仪器对比
关注
正电子湮没寿命谱仪/正电子寿命皮秒定时系统
positron annihilation lifetime
产品简介
放射源发射出高能正电子射入物质中后，首先在极短时间内（约10-12ps以下）通过一系列非弹性碰撞减速，损失绝大部分能量至热能，这一过程称为注入与热化。热化后的正电子将在样品中进行无规扩散热运动，晶格中空位、位错等缺陷往往带有等效负电荷，由于库仑引力 正电子容易被这些缺陷捕获而停止扩散，并将在物质内部与电子发生湮没。从正电子射入物质到发生湮没所经历的时间一般称为正电子寿命。由于湮没是随机的，正电子湮没寿命只能从大量湮没事件统计得出。
正电子寿命谱仪
性能特点
正电子湮没技术对材料的结构相变和原子尺度的缺陷极为敏感，已经成为研究物质微观结构和电子结构的无损的探测分析手段。正电子湮没作为微观分析技术一种，其主要研究范围在于针对原子尺寸的微结构和缺陷。与通常的微观结构分析如STM、SEM、TEM等技术相比，正电子湮没技术不仅可以提供缺陷的尺寸信息、相变信息，而且可以提供缺陷随深度分布的信息，能够深入的分析材料的电子结构以及正电子湮没处的化学环境等，弥补了其他微观探测技术的不足，具有不可替代性。
应用领域
1.金属材料的形变、疲劳、淬火、辐照、掺杂、氢损伤等在材料中造成的空位、位错、空位团等缺陷以及研究这些缺陷的退火效应。
2.材料中相变过程，如合金中的沉淀现象、马氏体相变、非晶态材料中的晶化过程、离子固体中的相变、液晶及其他高分子材料，聚合物中的相变，凝聚态物理等
3.研究固体的能带结构、费米面、空位形成能等
4.研究材料的表面和表层结构和缺陷。
技术优势
1.他对样品材料的种类几乎没有什么限制，可以是固体、液体或气体，可以是金属、半导体、绝缘体或高分子材料，可以是单晶、多晶或液晶等，适用于凡是与材料的电子密度及动量有关的问题。
2.对样品温度没有限制，可以跨越材料的熔点或凝固点，而信息又是通过贯穿能力很强的γ射线携带而来，因此可以对样品做高低温的动态原位测量，测量时可施加电场、磁场、高气压、真空等特殊环境。
3.研究样品中原子尺度的缺陷，如晶格中缺少一个或多个原子的缺陷，这些缺陷在电镜、X衍射中研究颇为困难。
技术参数
1.时间分辨率<=120ps
2.计数率>1000cps，可自动计数
3.自动能窗调节
4.高压漂移，自动修正
5.数据文件无需修改格式，可直接解谱
6.小巧台式，安装环境要求低
此外可提供正电子湮没辐射角关联、多普勒展宽谱、慢化正电子谱仪。
-
正电子湮没谱 半导体高分子 内部深度缺陷检测电子/电气 2021-11-11
1年
是
无
1
1年2次
按国家规定
按国家规定
相关产品
