半导体器件中晶体管的形成方法.pdf

一种用于形成半导体器件中的晶体管的方法，包括步骤：形成具有第一和第二导电类型的通道层，进行高温热处理以形成稳定通道层，并通过生长未掺杂硅外延层形成一具有超陡逆分布δ－掺杂的外延通道，利用氢处理已获得的结构的整个表面，通过在稳定通道层上生长未掺杂硅外延层形成一外延通道结构，在外延通道结构上形成栅极绝缘膜和栅极电极，再氧化该栅极绝缘膜以修复该栅极绝缘膜的损伤部分；以及形成源/漏区并进行一低温热处理。