方案摘要
方案下载| 应用领域 | 电子/电气 |
| 检测样本 | 电子元器件产品 |
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| 参考标准 | 企业标准 |
ME-L系列椭偏仪非常适用于纳米级光栅的结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息的测量与分析，并能快速一次性完成其多个重要参数测量。同时支持定制化整合于工艺流程实现实时在线监测，大幅度提升企业的整合生产效率。
行业背景
IC设计（Integrated Circuit Design）称为集成电路设计，是运用专业的逻辑和电路设计技术设计集成电路。根据世界半导体贸易组织（WSTS），2014年全球IC /半导体销售额达到3,254亿美元，同比增长6.48%，2015年销售额达到3610亿美元，增长率为25%。预计未来五年仍是IC设计行业高速发展的黄金时期。
面临挑战
IC纳米制程工艺中，集成电路的精细度高，也就是说精度越高，生产工艺越先进。在处理器内部集成更多的晶体管后，可实现更多的功能和更高的性能，直接降低了处理器的生产成本，减少处理器的功耗。但随着集成电路中的工艺节点越来越小，关键尺寸测量也同时面临越来越大的挑战。这样如何测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息显得尤为重要。
解决方案
ME-L系列穆勒椭偏仪根据测量到椭偏参数（Ψ ：振幅比，△：相位差），通过内置数百个光学模型进行拟合可一次性测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息。
1.建立光学模型
2.建立光学模型
客户价值
ME-L系列椭偏仪非常适用于纳米级光栅的结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息的测量与分析，并能快速一次性完成其多个重要参数测量。同时支持定制化整合于工艺流程实现实时在线监测，大幅度提升企业的整合生产效率。
关联产品与配置
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| ME-L穆勒矩阵椭偏仪 |
文献贡献者
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