化学气相沉积等离子体CVD系统

化学气相沉积等离子体CVD系统

参考价:面议
型号: PD-220N
产地: 日本
品牌: SAMCO
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等离子体增强型CVD设备 PD-220N

研究开发用等离子体CVD设备

概要

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产,它的应用范围很广。

主要特点和优点

  • 可在ø8英寸晶圆上沉积
    尽管设计紧凑,但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。

  • TEOS-SiO2成膜系统可扩展
    可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)

应用

  • 各种硅基薄膜的形成
    可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

  • 选项

  • 可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。


深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供SAMCO化学气相沉积等离子体CVD系统PD-220N,SAMCOPD-220N产地为日本,属于进口化学气相沉积设备,除了化学气相沉积等离子体CVD系统的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多化学气相沉积设备,客服电话400-860-5168转5919,售前、售后均可联系。

售后服务
  • 产品货期: 60天
  • 培训服务: 安装调试现场免费培训

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