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采用离心沉降法对气相二氧化硅样品进行了测试，并确认测试结果的重复性。利用该设备的这一特点，可以对 CMP 浆料进行质量控制，并检查生产过程中的日常波动。
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化学机械抛光(CMP)技术是大规模半导体集成电路(ULSI)制造过程中不可缺少的基础技术。CMP是一种利用化学蚀刻与含有磨料颗粒的化学浆料的研磨的协同作用，使基材表面软化、去除或变平的技术。气相二氧化硅颗粒是在火焰中气相反应中合成的，并作为二次颗粒分散，二次颗粒是一次颗粒的聚集体。气相二氧化硅的抛光率虽然高，但抛光精度不如胶体二氧化硅。气相二氧化硅具有很高的聚集倾向，导致其粒径测量具有一定难度。采用离心沉降法对气相二氧化硅样品进行了测试，并确认测试结果的重复性。重复测试5次，CV为0.8%。对于这样一个不稳定的样品，这是一个非常好的重复性。此外，Partica CENTRIFUGE CN-300 离心式粒度分析仪对于粒径分布较宽的样品，测试的重复性很好，这是其他测量方法难以做到的。利用该设备的这一特点，可以对CMP浆料进行质量控制，并检查生产过程中的日常波动。
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产品配置单
HORIBA（中国）为您提供《颗粒分析+二氧化硅+CMP浆料质量控制》，该方案主要用于半导体材料中粒度分析检测，参考标准《暂无》，《颗粒分析+二氧化硅+CMP浆料质量控制》用到的仪器有HORIBA 离心式粒度分析仪Partica CENTRIFUGE CN-300。
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