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深硅蚀刻设备 RIE-800BCT
行业领先的性能
概要
RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。
这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性。
主要特点和优点
MEMS量产中的高速蚀刻
量产中的高宽比蚀刻
扇贝的控制/无扇贝的非波西法流程
倾斜控制，均匀性好
用于绝缘体硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脉冲。
扩展流程
应用
制造MEMS（加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）。
喷墨打印头的加工
形成通硅孔(TSV)
功率器件（超结MOSFET）的制造。
等离子切割
售后服务
60天
1年
安装调试现场免费培训
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