仪器对比
关注
产品名称： | |
产品简介： | |
技术参数： | Device layer：直径:6" 类型：P 型掺B 晶向：<100>+/10 degree toward <111> 厚度:50 nm +/- 3% 电阻率:corresponding to 1E18 /cc 边取:<111> 抛光:单抛 Buried Thermal Oxide:厚度:100nm Handle wafer:掺杂类型:P 型掺B 晶向:<100> 电阻率:5-20 ohm-cm 厚度:625 +/- 15 um 抛光:As-received (not polished)
|
| 产品规格： | dia6" |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
合肥科晶仪表元件进口GOI (Ge on insulator)的工作原理介绍仪表元件进口GOI (Ge on insulator)的使用方法?合肥科晶进口GOI (Ge on insulator)多少钱一台?仪表元件进口GOI (Ge on insulator)可以检测什么？仪表元件进口GOI (Ge on insulator)使用的注意事项？合肥科晶进口GOI (Ge on insulator)的说明书有吗？合肥科晶仪表元件进口GOI (Ge on insulator)的操作规程有吗？合肥科晶仪表元件进口GOI (Ge on insulator)报价含票含运吗？合肥科晶进口GOI (Ge on insulator)有现货吗？
进口GOI (Ge on insulator)信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供，如您想了解更多关于进口GOI (Ge on insulator)报价、型号、参数等信息，合肥科晶客服电话：400-860-5168转2205，欢迎来电或留言咨询。
相关产品
