KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用

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‍‍上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi 离子源作用通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.使用美国 KRi 考夫曼离子源可以实现‍‍增强和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改进, 控制薄膜化学计量, 提高折射率, 降低薄膜应力, 控制薄膜微观结构和方向, 提高薄膜温度和环境稳定性, 增加薄膜附着力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.‍‍KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:设备: e-beam 电子束蒸发系统离子源型号: KDC 75应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积‍‍‍‍上海伯东美国  KRi 离子源适用于各类沉积系统 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积), 实现 IBAD 辅助镀膜‍‍‍‍‍‍‍‍ 美国 KRi KDC 考夫曼型离子源技术参数：型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160Discharge 阳极DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流离子束流>10 mA>100 mA>250 mA>400 mA>650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝 ‍‍上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 系列适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请联络上海伯东叶女士‍‍‍‍Hakuto 伯东企业(上海)有限公司 HAKUTO ENTERPRISES (SHANGHAI) LTD. 地址：上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 H akuto TEL： (86) 21-5046 3511 FAX： (86) 21-5046 1490 WEB： https：//www.hakuto-vacuum.cn/ 标题：上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用 上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列，通过加热灯丝产生电子，是典型的考夫曼型离子源，离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束，通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜，实现辅助镀膜 IBAD. 人 Kaufman 伯東KHakuto& ROBINSON The lon Source Authoritysu 6上海) 伯东企业 KDC 10 KDC 40 KDC 75 KDC 160 e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi KDC 考夫曼离子源作用 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学，以增加表面和原子/分子的流动性，从而导致薄膜的致密化. 通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化，从而得到化学计量完整材料. 通过使用 KDC 离子源可以实现 增强和控制薄膜性能，薄膜致密化的改进，控制薄膜化学计量，提高折射率，降低薄膜应力，控制薄膜微观结构和方向，提高薄膜温度和环境稳定性，增加薄膜附着力，激活表面，平滑的薄膜界面和表面，降低薄膜吸收和散射，增加硬度和耐磨性. KDC 考夫曼离子源典型案例： 设备： e-beam 电子束蒸发系统 离子源型号： KDC 75 应用：： IBAD 辅助镀膜，在玻璃上镀上高反射率膜.(光栅的镀膜) 离子源对工艺过程的优化：无需加热衬底，对温度敏感材料进行低温处理，简化反应沉积 美国KRi 离子源适用于各类沉积系统，实现 IBAD 辅助镀膜 伯东企业(上海)有限公司 HAKUTO ENTERPRISES (SHANGHAI) LTD. 地址：上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 TEL： (86) 21-5046 3511 FAX： (86) 21-5046 1490 WEB： https：//www.hakuto-vacuum.cn/ The lon Source AuthoritySu 电子束蒸发或热蒸发 离子束溅射分子束外延 脉冲激光沉积 典型工艺过程： 离子清洁 离子束溅射沉积 离子辅助沉积 美国 KRi KDC考夫曼型离子源技术参数： 型号 KDC 10 KDC 40 KDC 75 10 mA >100 mA >250 mA >400 mA >650 mA 离子动能 100-1200V 100-1200V 100-1200 V 100-1200V 100-1200V 栅极直径 cm中 4 cm中 7.5 cm中 12 cm中 16 cm中 离子束 聚焦，平行，，散射 流量 1-5 sccm 2-10 sccm 2-15 sccm 2-20 sccm 2-30 sccm 通气 Ar， Kr， Xe， 02，N2， H2， 其他 典型压力 < 0.5m Torr < 0.5m Torr < 0.5m Torr <0.5m Torr < 0.5m Torr 长度 11.5cm 17.1 cm 20.1cm 23.5 cm 25.2cm 直径 4 cm 9cm 14 cm 19.4 cm 23.2 cm 中和器 灯丝 上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 系列适用于标准和新兴材料工艺.在原子水平上工作的能力使KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面.无论是密度压实，应力控制，光学传输，电阻率，光滑表面，提高附着力，垂直侧壁和临界蚀刻深度， KDC 离子源都能产生有益的材料性能.上海伯东是美国KRi 离子源中国总代理. 上海伯东同时提供磁控溅射真空系统所需的涡轮分子泵，真空规，高真空插板阀等产品，协助客户生产研发高质量的磁控溅射系统.