12英寸单片减压硅外延系统

12英寸单片减压硅外延系统

参考价:面议
型号: Hesper I E430R
产地: 北京
品牌: 北方华创
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产品详情

1. 产品概述

Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统,优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能。

2. 设备用途/原理

Hesper I E430R 12英寸单片减压硅外延系统优异的气流场和加热场设计提供优良的工艺性能高效传输设计,可提高产能单、双、四腔兼容设计,可满足不同客户需求

3. 设备特点

晶圆尺寸 12 英寸适用材料 适用工艺 埋层外延、选择性外延 、多晶外延适用域 科研、集成电路百科知识;‌减压硅外延系统的工作原理主要涉及在氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上,利用减压(200~250乇)工艺在980~1000℃的温度下生长出高质量的外延层。‌这一过程不仅优化了外延层的生长条件,还显著提高了外延层的结晶质量。具体来说,通过减压工艺,可以减小衬底-外延层界面的掺杂浓度过渡区,从常压时的1.0μm减小到0.4μm,同时电阻率和厚度的不均匀性分别小于5%和4%。


深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供北方华创12英寸单片减压硅外延系统Hesper I E430R ,北方华创Hesper I E430R 产地为北京,属于国产外延系统,除了12英寸单片减压硅外延系统的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多外延系统,客服电话,售前、售后均可联系。

售后服务
  • 产品货期: 60天
  • 培训服务: 安装调试现场免费培训

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