氩离子抛光（CP）技术实际应用举例

氩离子抛光（CP）技术实际应用举例

溅射现象：sputtering phenomenon用具有一定能量的离子束或中性原子束轰击固体，会引起固体表面分子、原子或原子团的次级发射的现象。溅射出的粒子多为中性粒子或分子，少部分为带正、负电荷的离子，称为次级离子。描述溅射现象的主要参量是溅射阀能、溅射产率和溅射速度

平面研磨法是将氩离子束倾斜照射到样品表面，并将氩离子束中心和样品旋转中心进行偏心调整，实现广域加工的方法 。氩离子束的照射角度(θ)可设置为0°～90°4) 。当照射角度≥80°时，离子束照射角度与样品加工面近乎平行，因此，可以减少由于晶体取向和成分蚀刻速率差造成的凹凸不平，形成相对平滑的加工面。这种方法常用于去除机械研磨加工对树脂包埋样品造成的研磨痕迹，实现样品的精加工。照射角度较小时，可以利用蚀刻速率差，凸显样品的凹凸特性。通过样品表面的凹凸形貌，判断多层膜的层结构等。