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  • 【序号】:1
    【作者】:Hua Xu
    【题名】:High performance indium-zinc-oxide thin-film transistors fabricated with a back-channel-etch-technique

    【期刊】:Appl. Phys. Lett.


    【年、卷、期、起止页码】:99, 253501 (2011).

    【全文链接】:http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i25/p253501_s1?isAuthorized=no

    【序号】:2
    【作者】:Linfeng Lan
    【题名】:High-Performance Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors Based on Anodic Aluminum Oxide

    【期刊】:IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES,


    【年、卷、期、起止页码】: 58, 1452, 2011

    【全文链接】:

    【序号】:3
    【作者】:兰林锋
    【题名】:薄膜晶体管及其在有源矩阵有机发光二极管中的应用

    【期刊】:《华南理工大学》博士论文
    【年、卷、期、起止页码】: 2011

    【全文链接】:

    【序号】:4
    【作者】:张立
    【题名】:退火和表面处理对IGZO-TFT性能的影响研究

    【期刊】:《北京交通大学》博士论文
    【年、卷、期、起止页码】: 2012

    【全文链接】:

hstudent 2013/01/11

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dahua1981 2013/01/11

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