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正电子湮没寿命谱仪 正电子显微镜PALS

报价 ¥85万

品牌

暂无

型号

hexin

产地

中国大陆安徽

应用领域

共1个

正电子湮没寿命谱仪/正电子寿命皮秒定时系统

positron annihilation lifetime

产品简介

  放射源发射出高能正电子射入物质中后,首先在极短时间内(约10-12ps以下)通过一系列非弹性碰撞减速,损失绝大部分能量至热能,这一过程称为注入与热化。热化后的正电子将在样品中进行无规扩散热运动,晶格中空位、位错等缺陷往往带有等效负电荷,由于库仑引力 正电子容易被这些缺陷捕获而停止扩散,并将在物质内部与电子发生湮没。从正电子射入物质到发生湮没所经历的时间一般称为正电子寿命。由于湮没是随机的,正电子湮没寿命只能从大量湮没事件统计得出。
 

正电子寿命谱仪

性能特点

正电子湮没技术对材料的结构相变和原子尺度的缺陷极为敏感,已经成为研究物质微观结构和电子结构的无损的探测分析手段。正电子湮没作为微观分析技术一种,其主要研究范围在于针对原子尺寸的微结构和缺陷。与通常的微观结构分析如STMSEMTEM等技术相比,正电子湮没技术不仅可以提供缺陷的尺寸信息、相变信息,而且可以提供缺陷随深度分布的信息,能够深入的分析材料的电子结构以及正电子湮没处的化学环境等,弥补了其他微观探测技术的不足,具有不可替代性。

 

应用领域

1.金属材料的形变、疲劳、淬火、辐照、掺杂、氢损伤等在材料中造成的空位、位错、空位团等缺陷以及研究这些缺陷的退火效应。

2.材料中相变过程,如合金中的沉淀现象、马氏体相变、非晶态材料中的晶化过程、离子固体中的相变、液晶及其他高分子材料,聚合物中的相变凝聚态物理等

3.研究固体的能带结构、费米面、空位形成能等

4.研究材料的表面和表层结构和缺陷。

 

技术优势

1.他对样品材料的种类几乎没有什么限制,可以是固体、液体或气体,可以是金属、半导体、绝缘体或高分子材料,可以是单晶、多晶或液晶等,适用于凡是与材料的电子密度及动量有关的问题。

2.对样品温度没有限制,可以跨越材料的熔点或凝固点,而信息又是通过贯穿能力很强的γ射线携带而来,因此可以对样品做高低温的动态原位测量,测量时可施加电场、磁场、高气压、真空等特殊环境。

3.研究样品中原子尺度的缺陷,如晶格中缺少一个或多个原子的缺陷,这些缺陷在电镜、X衍射中研究颇为困难。


技术参数

1.时间分辨率<=120ps

2.计数率>1000cps,可自动计数

3.自动能窗调节

4.高压漂移,自动修正

5.数据文件无需修改格式,可直接解谱

6.小巧台式,安装环境要求低


此外可提供正电子湮没辐射角关联、多普勒展宽谱、慢化正电子谱仪。




售后服务

1年

1

1年2次

按国家规定

按国家规定

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