图1 vs 图2，图3 vs 图4，图5 vs 图6： 每组图像探头及探头工作模式相同，工作条件中加速电压不同，其余相同。 由于样品元素较轻，高加速电压（15kV）电子束射入样品内部更深，造成的空间分辨率较差，样品容易产生通透感，而电子束激发出的样品深处的信息将掩盖样品表面形貌以及成分的各种细节。低加速电压（5kV）下，样品表面细节更完整。如：图3观察到的样品中央重元素杂质在图4中基本无法显示。
图1 vs 图3 vs 图5，图2 vs 图4 vs 图6： 每组图像所有工作条件相同，探头及探头工作模式不同。 由于二次电子基本不含成分信息，背散射电子基本不含形貌信息，因此图1和图2的SE（二次电子）像无法看出重元素杂质的分布，而图3和图4的BSECOMP（背散射电子组分）像立体感也较差。但是图5的BSE3D（背散射电子立体）像中既能观察到背散射电子携带的成分信息，且分布与图3一致；样品的立体感也非常明显，形貌与图1一致。属于4分割或5分割半导体背散射电子探头的特色之一。具体原理另文讨论~
追随Roadch牛人的足迹，整理了一些东西供大家讨论~
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