仪器对比
关注
产品说明
垂直腔面发射激光器阵列芯片（SLD）是边发射半导体光源。垂直腔面发射激光器阵列芯片（SLD）的独特特性是与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。超辐射发光二极管（SLD）在几何形状上与激光器类似，但是没有内置的LD反射机制用于受激发射以实现激光。与LD相比，超辐射发光二极管（SLD）操作的主要区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。超辐射发光二极管（SLD）具有与LED相似的结构特征，通过降低刻面的反射率来抑制激光作用。超辐射发光二极管（SLD）本质上是高度优化的LED。虽然超发光二极管（SLD）像低电流水平的LED一样工作，但是它们的输出功率在高电流下也是超线性地增加。
产品特点：
· 中心波长：750-1640nm
· 典型3dB带宽：10-110nm
· 典型输出功率：0.2-45mW
· 典型波纹：0.1-1dB
产品参数：
中心波长(nm) | 光谱宽度(nm) | 输出功率(W) | 孔距(um) | 数组大小(um) | 型号 |
905 | <10 | 35 | 122 x 122 | 2440 x 2430 | |
940 | <10 | 35 | 122 x 122 | 2440 x 2430 |
365天
1年
额外提供免费培训
到货后1天内
22小时内
是
1天内
是
30天
1年
是
是
是
是
是
是
先付款后维修
维修手册
不支持
相关产品
