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扫描电镜需要大的更新换代吗?

扫描电镜(SEM/EDS)

  • 请教扫描电镜的分辨率是多少?0.1nm吗?

    集成电路制造中SEM被广泛用来做FA,随着IC工艺由0.18um向90nm乃至45nm升级,SEM是否也要更新换代?
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  • 磨剪子嘞 锵菜刀

    第1楼2008/03/07

    通常的钨灯丝SEM3.5nm;热场发射SEM1.5nm;冷场发射SEM1.2nm;@30kV;

    个人认为决定分辨率的重要因素是灯丝的亮度、色散;此外一般半导体工厂CDSEM要求工作稳定,所以热场发射是最佳的选择,近些年来电镜的分辨率受到灯丝发展和电子束本身和样品之间的作用效果导致分辨率一直没有太大的提升。芯片制造产业在摩尔定律的作用下飞速的发展,但是大批量的工业生产也受到仪器设备的制约,通常的电子束刻蚀印刷,离子沉积等生产工艺已经具有较高的技术水平。

    例如:电子束刻蚀的wafer完全可以用同样规格的SEM进行FA检测;

    FA的SEM没必要更新换代,以上个人看法供参考。

    xibinke 发表:请教前辈,扫描电镜的分辨率是多少?0.1nm吗?

    集成电路制造中SEM被广泛用来做FA,随着IC工艺由0.18um向90nm乃至45nm升级,SEM是否也要更新换代?

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  • 网海无涯

    第2楼2008/03/10

    这个说法比较科学,目前的SEM技术指标没有影响到生产FA,更新换代会带来大幅的成本提升,产品的质量稳定性也会有些影响。

    amoslau 发表:通常的钨灯丝SEM3.5nm;热场发射SEM1.5nm;冷场发射SEM1.2nm;@30kV;

    个人认为决定分辨率的重要因素是灯丝的亮度、色散;此外一般半导体工厂CDSEM要求工作稳定,所以热场发射是最佳的选择,近些年来电镜的分辨率受到灯丝发展和电子束本身和样品之间的作用效果导致分辨率一直没有太大的提升。芯片制造产业在摩尔定律的作用下飞速的发展,但是大批量的工业生产也受到仪器设备的制约,通常的电子束刻蚀印刷,离子沉积等生产工艺已经具有较高的技术水平。

    例如:电子束刻蚀的wafer完全可以用同样规格的SEM进行FA检测;

    FA的SEM没必要更新换代,以上个人看法供参考。

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  • tsrjzq

    第3楼2008/03/11

    的确,做FA到话,SEM的机器本身的指标可能是其次的,反而设备的保养什么的倒是最重要的,一个好机器,如果维护保养不好,照样分辨率上不去

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  • infowq

    第4楼2008/03/11

    影响不大,倒是发现SMT带来了很大的冲击!对产品的可靠度产生影响!

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  • yanly1983

    第5楼2008/03/12

    怎么保养?把仪器拆了檫洗吗?

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  • yanly1983

    第6楼2008/03/12


    0.18um 90nm 45nm是什么概念啊?

    xibinke 发表:请教扫描电镜的分辨率是多少?0.1nm吗?

    集成电路制造中SEM被广泛用来做FA,随着IC工艺由0.18um向90nm乃至45nm升级,SEM是否也要更新换代?

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  • vincent2956

    第7楼2008/03/16

    在45节点,分辨率没问题,至少在后段,有时也没有多大意义,low k倒是一个问题。

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