。该系统可用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。3.产品工艺:真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm限真空度:≤6.6E-6Pa(经烘烤除气后)沉积源:永磁靶5套,φ2英寸配有多个靶位,例如 5 个 2 英寸磁控溅射靶接样品尺寸,温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积(长x宽x高):约3米×1.1米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%
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  • 1.产品概述:高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等,工艺性能稳定、模块化结构,采用行业先的软件控制系统,用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺:真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套,φ2英寸; 四工位转靶1套;样品尺寸,温度:φ2英寸,6片。高可以到达800℃占地面积(长x宽x高):约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%溅射源:考夫曼离子源 Kaufman 2套,φ2英寸
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磁控溅射沉积相关的试剂

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  • 【原创大赛】磁控溅射原理及TEM样品的制备

    当前,制备非晶的方法主要有淬火法和气相沉积法。快冷法又分为铸膜法和甩带法,适合于制备大块非晶。气相沉积法分为真空蒸发法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法。~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~磁控溅射法制备非晶样品有其独特的有点,下面主要介绍下磁控溅射制备非晶样品的原理。电子在电场E的作用下,在飞向基板的过程中与氩气原子发生碰撞,使其电离出氩离子和一个新的电子,电子飞向基片,氩离子在电场作用下飞向阴极靶,并以高能量轰击靶的表面,使靶材发生溅射。在溅射的过程中,溅射离子,中性的靶原子或分子即可在基片上沉积形成膜。综上所述,磁控溅射的基本原理就是以磁场来改变原子的运动状态,并束缚和延长原子的运动轨迹,从而提高电子对工作气体的电离几率和有效地运用了电子的能量。这也体现了磁控溅射低温、高效的原理。常用的TEM样品以TEM载网为基片。TEM载网是直径为3nm,厚为20μm,网格间距为80μm,最底下一层铜或者钼,上面覆盖一层约为5nm厚的无定形碳作为支撑膜。利用磁控溅射法制备沉积的薄膜就沉积在这种TEM载网的无定形碳的支撑膜上,为了减少非弹性散射对衍射数据的影响,在实验过程中尽可能制备厚度比较小的薄膜厚度,约为15nm-20nm,这样制得的样品就可以直接在透射电子显微镜中进行直接的表征。

  • 【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    溅射制膜的过程:气体辉光放电、等离子体、靶、溅射、沉积到衬底(一)与蒸发法相比,溅射沉积的主要特点:①沉积原子能量高,因此薄膜的组织更致密,附着力也可以得到明显改善;②制备合金膜时,其成分的控制性能好;③靶材可以是极难熔的材料;④可利用反应溅射技术,从金属无素靶材制备化合物薄膜;⑤由于被沉积的原子均携带有一定的能量,因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力,降低薄膜表面的粗糙度。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151100_555534_2989334_3.jpghttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(二)溅射沉积分类主要的溅射方式可以根据其特征分为四种:(1)直流溅射;(2)射频溅射;(3)磁控溅射;(4)反应溅射。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151102_555536_2989334_3.jpg图1 不同溅射方法的靶电流密度和靶电压的比较http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(1)直流溅射直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射图2直流溅射沉积装置示意图,其典型的溅射条件为:工作气压10Pa,溅射电压3000V,靶电流密度0.5mA/cm2,薄膜的沉积速率低于0.1μm/min直流溅射过程中常用Ar作为工作气体。工作气压是一个重要参数,它对溅射速率以及薄膜的质量都有很大影响直流溅射设备的优点和缺点:优点:简单缺点:使用的气体压力高,溅射速率较低,这不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151105_555538_2989334_3.jpg图2直流溅射沉积装置示意图http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(2 )射频溅射直流溅射要求靶材有较好的导电性,可以很大方便地沉积各类合金膜。对于导电性很差的非金属材料的溅射,我们需要一种新的溅射方法—射频溅射。射频溅射是适于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法射频场对于靶材的自偏压效应。在衬底或薄膜本身是绝缘体的情况下,采取对其施加一个射频电压的方法,也可以起到对其施加负偏压的作用。(3)磁控溅射相对于蒸发沉积来说,一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一,溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低;第二,溅射所需的工作气压较高 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。而磁控溅射技术:沉积速度较高,工作气体压力较低。