【求助】（已应助）工作需要，求助几篇文献（决不是病毒）

你直接贴上来就成了
不要用附件上传的形式
这样还需要斑竹验证
耽搁你的需求速度

LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流的动力学研究
Study on Dynamics of Gas Reactant Flux in LP-MOCVD Growth of InGaAlP
文尚胜，范广涵，廖常俊，刘颂豪
半导体光电，2000年 06期

LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流的动力学研究

中国电子气体的现状及发展走向
The Present And Trend of Electronic Gases in China
孙福楠，韩美，陈晓惠，王秋娥，林刚，田波，梁玉
低温与特气，2004年 06期

中国电子气体的现状及发展走向

聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究
Deep Etching of Polyimide by O_2.based Reactive Ion Etching (RIE)
钱建国; 章吉良; 张明生; 郭晓芸; 毛海平; 倪智平
微细加工技术，2000年 03期

聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究

其他的找到了，但没有下载权限
或者在CNKI上根本找不到
我无能为力了



帮你贴出来，供大家帮助方便

2、MOCVD用MO源的发展概况和研究方法
作者：曾德辉等
期刊《低温与特气》1990年第1期

4、采用SF6+O2反应离子刻聚酰亚胺膜
作者：孙承龙
期刊《应用科学学报》Vol 11 No1

5、聚酰亚胺膜的反应离子刻蚀工艺研究
作者：孙承龙等
期刊《科技通讯（上海）》1992年NO 1

6、聚酰亚胺电容式湿度传感器的研制及改进
作者：曾欢欢等
期刊《中国机械工程》2005年Z1期

7、薄膜MCM-D中多层布线技术
作者：潘结斌
期刊《集成电路通讯》Vol 21 No3 10-13页

都是人才呀

文献太老了。。。。

聚酰亚胺膜的反应离子刻蚀工艺研究
MOCVD用MO源的发展概况和研究方法
采用SF6＋O2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜
薄膜MCM－D中多层布线技术

还有一篇在期刊网上找不到

不过希望你以后将需要的文献直接贴上来，便于查看。大家都很忙的。
不要用附件上传的形式