AT650P 等离子体增强原子层沉积系统
特点
1、台式等离子体ALD系统，占地面积小（宽38.1厘米，高96.5厘米）；
2、紧凑、高效、远程式300瓦ICP源；
3、集成匹配网络；
4、可容纳直径为6英寸的样品，可定制托盘；
5、带有40°C - 400°C的加热样品架的铝制腔室；
6、3种有机金属前体可加热到185°C，另外一种可在标准条件下加热；
7、多达4个氧化剂/还原剂源，每个都有超快的MFC控制（2个标准）；
8、高温兼容的快速脉冲ALD阀，带有一个超快的MFC并集成惰性气体吹扫；
9、静态处理模式可实现高曝光；
技术参数
1、基板温度从室温到400℃±1℃；前体温度（带加热套）从室温到185℃±2℃；
2、占地面积小（15″×15″），台式安装，完全兼容无尘室；
3、系统维护简单，成本低；
4、流线型腔体设计，腔体体积小；
5、具有快速循环能力和高曝光、深渗透处理能力；
6、完整的硬件和软件联锁功能，即使在多用户环境中也能安全运行；
可选项
1、定制托盘/压板；
2、QCM (石英晶体微天平)；
3、最多可增加2条MFC控制；
4、可选4个加热的前驱体（185°C）；
5、外部控制-电脑/软件连接（允许远程编程和运行）；
6、高于标准压力范围；
软件
1、带有10英寸触摸屏的人机界面（HMI）PLC系统面板；
2、先进的过程控制，适用于沉积标准ALD循环，以及纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜；
3、拥有高质量、经过测试的工艺配方数据库；
4、可自定义配方；
5、实时显示工艺状态；
6、可单独编程加热源温度；
7、拥有三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列；
8、输入子周期和总周期；
AT650T 台式热原子层沉积系统
特点
√ 台式等离子体ALD系统，占地面积小（宽15英寸，深15英寸）；
√ 可容纳直径为6英寸的样品，可定制托盘；
√ 可在现场升级为等离子体；
√ 带有40°C - 400°C的加热样品架的铝制腔室；
√ 3种有机金属前体可加热到185°C，另外一种可在标准条件下加热；
√ 多达4个氧化剂/还原剂源，每个都有超快的MFC控制（2个标准）；
√ 高温兼容的快速脉冲ALD阀，带有一个超快的MFC并集成惰性气体吹扫；
√ 静态处理模式可实现高曝光；
* 可升级至4个，全部加热至185℃。
技术参数
√ 基板温度从室温到400℃±1℃；前体温度（带加热套）从室温到185℃±2℃；
√ 占地面积小（15″×15″），台式安装，完全兼容无尘室；
√ 系统维护简单，成本低；
√ 流线型腔体设计，腔体体积小；
√ 具有快速循环能力和高曝光、深渗透处理能力；
√ 完整的硬件和软件联锁功能，即使在多用户环境中也能安全运行；
可选项
√ 等离子体升级；
√ 定制托盘/压板；
√ ATOzone - 臭氧发生器（某些薄膜需要：铂、铁、二氧化硅、二氧化钼、低于60°C的高质量Al2O3、高质量HfO2)
√ QCM (石英晶体微天平)
√ 最多可增加2条MFC控制；
√ 可选4个加热的前驱体（185°C）；
√ 外部控制-电脑/软件连接（允许远程编程和运行）；
√ 高于标准压力范围；
软件
√ 带有10英寸触摸屏的人机界面（HMI）PLC系统面板；
√ 先进的过程控制，适用于沉积标准ALD循环，以及纳米层压板、掺杂薄膜和三元薄膜；
√ 拥有高质量、经过测试的工艺配方数据库；
√ 可自定义配方；
√ 实时显示工艺状态；
√ 可单独编程加热源温度；
√ 拥有三元化合物和纳米层压板的内置脉冲序列；
√ 输入子周期和总周期；
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