haodou000 2010/10/30
第二部分: 1.选购仪器时,石墨炉中的最高温度主要影响测定的高温元素,例如Cr\Ni\Ba等,如果温度不够高的话会有严重的拖尾现象及影响下一样品测定,常见PE800为2500°,日立2800°,耶拿3000°。 2.斜坡时间指斜坡式升温时间,保持时间指保持一定温度的时间,这两个参数一般仪器都相同,是有用户自己设置。选购时有个重要参数就是升温速率,直接影响消除干扰及原子化效果,越高越好。耶拿现在达到3000/s。 还有个参数,石墨管加热方式,PE、耶拿采用横向加热,样品受热均匀,重现性好。 第三部分: 积分时间在[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]就是指原子化时间,一般5秒,没有太大意义。
sll2009 2010/10/31
第二部分: 1.选购仪器时,对于石墨炉中的最高温度有要求吗? 答:现在的仪器基本上就那么高的温度了,基本没有什么区别了吧
名字长了容易引起注意 2010/11/01
1.波长范围的大小影响样品的检测吗?189nm、185nm的不同会给样品检测带来区别吗? 这个是有区别的,比如钠就主灵敏线和次灵敏线,测得浓度范围都不一样。 另外189和185这是两个概念,因为元素有特定的吸收波长,不可以胡乱修改
jdjy118 2010/11/01
第一部分: 1.波长范围的大小影响样品的检测吗?189nm、185nm的不同会给样品检测带来区别吗? 2.光栅面积、刻线、狭缝到底代表了什么意思呢?选仪器时我需要注意这些吗? 3.双闪耀波长是指什么? 4.谱带宽又代表了什么意思呢?0.2,0.7,1.3,2.0nm(4段自动切换)有什么优势吗? 我觉得只要仪器允许的话还是波长、光栅刻线、带宽(光谱带宽)范围越大越好。189、185nm的波长属于紫外范围。当然会给样品检测带来影响,因为只有在此波段的待测元素特征波长才可测定用。光栅面积、刻线、狭缝也是仪器本身功能特性吧选仪器是还是要注意这些条件的,比如:光谱通带有0.2、0.4、1.2、2.0多见,你说的0.7、1.3就是进步吧,哈哈哈!至于双闪耀波长该不会是指双光束吧?光栅面积应该是指刻线的有效面积,刻线是指在光栅上的1mm宽带中刻的道数,狭缝影响分辨率,带宽用来表征仪器的光谱分辨率。
dahua1981 2010/11/02
第一部分: 1.波长范围的大小影响样品的检测吗?189nm、185nm的不同会给样品检测带来区别吗? 影响,范围太小有些元素就无法检测了。肯定的,不同元素的特征吸收线是不同。 2.光栅面积、刻线、狭缝到底代表了什么意思呢?选仪器时我需要注意这些吗? 代表仪器的灵敏度应该是,选仪器时一定注意这些 3.双闪耀波长是指什么? 这个不明白 4.谱带宽又代表了什么意思呢?0.2,0.7,1.3,2.0nm(4段自动切换)有什么优势吗? 带宽与仪器灵敏度有关 积分时间可按0.1秒的增量在0.1至60秒之间任选,代表的是什么意思呢?
