应用于ROHS指令，X荧光分析仪综合选型方案

这个技术还用吗 落后了吧

很多消费者被误导,以为整机产品都可以通过XRF测ROHS,其实它的测试对象必须是均质产品.而且,误差太大,几乎没有重现性.

谢谢，可供参考
哪里可以买到相关设备？

RoHs检测资料集：www.high-jump.com.cn/rohs.htm

９４９４，而且很多工厂买了以后才发觉并不是如销售商所述的那样。

看了楼上几位的讨论，作为从事X荧光分析技术的普通一员，我想谈几点个人的看法：
首先，X荧光分析技术并不是一项落后的技术，而且，X荧光分析技术本身也在不断的发展和进步中；在很多情况下，X荧光分析是一项简单、快速而有效的分析手段。
当然，在现实条件下，确实存在仪器生产和销售商出于利益的考虑，在技术参数上夸大和误导用户的现象存在，我们希望通过讨论，还技术以本来面目；这也是本人发起这个帖子的目的。因为作为从事X荧光分析技术的我，也憎恶出于商业目的，把X荧光分析技术描述的无所不能的做法。因为任何的技术，都有适用和不适用的场合，都有优势和劣势，但这不是技术的错误，而是我们没有正确的掌握和使用。
最后，对于ROHS指令，我可以负责任的说，X荧光分析技术是非常有效的和实用的，生产过程的检测手段，还没有哪一种分析方法能在无损的情况下，进行如此简单、快速的有害元素的测量。对于连续的、大规模的生产过程，时间的重要性不必多加描述。即使分析精度上达不到几个ppm的水平，但我们总可以控制一个有实际意义的范围，这在生产的管理和质量的控制上是必须的。
至于说仪器几乎没有重现性，这是仪器的质量有问题，不是技术的问题。
个人看法，旨在抛砖引玉。

a) 激发辐射的散射过程将影响样品中元素的特征辐射强度，这是由于散射过程将影响光谱的背景。此外，还存在两个主要的效应：
b) 样品中激发辐射被吸收和由此产生的或由其它元素（基体）发射的荧光辐射。
c) 样品中其它元素的次级激发（增强）。
— 塑料材料：在塑料样品中基体将影响分析物的特征X射线强度，主要来自：
— 初级辐射的散射（主要是不连续的），它对背景光谱有很大的贡献
— 荧光辐射中的吸收，这主要是由PVC中的Cl，添加剂元素如Ca, Ti, Zn, Sn等，及来源于 阻燃剂中的Br 和Sb
— 由Sb, Sn, 和 Br等元素引起的次级激发
— 金属：在金属样品中由初级激发引起的散射并不起重要的作用，基体效应主要是由吸收和次62321/1CD ○C IEC 111/24/CD
级激发引起，对于不同的金属基体这些效应也并不尽相同，下面列出了不同基体中的一些典型的元素：
— Fe 合金: Fe, Cr, Ni, Nb, Mo, W, …
— Al合金: Al, Mg, Si, Cu, Zn, …
— Cu合金: Cu, Zn, Sn, Pb, Mn, Ni, Co, …
— 焊料合金: Pb, Cu, Zn, Sn, Sb, Bi, Ag, ...
— Zn合金: Zn, Al, …
— 贵金属合金: Rh, Pd, Ag, Ir, Pt, Au, Cu, Zn, …
— 电子元器件和印刷电路板：原则上包括聚合物和金属中发生的所有效应。
d) 另外，样品中测试元素的特征谱线的强度会受到其它元素的干扰，典型的干扰如下：
— 镉：可能的干扰来自溴，铅，锡，锑
— 铅：可能的干扰来自溴
— 汞：可能的干扰来自溴，铅，以及样品中高浓度的钙和铁
— 铬：可能的干扰来自氯
— 溴：可能的干扰来自铁及铅
e) 基体效应对检出限（LOD）的影响
表4：一些受控元素基体效应对检出限出限的影响
元素/分析物
纯聚合物
含≥2％Sb，不含Br的聚合物
含≥2％Br，不含Sb的聚合物
镉
A
～A－2A
≥2A
铅
B
～2B
≥3B
注：如果A和B代表纯聚合物中Cd和Pb的检出限LOD，那么复杂基体中的检出限就可以表示为A和B的倍数，如上表5所示。表5提供的信息只作指导用，实际分析元素的检出限要随仪器和测试条件而定。

一般的规则是所有样品应该完全覆盖光谱的测试窗口，聚合物和轻金属如Al、Mg或Ti最小厚度要5mm，液体厚度最小15mm，其它合金最小1mm。细电线和带状电缆的绝缘不能当作均匀的，要先把金属导体抽走再测量。另一方面，所有直径大于5mm的带铜线芯的电源线都可以认为是均匀的

方案是否可行要用实际效果来检验！