磨剪子嘞 锵菜刀
第1楼2008/03/07
通常的钨灯丝SEM3.5nm;热场发射SEM1.5nm;冷场发射SEM1.2nm;@30kV;
个人认为决定分辨率的重要因素是灯丝的亮度、色散;此外一般半导体工厂CDSEM要求工作稳定,所以热场发射是最佳的选择,近些年来电镜的分辨率受到灯丝发展和电子束本身和样品之间的作用效果导致分辨率一直没有太大的提升。芯片制造产业在摩尔定律的作用下飞速的发展,但是大批量的工业生产也受到仪器设备的制约,通常的电子束刻蚀印刷,离子沉积等生产工艺已经具有较高的技术水平。
例如:电子束刻蚀的wafer完全可以用同样规格的SEM进行FA检测;
FA的SEM没必要更新换代,以上个人看法供参考。
网海无涯
第2楼2008/03/10
这个说法比较科学,目前的SEM技术指标没有影响到生产FA,更新换代会带来大幅的成本提升,产品的质量稳定性也会有些影响。