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正电子湮没谱学是研究凝聚态缺陷和相变的重要实验技术，常用于表征材料的原子级微观结构（尤其是空位型缺陷）。正电子湮没寿命谱仪用来测量正电子在材料中湮没寿命信息，其最重要的两个性能指标是时间分辨率和计数率。
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正电子湮没仪 心 HV1 CHII CH2 HV2 正电子寿命谱技术优势1.他对样品材料的种类几乎没有什么限制，可以是固体、液体或气体，可以是金属、半导体、绝缘体或高分子材料，可以是单晶、多晶或液晶等，适用于凡是与材料的电子密度及动量有关的问题。2.对样品温度没有限制，可以跨越材料的熔点或凝固点，而信息又是通过贯穿能力很强的γ射线携带而来，因此可以对样品做高低温的动态原位测量，测量时可施加电场、磁场、高气压、真空等特殊环境。3.研究样品中原子尺度的缺陷，如晶格中缺少一个或多个原子的缺陷，这些缺陷在电镜、X衍射中研究颇为困难。4.简单使用，室温测量下的PAT制样方法
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上海英生电子科技有限公司为您提供《半导体高分子中空位、位错、空位团缺陷检测方案 》，该方案主要用于半导体高分子中空位、位错、空位团缺陷检测，参考标准《暂无》，《半导体高分子中空位、位错、空位团缺陷检测方案 》用到的仪器有正电子湮没寿命谱仪 正电子显微镜PALS 。
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