SRM-EDS分析深度相关文献

这个很简单也很复杂，说简单吧，从深度分布上看，由浅到深依次为：二次电子（10 nm左右），背散射电子（几百 nm到微米级），特征X射线（大几百 nm到微米级）。因为二次电子能量弱只能从表层逃逸，背散射电子分布在更广的深度和范围。但是与X射线比，这两种电子信号容易被样品吸收，故X射线可以来自更深的深度。
说复杂吧，那就是取决于样品和条件。对于轻元素，相较于重元素，背散射电子和X射线的逸出范围更大，如果加速电压高，范围也更大。而且二次电子本身也划分为se1 se2 和se3，se2和se3是背散射电子产生的，结合了背散射电子和二次电子的特征。而且背散射电子中也有低能量损失的背散射电子，它反而产生在近表面层。
以前技术和观念的原因，做能谱往往设置在高加速电压，这样X射线的深度范围较大，空间分辨率不能与电镜成像相比。但是现在，场发射扫描电镜往往希望用低电压，能谱技术的发展也能发挥低加速电压的优势，比如突出表面敏感性和面分布的空间分辨率。所以可以灵活改变电压，控制信号的深度，探测多层材料，当然是微米级内。牛津的软件有这个专门的功能，当然是选配的功能。文献供参考
[1] Peiner E, Hansen K, Schlachetzki A, et al. Thickness control of InP and In0.53 Ga0.47 As thin films by energy-dispersive X-ray spectrometry[J]. Thin Solid Films, 1995,256: 143-147.
[2] Franquet T, Conard M, et al. Thickness and composition measurements of nanoelectronics multilayer thin films by energy dispersive spectroscopy (EDS)[C] J.Phys.: Conf. Ser. 417, 012033 (2013).
[3] Timofeeva T E, Timofeev V B, Popov V I, et al. Estimation of the thickness of graphite nanofilm on a silicon substrate by using energy dispersive X-ray analysis data[J]. Nanotechnologies in Russia, 2016, 11(7): 454-460.
[4] Canli Sedat. THICKNESS ANALYSIS OF THIN FILMS BY ENERGY DISPERSIVE X-RAY SPECTROSCOPY[D].中东科技大学，2010
如果你感兴趣，可以买《扫描电镜与显微分析的原理、技术与进展》，这是我写的，觉得分析比较全面