方案摘要
方案下载| 应用领域 | 电子/电气 |
| 检测样本 | 电子元器件产品 |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | 薄膜叠层厚度测量、高反射镀铝镜 |
介绍了在电介质和半导体薄膜叠层的情况下测量薄膜厚度的WLRS。所有的测量都是在400-1000nm光谱范围内用fr-basic进行的。反射探头的有效光斑直径为1毫米。样品为Si3N4/SiO2、聚Si/Si3N4/SiO2、PMMA/聚Si/Si3N4/SiO2组成的Si晶圆。在所有测量中，使用高反射镀铝镜（NT01-913-533，Edmund光学）进行参考测量。
白光反射光谱法（WLRS）测量薄膜叠层厚度
目标：精确测量由4层组成的叠层中的薄膜厚度。
方法和方法：介绍了在电介质和半导体薄膜叠层的情况下测量薄膜厚度的WLRS。所有的测量都是在400-1000nm光谱范围内用fr-basic进行的。反射探头的有效光斑直径为1毫米。样品为Si3N4/SiO2、聚Si/Si3N4/SiO2、PMMA/聚Si/Si3N4/SiO2组成的Si晶圆。在所有测量中，使用高反射镀铝镜（NT01-913-533，Edmund光学）进行参考测量。
结果：在图1中，显示了Si3N4/SiO2叠层在Si晶片上的反射光谱。计算厚度：SiO2为576.63nm，Si3N4为127.78nm。在图2中，显示了在Si上的聚Si/Si3N4/SiO2叠层的反射光谱。计算厚度：SiO2为578.45nm，Si3N4为144.77nm，多晶Si为114.82nm。在图3中，显示了PMMA/聚-Si/Si3N4/SiO2叠层（4层）在Si上的反射光谱。计算厚度：SiO2为575.22nm，Si3N4为147.57nm，多晶Si为115.73nm，PMMA为132.38nm。在所有情况下，在不知道膜厚度的情况下，同时计算每个膜的单独厚度。在所有情况下，计算的薄膜厚度与光谱椭圆偏振法得到的值非常一致（<1%的差异）。
结论：至少4层厚度可同时计算。
FR的工具基于白光反射光谱(Reports) 。
准确同步的厚度测量及薄膜的折射率
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