工作原理:磁场对电弧运动有一定的约束作用(绕磁场螺旋前进);(1)电子的电离效率高,有效提高了靶电流密度和溅射效率,(2)较低气压下溅射原子被气体分子散射的几率较小(三)气体放电是离子溅射过程的基础(1)首先介绍直流电场作用下的物质的溅射现象预抽真空,充入适当压力的惰性气体,如Ar气,10-1~10Pa;在正负电极间外加电压的作用下,电极间的气体原子将被大量电离;Ar—→Ar++e,Ar+被电场加速后射向靶材,撞击出靶材原子(分子),靶材原子脱离靶时仍具有一定能量,飞向衬底,电子被电场加速飞向阳极;http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151107_555542_2989334_3.jpg图3直流气体放电体系模型及伏安特性曲线http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif电压进一步增大,发生极板两端电压突然降低,电流突然增大,并同时出现带有颜色的辉光,此过程称为气体的击穿;击穿后气体的发光放电称为辉光放电;这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击,即使自然游离源不存大,放电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低,且不变,此时电流的增大显然与电压无关,而只与阴极板上产生辉光的表面积有关;正常辉光放电的电流密度与阴极材料和形状、气体种类和压强有关;由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小,所以在溅射方面均是选择在非正常辉光放电区工作。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151110_555543_2989334_3.jpg图4示意性地画出了在离子轰击条件下,固体表面可能发生的物理过程http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151111_555544_2989334_3.jpg图5所示,不同能量离子与固体表面相互作用的过程不同当离子入射到靶材上时,对于溅射过程来说,比较重要的过程有两个:其一是物质的溅射;其二是二次电子发射:二次发射电子在电场作用下获得能量,进而参与气体分子的碰撞,并维持气体的辉光放电过程。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif (四)合金的溅射和沉积用溅射法沉积合金膜,比蒸发法易于保证薄膜的化学配比;溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递。因此,溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能,其数值一般可以达到5~20eV;一方面,溅射原子具有很宽的能量分布范围,其平均能量约为10eV左右;另一方面,随着入射离子能量的增加,溅射离子的平均能量也有上升的趋势;溅射过程还会产生很少的溅射离子,它们具有比溅射出来的原子更高的能量。能量较低的溅射离子不易逃脱靶表面的鞘层电位的束缚,将被靶表面所俘获而不能脱离靶材;由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV,两者相差两个数量级;在溅射沉积中,高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力,另一方面也会引起衬底温度的升高。

  • 出售磁控溅射仪(私聊)

    出售磁控溅射仪(私聊)

    磁控溅射仪(2019下半年购入,9成9新)[img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529314999_3303_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img][img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529317199_6660_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img][img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529323410_1965_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img][img=,690,920]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529325843_2573_5829706_3.jpg!w690x920.jpg[/img]设备技术要求 1.样品基台:直径 6 英寸样品2.反应腔室:304 不锈钢材质3.靶座系统:3 英寸圆形靶座 4 个,位于腔室上部;靶与样品的距离90~110mm 可调4.真空系统:分子泵,机械泵5.真空测量:薄膜规(进口),全量程规(进口)6.气路系统:标配 2 路进气,种类和流量可定制;管路配件(进口)7.电源系统:500W/13.56MHz 自动匹配射频源 1 套(进口);500W 直流电源 2 套(进口)8.样品载台:自转旋转 5-30rpm 可调;加热温度 300℃;可加射频偏压200V 预清洗基片9.真空性能:本底真空优于 6.67x10-5Pa10.控制系统:工控机;触摸屏,菜单自动/手动操作11.安全控制:异常报警12.工艺应用:金属薄膜和介质薄膜沉积13.不均匀性:≤±5%@6 英寸14.设备尺寸:一体型设备;占地面价(参考)1.0m*1.50m。[img=,554,628]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091529103198_4423_5829706_3.png!w554x628.jpg[/img]运行需求:供电需求: 380V、三相五线制;设备总功率需求约为 15KW冷却水:>1.5L/min压缩空气: 0.4~0.6Mpa

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  • 300万!上海期智研究院计划采购磁控溅射仪
