气相沉积前驱体

天眼查显示，新美光（苏州）半导体科技有限公司“衬底加热体组件及化学气相沉积设备”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118374794A。背景技术以常见的碳化硅部件-等离子刻蚀环为例，目前较为普遍的等离子刻蚀环生长、加工工艺为：将环状石墨衬底以多片层叠方式安装在化学气相沉积炉内，采用石墨电极进行电阻加热将炉内加热至碳化硅材料生长温度，持续向炉内通入前驱体和载气，前驱体在高温下热解反应出碳/硅原子并在石墨衬底上反应沉积得到碳化硅材料，最终通过微纳加工获得满足使用要求的等离子体刻蚀环。整个工艺过程中，因衬底表面为直接发生碳/硅原子反应沉积的位置，最终决定材料的均一性和碳化硅晶体品质，衬底沉积表面流场均匀性及温度均匀性比较关键。但在上述工艺中存在以下客观缺点：1、石墨衬底置于碳化硅生长炉内加热时，因衬底径向外侧在空间上更加接近石墨加热器，故客观的会接收更多的热辐射而导致衬底径向外侧的温度高于内侧；同样的，石墨衬底的外侧因离进气口比较近，前驱体热解出的碳/硅原子基团会持续优先在衬底外侧的表面沉积，最终会影响碳化硅材料在石墨衬底径向上生长的均匀性；石墨衬底的外侧表面因为较内侧有更高的温度和更高浓度的碳/硅原子基团，石墨衬底的外侧碳化硅沉积材料一般厚度较大且表面平整性差，对于碳化硅零部件后续的加工也造成了时间的浪费和成本的提高。2、石墨衬底常用的固定方式为采用石墨顶针在衬底底面进行支撑，该方案因石墨顶针会直接接触到衬底表面，故被石墨顶针接触到的衬底表面区域碳化硅材料生长过程必然会受到影响，相应区域的沉积材料无法加工成产品使用，故在加工过程中一般采取将受影响区域进行切割废弃的措施，增加了加工时间和成本。3、层叠多片式的碳化硅部件材料生长设备，腔体内部的流场无法实现完全的均匀性，主要表现在离进气口近、排气口远的材料生长速率高，反之生长速率低，最终导致同一批次的材料厚度均一性差。发明内容本发明涉及一种衬底加热体组件及化学气相沉积设备，其中提供了一种衬底加热体组件，包括衬底和加热体，衬底包括第一表面、第二表面和中空区，第一表面和第二表面均用于供反应气体沉积，中空区位于第一表面和第二表面之间；加热体位于中空区内，用于产生热量以至少加热第一表面和第二表面。本发明的衬底设计为内部中空的结构，第一表面及第二表面均为衬底靠近中空区部分的外表面，位于中空区的加热体对衬底的第一表面和第二表面沿径向的各个位置的加热效果相对较为平均，不容易产生沉积的产品厚度差异过大的问题，一定程度上提高了衬底上沉积材料的厚度均一性及组织性能均匀性。

