littlebird05 2007/12/26
个人觉得对于多孔硅,漫反射比较好,压片的话,信号弱,若加大量对于压片来说又会使峰变得不尖锐。
smantha 2007/12/27
[quote]原文由 [B]xiafei_211[/B] 发表: 首先祝坛友圣诞快乐! 我一朋友做得多孔硅IR,让我帮忙看下,但是我对无机物的红外做得比较少,有几个问题想请教大家。 1.无机物的红外用量跟有机物的一样? 2.压片与漫反射哪个更好? 3.用量不同,峰强度变化很大?部分峰变强,部分峰变弱。 1. 我们平时压片的时候加入溴化钾0.2g左右。被测的物质大概占1%就可以了,但是没有准确去称量,加入少量就可以了。 2.实验室有同时用压片和漫反射,在我看来压片比较麻烦,但是做的好效果肯定会比漫反射好。同一个样品漫反射做出来的误差都比压片大。 3.这个没有考究过,但是用量不同,强度肯定有变化,但是整体性偏移或如你所说的就没有留意过。
天使为什么哭 2007/12/27
我一般都是压片的。。。。
tbhc 2007/12/27
多孔硅什么结构啊,LZ介绍一下,呵呵,在网上没找到相关资料。
附件:
smantha
第3楼2007/12/27
[quote]原文由 xiafei_211 发表:首先祝坛友圣诞快乐!
我一朋友做得多孔硅IR,让我帮忙看下,但是我对无机物的红外做得比较少,有几个问题想请教大家。
1.无机物的红外用量跟有机物的一样?
2.压片与漫反射哪个更好?
3.用量不同,峰强度变化很大?部分峰变强,部分峰变弱。
1. 我们平时压片的时候加入溴化钾0.2g左右。被测的物质大概占1%就可以了,但是没有准确去称量,加入少量就可以了。
2.实验室有同时用压片和漫反射,在我看来压片比较麻烦,但是做的好效果肯定会比漫反射好。同一个样品漫反射做出来的误差都比压片大。
3.这个没有考究过,但是用量不同,强度肯定有变化,但是整体性偏移或如你所说的就没有留意过。
xiafei_211
第7楼2007/12/27
谢谢你,我做的是P型与N型两种多孔硅,主要是2245-2116部分与1000以下部分的峰的变化。
P型的正常用量的时候,2245-2116处的峰没有,用量增加的时候,2245-2116处出现很明显的峰,其它位置的峰变宽,但是强度是同步改变的。
N型的是用量按正常用量的时候,2245-2116部分没有峰,1000以下的峰比较明显,用量增大的时候,2245-2116部分出现个小峰,1000以下的峰消失了。这个我也不懂怎么回事了,做有机的IR没有遇到过这种情况。