第四篇 能谱技术参数比较分辨率比较:分辨率无疑是能谱最重要的指标之一,通常来讲能谱的分辨率通过三种元素的分辨率来表达:
1. Mn元素分辨率
现场通过Mn元素的Ka谱峰的半高宽来测量能谱的分辨率,Mn元素Ka谱峰的位置为5.89,接近于原厂Fe55同位素的Ka谱峰位置,因此被用作替代品。
目前从各能谱厂商公开发布的英文样本里可查的最好的指标是1000~100,000cps测试条件下分辨率优于125eV
2. F元素分辨率
除了Mn元素分辨率以外, 通常还要测定F元素的分辨率,现场通过氟的化合物样品中F元素Ka谱峰的半高宽来测量F元素的分辨率。
目前从各能谱厂商公开发布的英文样本里可查的最好的指标是F分辨率优于57eV
3. C元素分辨率
除了Mn、F元素分辨率以外,C元素分辨率也是一个非常重要的指标,它衡量的是原子序数较小的元素的分辨率 。 现场通过石墨样品中C元素Ka谱峰的半高宽来测量C元素的分辨率。
目前从各能谱厂商公开发布的英文样本里可查的最好的指标是碳元素分辨率优于48eV
注:文中所指的最好分辨率是厂商公开发布样本上的承诺的指标,有少数不负责任的厂商由于样本承诺分辨率较差,会忽悠用户说他们的所有的产品实测分辨率能达到某某标准,试问如果所有的产品分辨率能实测到更高,为何不把承诺的指标提高呢? 请勿上当!!!速度比较:速度比较其实也就是指能谱的最大可处理能力比较1. SDD和Si(Li)比较
毫无疑问SDD的最大可处理能力要远远超过Si(Li),一般来讲,同样有效面积的SDD和Si(Li),SDD的最大可处理能力可达到Si(Li)的10倍以上。
举例来讲:同样是10mm^2的SDD和Si(Li)
SDD目前最大的可处理计数可达1000,000cps
Si(Li)仅有100,000cps
2. SDD能谱最大可处理能力参数
目前SDD最大可处理能力高达2000,000cps
当然,文中提到的只是能谱的可处理能力,最终能谱分析的速度还得取决于电镜所提供的信号的强弱.
原理比较,SDD为什么会这么快?SDD最大的特点之一就是速度快,原理是什么?
首先我们来看下图,分别是Si(Li)和SDD的探测器部分内部结构示意图:
Si(Li)探测器内部结构示意图
SDD探测器内部结构示意图
Si(Li)探测器示意图中我们可以看到以下主要组成部分:
*FET
*Detector
这两个主要组成部分之间通过Gold Wire相连接,金导线大大增加了探测器内部电容,电容越大,充放电时间越长,这就导致Si(Li)探测器的处理能力大大受到电容的局限。
电容越大,速度越慢,可处理能力越弱
再看SDD,SDD的FET和探测晶体之间无需金导线相连,FET直接整合在SDD探测晶体内部,通过这样的设计(FET和探测晶体一体化)大大降低了内部电容,这样也就大大的提升了SDD探测器的处理能力。
以10平方毫米面积的探测器举例:FET和晶体一体化设计的SDD最大处理能力可达750kcps~1000kcps之间。
以40平方毫米面积的探测器举例:FET和晶体一体化设计的SDD最大处理能力可达3000kcps以上。
当然并不是所有的SDD都能具备这样的高速度,有些SDD探测器采用了和Si(Li)探测器相同的金导线相连的设计,这样的设计使得SDD的处理能力降低很多,但是处理能力比Si(Li)要强一些。
处理器的比较如上所述,探测器的处理能力是衡量一个能谱系统强弱的重要指标,但是我们不能忽略另外一个重要的能谱系统组成部分:信号处理器
信号处理器有全模拟信号处理器、数模混合之分
其中全模拟信号处理器主要用在早期的能谱上,处理能力弱,相同输入计数下死时间大,现在基本已经被淘汰
数模信号处理器是当今的主流,衡量一个信号处理器能力强弱的最直观的指标是死时间,相同的条件下(处理时间,输入计数等)死时间越大,处理能力越弱,反之亦然。
下图是在441,000cps的输入条件下, SDD的死时间为47% 可见处理器对于能谱的重要性,这里必须要强调的一点是:只有搭配了专门为SDD设计的处理器后的SDD能谱系统才能最大的发挥出SDD的速度优势。
如果只是用了SDD探测器搭载和Si(Li)探测器一样的信号处理器,那么SDD的能力将被大大削弱。
图像采集装置比较图像采集装置也是能谱重要的组件之一,它关系到图像的分辨率和元素面分布的分辨率。
目前最好的图像采集装置可达到元素面分布分辨率为:4096*4096