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薄膜沉积系统PICOSUN™R-200高级型 介绍：
PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。
薄膜沉积系统PICOSUN™R-200高级型 优势：
PICOSUN™ R-200高级型ALD系统是ALD科研设备市场的领导者，在全球拥有百用户。它已经成为一些创新公司和研究机构的必备研发工具。
灵活的设计确保沉积高质量的ALD薄膜，超灵活的系统配置也能满足用户未来的需求和应用。专利的热壁设计、完全独立的前驱体管路和特殊的载气设计，使得无颗粒沉积广泛应用于平面晶圆、3D基片和所有纳米尺度的材料。即使在最具挑战性的多孔材料、超高深宽比和纳米颗粒表面沉积，系统都能实现极好的均匀性，这些都归功于我们的专利技术Picoflow™。Picosun™R-200高级型系统配备功能强大和易于更换的液体、气体和固体前驱体源。高效率和拥有专利的远程等离子选项可以沉积金属而不发生短路，不存在等离子体损坏的危险。系统可集成手套箱，超高真空系统、手动或半自动加载系统，集群系统，粉末反应腔，卷对卷反应腔和各种在线分析系统，使您的研究变得高效和灵活。即使将来您改变研究领域，它依就会是您最好的帮手！
薄膜沉积系统PICOSUN™R-200高级型 技术参数：
衬底尺寸和类型 | 50-200 mm/片 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底 粉末与颗粒 小批量 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品（最高可达 1:2500） |
| 工艺温度 | 50 – 500°C，，等离子450°C (650 °C加热盘可定制) |
沉积材料 | Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2,AlN, TiN, 以及金 属 Pt 或者 Ir |
基片加载 | 气动升降，手动装载 预真空室安装磁力操作机械手（Load lock） 半自动机械装置 集群系统的批量装载（Cassette-to-cassette） |
| 前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源、等离子体 6根独立源管线，最多加载12个前驱体源（加上Plasma管路，共7 根独立源线） |
| 选件 | 集群工具，PICOFLOW™扩散增强器，roll-toroll腔室、超高真空 兼容、RGA、N2发生器、尾气处理器、定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载） |
| 用户单位 | 采购时间 |
|---|---|
| 国家纳米中心 | 2009-11-25 |
| 上海技术物理所 | 2009-12-02 |
| 西安电子科技大学 | 2009-07-02 |
| 华东师范大学 | 2007-10-10 |
| 华南理工大学 | 2008-07-05 |
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