半导体晶圆片和晶锭的电阻率测量

弗莱贝格仪器（上海）有限公司

2021/03/17 14:25

电阻率是材料最重要的电参数之一。它是半导体器件(如太阳能电池)性能的关键参数，并取决于材料的掺杂密度。因此，为了检测掺杂密度的不均匀性，需要对电阻率进行高精度、高分辨率的测量。

使用德国freiberg MDPmap和MDPingot，可以通过涡流测量高精度和分辨率为1毫米的方式来测量晶圆片或晶块的电阻率。由于距离相关的内部校准矩阵，涡流传感器有一个非常好的长期稳定性。因此，每一个电阻率图都是测量表面平坦度的几何图。电阻率可与少数载流子寿命和光电导率图同时测量。在进行晶圆测量时，需要用户提供样品的厚度。

● 步径≥1mm

● 边缘：12mm

● 电阻率片厚度：150-250µm

● 可指定电阻率范围

● 默认设置：0.5-5 Ohm cm

● 准确度：< 5%

● 重复性：< 1%(范围从0.5-3 Ohm cm)

为了研究发射极扩散的均匀性，有可能绘制出发射极的方阻。基础的电阻率由用户给出。

● 方阻测量范围是0.1-200 Ohm/sq。

● 在标准样本量下的准确度，

● 0.1-10 Ohm/sq: < 3 % accuracy

● 10-100 Ohm/sq: < 4 % accuracy