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【求助】交流阻抗的电位设置问题

  • zouzijidelu
    2006/09/20
  • 私聊

电化学综合讨论

  • 最近在用交流阻抗研究金沉积过程,遇到一些问题,请教各位:
    1.电位怎么设?
    很多人建议在开路电位或平衡电位下做,可我在开路电位下做的半圆出不来,还有研究金的沉积过程是不是要把电位设在沉积电位以下?还有平衡电位怎么测?
    我的具体情况如下:
    体系的开路电位 在0.6V(VS SCE),金的沉积电位在 0.2V,请问我如何设置电位?
    是不是不断改变电位(开路电位以下),找出一个阻抗曲线(半圆)比较好的电位做?还是在低于0.2v下做?

    2.不同体系的交流阻抗比较
    现要比较两种不同体系的交流阻抗,是不是要控制偏压一样就可以比较了?
    比如说偏压为-0.1V(相对于开路电位)
    具体情况如下:
    体系A: 开路电位 0.6V 金的沉积电位 0.2V
    体系B: 开路电位 0.4V 金的沉积电位 0.1V

    我如何设置比较好?

    请高手赐教!谢谢各位!
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  • zouzijidelu

    第1楼2006/09/22

    没人帮忙吗?
    自己顶下

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  • old fox

    第2楼2006/09/28

    在沉积电位下做实验,可以研究反应的具体细节,然后对比开路电位下的阻抗谱变化,也学会有意外发现吧。呵呵,我也是拷贝的别人的思想,曾经有人是这样研究光电池的。

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  • zouzijidelu

    第3楼2006/09/30

    受教了,最近又进行了一些摸索,在开路电位下,电极表面的变化最小,金属沉积反应很少,而在沉积电位下,有大量的金属沉积,研究的是大量金属沉积过程

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