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采样深度的选择

nphfm2009

2012/11/24

timstoICPMS版友写的：

最近从书中看到的：冷等离子体分析条件（Rf功率600~900w）下，采样深度要大一些（约13mm），这是因为此时炬管能量较小，样品需要在等离子体内驻留更长的时间，以实现完全离子化。而且多本书中也写到冷等离子体的工作参数：Rf 600~900w，采样深度10~20mm。

timstoICPMS写到采样深度减小（即炬管口更靠近样品锥），灵敏度增高，二价离子的产率也增大。如果与书上写的对应起来，样品在等离子体内驻留的时间应该更短，离子化更不完全，怎么会灵敏度更高呢？

可是

与安捷伦推荐的Rf功率1550w，Smpl Depth 5.0 mm对应起来是有这样的关系：Rf大，采样深度也大；

另我也有做过增大采样深度，CeO/Ce氧化物产率的确会减小，也即离子化更完全了。

timstoICPMS写的与书中写的怎么我都对应不起来啊，感觉有点矛盾了？到底有如何理解这个采样深度与灵敏度，氧化物产率，二价离子的产率的关系啊，谢谢

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阶前尘

第1楼2012/11/27

应助达人

矩管的“火焰”各个部位的离子强度是不一样的，中心部位最大，采样深度越小，接触中心部位的面积就越大，灵敏度越高，也有温度的原因中心部位温度更高，电力效率更高，有些第二电离能不大的元素很容易形成二次电离。

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原天

第2楼2012/11/28

应助达人

感觉这里书上是采样深度的概念的问题。感觉书上是指：进样口到RF圈的距离，别一个是指，矩管口到锥的距离。好像两者是一样的。书上的采样深度的变大，就是 tim所说的采产深度变小。
不知道是不是这样。

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