    一、项目基本情况项目编号:0705-2240 02012003项目名称:上海期智研究院磁控溅射仪采购预算金额:300.0000000 万元(人民币)最高限价(如有):300.0000000 万元(人民币)采购需求:包件号项目数量简要技术规格备注1磁控溅射仪1套配置304L不锈钢超高真空不锈钢反应腔体,预留RHEED、RGA等接口,后续可按需升级。沉积腔室可升级集成9个2英寸超高真空溅射靶枪。预算:人民币300万元。 合同履行期限:交货期:收到预付款后8到10个月内。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求:1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定;2.落实政府采购政策需满足的资格要求:(1) 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织;(2) 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商,代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权;(3) 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台(以下简称机电产品交易平台,网址为:http://www.chinabidding.com)上完成有效注册;(4) 本项目不允许联合体投标;(5) 本项目不允许分包和转包(代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包)。 3.本项目的特定资格要求:(1) 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织;(2) 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商,代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权;(3) 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台(以下简称机电产品交易平台,网址为:http://www.chinabidding.com)上完成有效注册;(4) 本项目不允许联合体投标;(5) 本项目不允许分包和转包(代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包)。三、获取招标文件时间:2022年08月02日 至 2022年08月09日,每天上午8:30至11:00,下午13:00至17:00。(北京时间,法定节假日除外)地点:上海国际招标有限公司电子采购平台方式:电子发售售价:¥500.0 元,本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间:2022年08月31日 09点30分(北京时间)开标时间:2022年08月31日 09点30分(北京时间)地点:上海国际招标有限公司电子采购平台五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜供应商首次注册应按要求提供《供应商注册专用授权函和承诺书》(可从供应商注册页面下载)和营业执照等扫描件,供应商应当提前准备,尽早办理,以免影响领购招标文件。已注册的潜在投标人可从网站采购公告栏的相应公告或者网站上方“SITC电子采购平台”中进入在线领购招标文件流程。若公告要求提供其他领购资料的,潜在投标人应当上传相关资料的原件扫描件,否则招标代理有权拒绝向其出售招标文件。无需提供领购资料的项目,潜在投标人提交领购申请并支付费用到账后即可下载电子招标文件。项目经理会将纸质招标文件快递给潜在投标人,电子发票将发至投标人登记的邮箱。七、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。1.采购人信息名 称:上海期智研究院     地址:上海市徐汇区云锦路701号40-41层        联系方式:徐瑞;021-54652653      2.采购代理机构信息名 称:上海国际招标有限公司            地 址:中国上海延安西路358号美丽园大厦14楼            联系方式:胡羡聪、刘洲烨;86-21-32173682            3.项目联系方式项目联系人:胡羡聪、刘洲烨电 话:  86-21-32173682
  • 先导集团拟建半导体设备产业园,生产磁控溅射、离子蚀刻等设备
    据广州南沙发布消息,6月28日,广州市南沙区在明珠湾大桥桥面举办重大项目集中签约动工竣工(投产)暨明珠湾大桥通车活动。76个项目于当天集中签约、动工竣工(投产),涵盖新能源汽车、芯片等先进制造产业。在当天的签约仪式上,10个重点项目分两批进行现场签约,总投资额160亿元,达产产值796亿元,其中包括湾区半导体高端设备智造基地。据介绍,湾区半导体高端设备智造基地是先导集团拟在南沙投资建现代化的半导体设备产业园,项目建成后拥有生产各类镀膜沉积设备、磁控溅射设备、离子蚀刻设备及交钥匙工程的综合生产能力。先导集团目前已掌握核心专利和工艺技术,项目产品将拥有100%自主产权,满足半导体产业链国产化替代的需求。广州南沙发布消息指出,目前,南沙正积极促进第三代半导体与新能源汽车产业的融合创新,成立第三代半导体创新中心,形成以晶科电子、芯粤能、爱思威为代表,以联晶智能、芯聚能为龙头的从晶圆生产到芯片设计、封装及应用的第三代半导体全产业链,为将来三千亿级新能源汽车产业集群发展提供“芯”能量。
  • 超亿采购中磁控溅射占主流——半导体仪器设备中标市场盘点系列之PVD篇
    p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 28px " 薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节,传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积( /span span style=" text-indent: 28px " PVD /span span style=" text-indent: 28px " )、化学气相沉积( /span span style=" text-indent: 28px " CVD /span span style=" text-indent: 28px " )等气相沉积工艺。物理气相沉积 /span span style=" text-indent: 28px " (Physical Vapour Deposition /span span style=" text-indent: 28px " , /span span style=" text-indent: 28px " PVD) /span span style=" text-indent: 28px " 技术是在真空条件下,采用物理方法,将材料源 /span span style=" text-indent: 28px " —— /span span style=" text-indent: 28px " 固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 /span /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 仪器信息网近期特对一年内的 span PVD /span 设备的中标讯息整理分析,供广大仪器用户参考。 