| 型号： | FZ-14 |
| 产地： | 美国 |
| 品牌： | PVA Tepla |
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FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。
产品数据概览:
材料：硅
晶体
晶体 1,100 mm
晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)
晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar
极限真空度： 0.5 bar(g)
发电机
输出电压： 30 kW
频率： 2.4 MHz
上轴
进料速度： 最高30 mm/min
上部旋转： 最高35 rpm
下轴
拉动速度： 最高 30 mm/min
下部旋转： 最高 30 rpm
尺寸规格
高度 6,280 mm
宽度： 2,750 mm
深度： 3,000 mm
重量（总）： 约 4,900 kg
区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。
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