【转帖】分子束外延生长的优缺点

MBE有许多优点：①由于MBE是在超高真空系统中操作，使用纯度极高的元素材料，所以可以得到高纯度、高性能的外延薄膜；②生长速率低，大约为一微米每小时，可以精确地控制外延层厚度，制造超薄层晶格结构及其它器件；③生长温度低，可避免高温生长引起的杂质扩散，能得到突变的界面杂质分布；④可在生长腔内安装仪器，例如配置四极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。通过这些仪器可以对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量；⑤由于基本能够旋转，保证了外延膜的均匀性。
分子束外延技术使异质结构、量子阱与超晶格得到迅速发展，使器件物理学家和工程师们设计出新的具有“带结构工程”的器件，为晶格失配外延生长开辟了器件制造的新领域。
MBE存在的不足是：表面形态的卵形缺陷，长须状缺陷及多晶生长，难于控制两种以上V族元素，不利于批量生产等。

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