span style=" color: rgb(127, 127, 127) font-size: 14px " (注:本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台,不完全统计分析仅供读者参考。) /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " span style=" text-align: center " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/a2ad4457-7ade-41a5-b0c8-6b0bfc0f3001.jpg" title=" 1.png" alt=" 1.png" width=" 400" height=" 240" border=" 0" vspace=" 0" / & nbsp & nbsp /span /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 各月中标量占比 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " span 2019 /span 年 span 10 /span 月至 span 2020 /span 年 span 9 /span 月,根据统计数据, span PVD /span 设备的总中标为 span 218 /span 台,涉及金额上亿元。 span 2019 /span 年 span 10 /span 月至 span 12 /span 月,平均中标量约 span 25 /span 台每月。 span 2020 /span 上半年,由于疫情影响, span 1 /span 月至 span 4 /span 月中标市场持续低迷,平均中标量约 span 5 /span 台每月,其中二月份无成交量。随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进, span PVD /span 设备中标市场活力回升,从二月份到七月份中标量不断增长,其中 span 7 /span 月 span PVD /span 中标量达 span 27 /span 台。第三季度的 span PVD /span 设备采购基本恢复正常,平均中标量约 span 24 /span 台每月。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 252px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/98f0aae5-cd0b-4c37-a638-6e07e56be8b6.jpg" title=" 2.png" alt=" 2.png" width=" 400" height=" 252" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 采购单位性质分布 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 从 span PVD /span 设备的招标采购单位来看,高校是采购的主力军,采购量占比高达 span 68% /span ,而企业和科研院所的采购量分别占比 span 12% /span 和 span 19% /span 。值得注意的是,企业和科研院所采购设备的单价较高,集中于高端设备,高校采购低端设备比例略高。企业方面的采购单位主要为电子产业,高校方面的采购单位以大学为主。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 265px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/16cf7cf8-1078-4811-92cb-06cb57740068.jpg" title=" 3.png" alt=" 3.png" width=" 400" height=" 265" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 招标单位地区分布 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 本次盘点,招标单位地区分布共涉及 span 25 /span 个省份、自治区及直辖市。广东、北京、浙江、江苏和湖北为 span PVD /span 设备采购排名前 span 5 /span 的地区,其中广东的采购量最大,达 span 32 /span 台。在这些地区中,上海、浙江和江苏的 span PVD /span 设备采购以高校为主力,北京以科研院所和高校采购为主力,只有湖北以企业采购为主。这主要是因为湖北武汉聚集了国内一批半导体企业,如武汉天马微电子有限公司和湖北长江新型显示产业创新中心有限公司,致力于打造“中国光谷”。 /p p style=" text-align:center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 233px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/35dfbb36-d83c-4bcf-894d-3a587cdd8da8.jpg" title=" 4.png" alt=" 4.png" width=" 400" height=" 233" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family:& #39 微软雅黑& #39 ,sans-serif color:#444444" 不同类型 span PVD /span 设备占比 /span /strong /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " span PVD /span 设备种类繁多,包含了磁控溅射、蒸发镀膜、真空镀膜等类型。根据搜集到的中标数据可知,磁控溅射占据了中标 span PVD /span 设备的主流、高达 span 72% /span 的 span PVD /span 设备采购为磁控溅射。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪 span 70 /span 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 /p p style=" text-indent: 28px text-align: justify " 本次 span PVD /span 设备中标盘点,涉及品牌有泰科诺、 span Kurt J. Lesker /span 、创世威纳、 span Moorfield /span 、 span Leica /span 、合肥科晶、 span VEECO Instruments Inc. /span 、 span Teer Coatings Ltd. /span 、 span QUORUM /span 、 span style=" font-size:15px" Syskey /span span style=" font-size:15px" 、 span Applied Materials ,lnc. /span 、 span ULVACInc /span 、株式会社昭和真空 /span 等。 /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 其中,各品牌比较受欢迎的产品型号有: /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/08db5967-4529-4f60-88a7-518f97a384c8.jpg" title=" 5.jpg" alt=" 5.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/sh102205/C242800.htm" span style=" font-size:15px" span 三靶射频磁控溅射镀膜仪 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 这是一款小型台式 span 3 /span 靶等离子溅射仪 span ( /span 射频磁控型 span ) /span ,配有三个 span 1 /span 英寸的磁控等离子溅射头和射频( span RF /span )等离子电源,此款设备主要用于制作非导电薄膜,特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索,它是一款廉价并且高效的实验帮手。这款 span 1 /span 英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜,所以并不需要太高的真空度。 /span /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/c7c1521d-c5b9-4668-b178-66ac2ce7cd98.jpg" title=" 6.jpg" alt=" 6.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/sh101374/C191053.htm" span style=" font-size:15px" span 双靶磁控溅射仪 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" & nbsp /span span style=" font-size: 15px " 双靶磁控溅射仪是沈阳科晶自主新研制开发的一款高真空镀膜设备,可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。 /span span style=" font-size: 15px " VTC-600-2HD /span span style=" font-size: 15px " 双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪,一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜,一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比,且具有体积小便于操作的优点,且可使用的材料范围广,是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。 /span /p p style=" text-indent: 0em text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2ed2b9b6-bb58-4779-ab5e-aa97cdaaaa2b.jpg" title=" 7.jpg" alt=" 7.jpg" / /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong span a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104149/C283599.htm" span style=" font-size:15px" span 科特莱思科热阻蒸发镀膜系统 /span /span /a /span /strong /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 这款仪器由预真空进样室(可选)前开门蒸发腔体、冷凝泵和干泵、多个热阻蒸发源或 span OLED /span 低温蒸发源、 span 6” /span 基片、基片旋转、基片偏压(可选)、离子源清洗基片(可选)、基片加热 span 1000 /span 度 span ( /span 可选 span ) /span 等部分构成。晶振沉积速率及膜厚控制可选择系统手动或自动控制等方式,能够沉积金属、半导体和绝缘材料,还可沉积多层膜及合金薄膜。 /span span style=" font-size: 15px " & nbsp /span /p p style=" text-indent: 29px text-align: justify " span style=" font-size:15px" 点击此处进入 /span span a href=" https://www.instrument.com.cn/list/sort/241.shtml" span style=" font-size:15px" span 【 span 半导体行业专用仪器 span 】 /span /span /span /span /a /span span style=" font-size:15px" 专场,获取更多产品信息。 /span /p p style=" text-indent: 29px text-align: center " span style=" font-size:15px" 更多资讯请扫描下方二维码,关注【材料说】 /span /p p style=" text-indent: 28px text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2a630f7c-a2f9-4376-bd8c-911592840aa9.jpg" title=" 材料说.jpg" alt=" 材料说.jpg" / /p
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