仪器对比
关注
- 可达到 1.6
- 1 个写入字段
- 0.1 µm
- 支持多层工艺
- 400 µm x 400 µm
光掩模光刻可以随意进行纳米图案化，而不需要 缓慢且昂贵的光掩模。 这种便利对于研究和快速 原型制作特别有用。 POLOS® Beam 在不影响 性能的情况下将其带到桌面上，从而补充了现有 的优势。
光束引擎将紫外激光束聚焦成衍射限制点，并扫描该点以曝光光刻胶上的任意图案。为了曝光大的晶圆片，精密步进机移动晶圆片，并允许多次曝光缝合。Beam Engine能够在5”晶圆上产生小于（CD）0.8 µm的特征。
小巧的
全功能无掩模光刻，比台式电脑还小。
强大的
亚微米分辨率，同时在不到两秒的时间内暴露写入字段。
超快自动对焦
压电致动器与我们的闭环聚焦光学器件相结合，可在不到一秒的时间内达到聚焦。
隐秘多层
半自动准直可在几分钟内完成多层准直。
0.8 µm 锥形中间部分，侧面有 20 x 90 µm 接触垫。 使用的光刻胶：AZ5214E。
硅基板上的抗蚀剂微图案阵列。 每个单元尺寸为 50 x 63 µm，相邻图案之间的间距为 3 µm。 使用 AZ 5214 E 抗蚀剂
开环谐振器阵列。 右侧的间隔距离为 1.5 µm（箭头），左侧的间隔距离为 2 µm。 外环直径为 80 µm
具有 2 µm 手指的叉指电容器 (IDC)。 使用的光刻胶：AZ5214E
附带的软件可以快速完成任何图案工作； 只需加载、对齐和曝光即可。导航类似于数控系统。在多层曝光期间，GDS 图案会叠加以实现可视化。 控制 GUI（左侧窗口）具有已加载 GDS 的小地图，只需单击 1 次即可导航到晶圆上的任何区域
15天
1年
安装调试现场免费培训
到货后3天内
1小时内
是
3天内
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先维修后付款
维修图纸；技术参数；专用工具；故障代码；维修手册
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