【序号】：1 【作者】：Hu, S.M. 【题名】：Defects in silicon substrates 【期刊】：Journal of Vacuum Science and Technology 【年、卷、期、起止页码】：1977;14(1):17-31. 【全文链接】：http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=4952508&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D4952508
【序号】：2 【作者】：S Mil'shtein 【题名】：Dislocation-induced noise in semiconductors 【期刊】： J. Phys.: Condens. Matter 【年、卷、期、起止页码】：2002 14:13387 【全文链接】：http://iopscience.iop.org/0953-8984/14/48/393
【序号】：3 【作者】：Noreika, A.J. 【题名】：Properties of MBE grown InSb and InSb1?xBix 【期刊】：vac.sci.technol.A 【年、卷、期、起止页码】：1983 ;1:558. 【全文链接】：http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=4927816&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D4927816
【序号】：4 【作者】：R Addinall, R Murray, R C Newman, J Wagner, S D Parker, R L Williams, R Droopad, A G DeOliveira, I Ferguson and R A Stradling 【题名】：Local vibrational mode spectroscopy of Si donors and Be acceptors in MBE InAs and InSb studied by infrared absorption and Raman scattering 【期刊】：Semiconductor Science and Technology 【年、卷、期、起止页码】：1991;6:147 【全文链接】：http://iopscience.iop.org/0268-1242/6/3/001
【序号】：5 【作者】：G. M. Williams1, C. R. Whitehouse1, T. Martin1, N. G. Chew1, A. G. Cullis1, T. Ashley1, D. E. Sykes, K. Mackey, and R. H. Williams 【题名】：Molecular‐beam epitaxy of (100) InSb for CdTe/InSb device applications 【期刊】：J. Appl. Phys 【年、卷、期、起止页码】：1988;63:1526
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