1/1

InP上镀InGaAs薄膜

报价 面议

品牌

合肥科晶

型号

InP上镀InGaAs薄膜

产地

中国大陆安徽

应用领域

暂无

 

产品名称:

InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)

常规尺寸:

dia 2;单抛

标准包装:

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

InP晶向:

<100>±0.5°with one flat 

InP掺杂类型:

不掺杂

InP尺寸:

dia 2inch x 0.35mm ±25um

Nc:

< 1E16/cc

EPD:

<1E4

薄膜参数:

In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

薄膜厚度:

1.0 um (+/- 5%)

抛光情况:

单抛

表面粗擦度:

Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)

查看全部
发布心得活动

暂无评论,点击发布评论

InP上镀InGaAs薄膜信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于InP上镀InGaAs薄膜报价、型号、参数等信息,合肥科晶客服电话:400-860-5168转2205,欢迎来电或留言咨询。

相关产品