美国Laurell湿法刻蚀显影机EDC-650Mz-23NPP
报价 ¥10万 - 30万
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用于半导体、化工材料、硅片、晶片、导电玻璃等工艺，光刻胶显影, 显影后清洗,光刻胶去除, 金属剥离处理 ,刻蚀微刻蚀处理
马达转速：0-12,000rpm
Wafer&芯片：直径6英寸（150毫米）的晶圆片或者5x5英寸（125毫米）的方片
湿法刻蚀显影机
Wet Etcher/Developer
EDC650系列
一、产品概述：
650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺，制版的表面显影。一般匀胶显影机由动力系统、显影液槽及喷液管、水洗槽、挤压 (水)辊、涂胶槽等部分组成。
二、匀胶显影机工作原理：
显影系统具有可编程阀，它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行，如冲洗（通常是去离子水或溶剂），然后干燥（通常是氮气）等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在完全干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。
三、适用工艺（包括但不限于下述湿法制程）
光刻胶显影（KrF/ArF）
SU8厚胶显影
显影后清洗
PostCMP清洗
光罩去胶清洗
光刻胶去除
金属Lift-off处理
刻蚀微刻蚀处理
四、匀胶显影机主要性能指标：
1、腔体尺寸：9.5英寸 (241 毫米)；
2、Wafer&芯片：直径6英寸（150毫米）的晶圆片或者5x5英寸（125毫米）的方片；
3、非真空托盘：聚丙烯材质非真空托盘，可承载2、3英寸及150毫米的晶圆片-并带有背面清洗功能；
3、转动速度：0-12,000rpm，
5、马达旋涂转速：稳定性能误差 < ±1%；
6、工艺时间设定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；
7、高精度数码控制器：PLC控制，设置点精度小于0.006%；
8、程序控制：可存储20个程序段，每个程序段可以设置51步不同的速度状态；
9、分辨率：分辨率小于0.5转/分，可重复性小于±0.5转/分，美国国家标准技术研究院（NIST）认证过的，并且无需再校准！]
10、腔体开关盖板：透明ECTFE材质圆顶盖板，便于实时进行可视化操作；
11、腔体材质说明：用聚丙烯材质制成的带有联动传感触点的合瓣式舱体；
12、配套分析软件：SPIN3000操作分析软件；
13、配套真空泵系统：无油型 220~240伏交流，50/60赫兹；
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MC方案：用于MEMS应用的悬浮式活性硅膜厚度测量半导体 2020-03-10
1年
否
无
1次线上培训
无
因产品质量问题免费保修（各种消耗品除外），仪器提供全面维护，使之处于正常工作状态
产品质保期内本公司提供36小时内的维修服务响应（除节假日外），以最快的速度派遣
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