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使用 EMGA 氧/氮/氢分析仪，通过控制加热温度进行定量分析，从而有效区分表面氧和内部氧。
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硅片中氧的浓度对硅片的电阻性能有着很大的影响，因此，即使硅片中只含有极少量的氧，在生产中对其浓度的控制也是至关重要的。然而，在分析高掺杂单晶硅时出现了一个挑战——由于其独特的性质和高掺杂水平，杂质和掺杂剂的存在会干扰使用 FT-IR 光谱法测量氧浓度的精确度，分析这些样品中的氧浓度变得更加困难。在实际样品中，氧以氧化膜的形式附着于硅片表面，并且这种氧的存在形式也正是导致样品中氧浓度测量误差的一个因素。因此在测量前，需要用化学试剂进行清洗，去除表面的氧化膜，但当测量样品时，样品依旧暴露在大气中，清洁后的样品表面会再次形成氧化膜，这使得其很难完全被去除。使用 EMGA 氧/氮/氢分析仪，通过控制加热温度进行定量分析，从而有效区分表面氧和内部氧。
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产品配置单
HORIBA（中国）为您提供《元素分析+硅片+氧定量分析》，该方案主要用于半导体材料中氧定量分析检测，参考标准《暂无》，《元素分析+硅片+氧定量分析》用到的仪器有HORIBA EMGA-Expert 氧氮氢分析仪。
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