【讨论】场效应晶体管传感器的相关问题

场效应晶体管一般都是亚微米级的，或有微米级的。但是这样小的器件就几百个算集成在一起也是肉眼很难看见的。所以场效应晶体管一般都是给出示意图。
上传一个我关于场效应晶体管的图。场效应晶体管的主要构成是这样的：MOS，也就是常说的金－氧－半，主要是通过氧化层使金属和半导体之间形成一个电容，当然这个电容由导线外部联通；另外一个主要的构成部分是掺杂的两个微区以及MOS下面的沟道，注意这个沟道，它是场效应晶体管的关键部分。掺杂的两个微区与外界连线，接在不同电位的接线柱上就形成了源和漏。当金属栅极也就是MOS的M给出一个电压，这样在沟道里就会有电荷的耗散和反型层的形成。这样源和漏直接就会有电流的流动。

场效应晶体管在生物传感器上的应用就是利用生物化学反应产生的电荷作为栅电压，使源和漏之间产生电流。其实是源和漏之间产生电流的话，就说明有被探测物或有生物化学反应。

但是我不知道参比电极是不是绝对的必要？

欢迎各位也加入讨论啊！
不要都潜水

贴两张FET电极实物图：






如这类FET的电极器件，是否栅极，漏极和源极都会引出一条接线？

好贴啊！可惜能不能再详细点？
参比电极应该是必须的，实物图能不能再放大点啊？

发两篇重要文献
isfet1
ISFET2

drophy的资料非常好.谢谢分享.

欢迎你的到来，很高兴认识你！

drophy 发表:发两篇重要文献
isfet1
ISFET2

I want to know if the SCR and MOS are the same device.Could you tell me about that?

谢谢楼上的老师们