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。

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江苏省-常州市-武进区 状态：公告 更新时间： 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在（常州中宇建设工程管理有限公司）获取采购文件，并于2023年1月31日上午9点00分（北京时间）前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：ZYJS-ZC2023192 2.项目名称：ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式：竞争性磋商 4.项目预算金额：人民币150万元 项目最高限价：人民币150万元；供应商最终报价时总价不得高于最高限价，否则作为无效响应处理。 5.采购需求：本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD，是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体，从而实现厚度可控（纳米尺寸级别）的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备（包括现场踏勘、技术核对等）、产品（包括备品备件、专用工具）、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产（采购）、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限：自合同签订之日起28周以内供货完毕，并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体：□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应：◆是 □否。 二、申请人的资格要求（须同时满足） 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形： 1.1未被“信用中国”网站（WWW.creditchina.gov.cn）或“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单； 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商（包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人，母公司、全资子公司及其控股公司），不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额，提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行：______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求（如有）：____/_______。 3.本项目的特定资格要求： 3.1本项目接受进口产品投标，供应商所投设备为进口产品的，应提供以下之一的证明材料： 1）如供应商为所投设备的授权经销（代理）商，必须提供生产（制造）商或上级经销（代理）商授权供应商的授权书，并提供逐级经销（代理）商的证书复印件； 2）如供应商为本项目的授权供应商，必须提供生产（制造）商或授权经销（代理）商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销（代理）商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应：□是 ◆否； 3.3 其他特定资格要求：无 4.本项目是否属于政府购买服务： ◆否 □是，公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织，不得作为承接主体； 5.其他特定资格要求：无。 三、获取采购文件 时间：2023年1月9日至2023年1月16日（采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日），每天上午8:30至11:30，下午13:30至17:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室 方式：（供应商可采取以下任一种方式获取采购文件） (1)线上获取（推荐使用）：供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记，注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息，并按要求交纳采购文件费用，上述步骤完成后，供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取：将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后，采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名：常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行：中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号：1105052609000510202 财务室电话（查询标书款情况）：0519-85782855 (3)现场获取地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室。 售价：人民币壹佰元/份（从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号），采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料： ①供应商信息表（格式见公告附件1） 四、响应文件提交 截止时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策：_/__。 2.现场勘察及澄清： 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商，均应在2023年1月17日上午11：30前按采购公告中的通讯地址，一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构，否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改，采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商，因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求： 正本份数：1份，副本份数：3份；响应文件应按顺序胶装成册，并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否，响应文件均不退回。 中标（成交）公告发布前，成交供应商须将响应文件电子档（PDF格式，含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件，与正本响应文件完全一致的电子档）发至邮箱：zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求，进场后请保持安全距离，分散等候，不得扎堆聚集，事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距，尽量缩短工作时间，会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资： 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》（常财购〔2021〕13号）等有关文件精神，我市实行政府采购信用融资，将信用作为政策工具引入政府采购领域，金融机构根据政府采购项目中标（成交）通知书或中标（成交）合同，为中标（成交）中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：常州大学 地 址：常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式：诸葛祥群 联系电话：15161156879 2.采购代理机构信息 名 称：常州中宇建设工程管理有限公司 地 址：常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式：0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人：左学文、包婷 电 话：0519-85785155 注：上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件：供应商信息表.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：null 预算金额：150.00万元 采购单位：常州大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：常州中宇建设工程管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 常州大学ALD原子层沉积平台采购项目竞争性磋商公告 江苏省-常州市-武进区 状态：公告 更新时间： 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在（常州中宇建设工程管理有限公司）获取采购文件，并于2023年1月31日上午9点00分（北京时间）前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：ZYJS-ZC2023192 2.项目名称：ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式：竞争性磋商 4.项目预算金额：人民币150万元 项目最高限价：人民币150万元；供应商最终报价时总价不得高于最高限价，否则作为无效响应处理。 5.采购需求：本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD，是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体，从而实现厚度可控（纳米尺寸级别）的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备（包括现场踏勘、技术核对等）、产品（包括备品备件、专用工具）、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产（采购）、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限：自合同签订之日起28周以内供货完毕，并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体：□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应：◆是 □否。 二、申请人的资格要求（须同时满足） 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形： 1.1未被“信用中国”网站（WWW.creditchina.gov.cn）或“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单； 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商（包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人，母公司、全资子公司及其控股公司），不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额，提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行：______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求（如有）：____/_______。 3.本项目的特定资格要求： 3.1本项目接受进口产品投标，供应商所投设备为进口产品的，应提供以下之一的证明材料： 1）如供应商为所投设备的授权经销（代理）商，必须提供生产（制造）商或上级经销（代理）商授权供应商的授权书，并提供逐级经销（代理）商的证书复印件； 2）如供应商为本项目的授权供应商，必须提供生产（制造）商或授权经销（代理）商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销（代理）商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应：□是 ◆否； 3.3 其他特定资格要求：无 4.本项目是否属于政府购买服务： ◆否 □是，公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织，不得作为承接主体； 5.其他特定资格要求：无。 三、获取采购文件 时间：2023年1月9日至2023年1月16日（采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日），每天上午8:30至11:30，下午13:30至17:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室 方式：（供应商可采取以下任一种方式获取采购文件） (1)线上获取（推荐使用）：供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记，注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息，并按要求交纳采购文件费用，上述步骤完成后，供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取：将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后，采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名：常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行：中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号：1105052609000510202 财务室电话（查询标书款情况）：0519-85782855 (3)现场获取地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室。 售价：人民币壹佰元/份（从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号），采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料： ①供应商信息表（格式见公告附件1） 四、响应文件提交 截止时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策：_/__。 2.现场勘察及澄清： 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商，均应在2023年1月17日上午11：30前按采购公告中的通讯地址，一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构，否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改，采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商，因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求： 正本份数：1份，副本份数：3份；响应文件应按顺序胶装成册，并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否，响应文件均不退回。 中标（成交）公告发布前，成交供应商须将响应文件电子档（PDF格式，含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件，与正本响应文件完全一致的电子档）发至邮箱：zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求，进场后请保持安全距离，分散等候，不得扎堆聚集，事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距，尽量缩短工作时间，会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资： 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》（常财购〔2021〕13号）等有关文件精神，我市实行政府采购信用融资，将信用作为政策工具引入政府采购领域，金融机构根据政府采购项目中标（成交）通知书或中标（成交）合同，为中标（成交）中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：常州大学 地 址：常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式：诸葛祥群 联系电话：15161156879 2.采购代理机构信息 名 称：常州中宇建设工程管理有限公司 地 址：常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式：0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人：左学文、包婷 电 话：0519-85785155 注：上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件：供应商信息表.docx