Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均匀性 | ±5% | |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
样品台 | 直接冷却,水冷 | |
离子源 | Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
离子源型号 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求
3. 硅片刻蚀率 20 nm/min
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
德国普发 Pfeiffer 售后维修保养
Pfeiffer 普发分子泵组 HiCube 80 Eco 现货促销
上海伯东代理 Pfeiffer 普发检漏仪维修保养服务
普发Pfeiffer分子泵维修 | 分子泵启动不了或刚一启动就报警,怎么解决
相关产品
inTEST 热流仪 5G 通讯模块高低温冲击测试
聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性设备
气体和液体过滤介质用低压等离子表面处理设备
微控制器 MCU 芯片高低温测试机,美国 inTEST 热流仪
美国 inTEST 汽车芯片用高低温测试机,热流仪
功率器件高低温冲击测试机,美国 inTEST 热流仪
PMMA 亚克力板等离子表面活化机
IBF 离子束抛光工艺用考夫曼离子源
IBAD 辅助镀膜用考夫曼离子源
LED-DBR 辅助镀膜用离子源
上海伯东美国 KRi 大面积射频离子源 RFICP 380
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 ,霍尔源eH 2000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
KRI 霍尔离子源, 霍尔源,eH 400
关注
拨打电话
留言咨询