wccd
第1楼2010/10/29
第四部分讨论:
检测器:
1.光电倍增管PMT;
2.紫外高灵敏度CCD线阵检测器;
3.全谱高灵敏度阵列式多象素点专用固态检测器(低噪声 CMOS电荷放大器阵列)。
光源:
1. 空心阴极灯:辉光放电灯。火焰法(乙炔混合气燃烧),石墨炉法(瞬时低压大电流,温度剧升);
2. 连续光源:高聚焦短弧氙灯。(无需背景校正)【是技术的提高呢?还是华而不实的噱头?】
光路 :高光通量单光束/双光束自动切换
光栅:另有54x54mm高分辨率的中阶梯光栅
双闪耀波长:另有250nm和490nm
背景校正:氘灯背景校,自吸背景校正
石墨炉温度:室温~3000℃,可实现低温原子化。
石墨炉加热:横向加热石墨炉技术 【还有其他加热方式吗?他们之间有什么不同吗?】
haodou000
第5楼2010/10/30
第二部分:
1.选购仪器时,石墨炉中的最高温度主要影响测定的高温元素,例如Cr\Ni\Ba等,如果温度不够高的话会有严重的拖尾现象及影响下一样品测定,常见PE800为2500°,日立2800°,耶拿3000°。
2.斜坡时间指斜坡式升温时间,保持时间指保持一定温度的时间,这两个参数一般仪器都相同,是有用户自己设置。选购时有个重要参数就是升温速率,直接影响消除干扰及原子化效果,越高越好。耶拿现在达到3000/s。
还有个参数,石墨管加热方式,PE、耶拿采用横向加热,样品受热均匀,重现性好。
第三部分:
积分时间在原子吸收就是指原子化时间,一般5秒,没有太大意义。
haodou000
第6楼2010/10/30
第四部分讨论:
检测器:
1.光电倍增管PMT;信号放大系统,主要用于顺序扫描的检测器,一个光电倍增管一次暴光只能检测“一条”谱线,无法“同时”测定分析线和背景的强度、
分析线的强度,
2.紫外高灵敏度CCD线阵检测器;电荷耦合器件CCD:是将电荷在检测单元之间逐个转移到一个具有电荷感应放
大器的检测单元上进行读出,每个检测单元之间不是相互独立的,其具有较高的量子效率
和光谱响应范围。因栅极对光的有强烈的吸收,因此一般采用背照射式,当有强光照射到
局部CCD 时存在电荷溢出现象,一般依靠信号处理电路来解决检测器的溢出问题,属于
破坏性读出。而分段耦合器件SCD也属于电荷耦合器件一种改进,主要是为减少CCD转
移电荷所需要的历程,通过独立设计,解决了CCD全部读出的缺点,SCD段与段之间无
溢出现象,但不能解决段内溢出现象,当然目前所有公司采用的CCD 检测器都是经过自
己特殊设计的,比如:VARIAN 的ICP 720 以上系列使用的CCD,具有很高的数据读取
速度和抗溢出设计,并且也能够进行摄谱、光谱指纹分析。因此CCD 做为ICP 检测器已
经是非常成熟的工艺。
3.全谱高灵敏度阵列式多象素点专用固态检测器(低噪声 CMOS电荷放大器阵列)。这个好像是PE用的,优点也就是低噪声。
光源:
1. 空心阴极灯:辉光放电灯。火焰法(乙炔混合气燃烧),石墨炉法(瞬时低压大电流,温度剧升);
2. 连续光源:高聚焦短弧氙灯。(无需背景校正)目前只有耶拿在用,不需要空心阴极灯,可以发射190-900nm波长,背景校正由氙灯同时完成。灵敏度高于普通石墨炉,是最先进的技术。同时测定多种元素,测量时间短,运行成本底。价格约100万。
这两个没看懂。
光路 :高光通量单光束/双光束自动切换 光路决定仪器的性能,PE的仪器之所以稳定,就是有独特的光路设计。
光栅:另有54x54mm高分辨率的中阶梯光栅 这个不太懂,应该影响灵敏度。
双闪耀波长:另有250nm和490nm
背景校正:氘灯背景校,自吸背景校正 背景校正一般使用塞曼矫正,耶拿现在使用三相塞曼及可变磁场,三相可以防止二相塞曼发生偏转。火焰中氘灯扣背景效果较差,目前火焰只有日立使用塞曼扣背景。
石墨炉温度:室温~3000℃,可实现低温原子化。
石墨炉加热:横向加热石墨炉技术
这个前面写了