方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | |
参考标准 | 无 |
高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积(ALD)技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺,提高了器件的能效。
Power Semiconductors 制造解决方案
高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积(ALD)技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺,提高了器件的能效。ALD 工艺通过出色的钝化减少了 GaN/AlGaN 器件中的阈值电压漂移。
通过牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优越。
半导体激光器制造解决方案
高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。牛津仪器通过原子层沉积 (ALD) 技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺,提高了器件的能效。 ALD 工艺通过出色的钝化减少了GaN/AlGaN 器件中的阈值电压漂移。
牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优越。
激光器应用广泛,包括提升通信速度、通过 LiDAR 实现自动驾驶等。长期以来,牛津仪器一直从事激光二极管 III-V 材料的工艺研发,例如:AIGaN 和 InP 等材料。无论何种材料,最终的过程控制都至关重要。
一文了解 EDS 能谱技术发展历程
应用分享|红外辐射全无惧——牛津仪器新型高温 EDS / EBSD 助力原位分析
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