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产品名称： | 氮化镓(GaN)薄膜 |
| 产品简介： | 氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化镓单晶基板。
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技术参数：
| 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 注：可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。 产品定位C轴<0001>±1° 传导类型N型；半绝缘型；P型 电阻率R<0.05 Ohm-cm；半绝缘型R>106 Ohm-cm 位错密度<1x108 Cm-2 表面处理(镓面)AS Grown 有效值<1nm 可用表面积>90% |
标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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