SiC分子外延系统

SiC分子外延系统

参考价:面议
型号: Epiluvac ER3-C1
产地: 美国
品牌: VEECO
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Epiluvac ER3-C1

晶圆直径可达 200 mm (8“)

通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性

先进的动态气体流量控制,可实现佳生长速率和掺杂均匀性。

具有多个加热区的出色温度曲线

不含石英,适用于氯化工艺

在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命

模块化设计,两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化

在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输

高达 1800 °C

适用于中小批量生产和研发

 

Epiluvac EPI 1000-C

热壁 CVD 具有出色的均匀性

150 mm 基板直径

单晶圆和手动装载

非常适合研发

 

Epiluvac ER3-N1

上述ER3-C1系统的GaN版本

可选的原位监测

获得利的温度控制,可大限度地减少晶圆弯曲

卓越的工艺效果

 

Epiluvac ER3-C1

晶圆直径可达 200 mm (8“)

通过热壁拓扑结构实现出色的均匀性

先进的动态气体流量控制,可实现佳生长速率和掺杂均匀性。

具有多个加热区的出色温度曲线

不含石英,适用于氯化工艺

在清洁的惰性气氛中进行热晶圆装载/卸载可大限度地减少颗粒污染并延长石墨部件的使用寿命

模块化设计,两个、三个或四个反应器组成集群配置。每个反应器都针对特定的生长步骤进行了优化

在受控环境中在反应器之间进行晶圆运输

高达 1800 °C

适用于中小批量生产和研发

 

Epiluvac EPI 1000-C

热壁 CVD 具有出色的均匀性

150 mm 基板直径

单晶圆和手动装载

非常适合研发

 

Epiluvac ER3-N1

上述ER3-C1系统的GaN版本

可选的原位监测

获得利的温度控制,可大限度地减少晶圆弯曲

卓越的工艺效果


深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供VEECOSiC分子外延系统Epiluvac ER3-C1,VEECOEpiluvac ER3-C1产地为美国,属于外延系统,除了SiC分子外延系统的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多外延系统,客服电话,售前、售后均可联系。

售后服务
  • 产品货期: 60天
  • 培训服务: 安装调试现场免费培训

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