粤芯半导体“半导体结构及其制备方法”专利公布

天眼查显示，粤芯半导体技术股份有限公司“半导体结构及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118380405A。

背景技术

模拟电路中常见的噪声类型包括电阻热噪声、KT/C噪声、MOS管热噪声和闪烁噪声。其中，闪烁噪声形成后的原因是在硅晶体与氧化层的界面处出现了许多悬挂键，当电荷载流子流过这里的时候一部分会被俘获后又释放，使电流产生了不规则的起伏。传统工艺对MOS器件的闪烁噪声优化效果不理想。

发明内容

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供初始半导体结构；所述初始半导体结构包括衬底以及位于所述衬底上的栅极结构，其中，所述衬底包括漂移区，所述栅极结构覆盖部分所述漂移区；于所述衬底内形成沟道区，所述沟道区包括第一离子注入区和第二离子注入区；所述第一离子注入区的离子注入类型与所述第二离子注入区的离子注入类型相反；所述栅极结构覆盖至少部分所述沟道区；于所述漂移区内形成漏区；于所述第二离子注入区内形成源区。在形成沟道区时增加了一道第一离子注入工序，可以避免表面沟道产生，减少导通饱和时载流子被硅晶体与氧化层的截面捕获而导致电流无规则起伏的现象发生，降低了闪烁噪声。