薄膜介电常量仪

中图仪器NS系列国产薄膜台阶高度测量仪采用了线性可变差动电容传感器LVDC，具备超微力调节的能力和亚埃级的分辨率，同时，其集成了超低噪声信号采集、超精细运动控制、标定算法等核心技术，使得仪器具备超高的测量精度和测量重复性。其主要用于台阶高、膜层厚度、表面粗糙度等微观形貌参数的测量。产品功能1.参数测量功能1）台阶高度：能够测量纳米到330μm甚至1000μm的台阶高度，可以准确测量蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料；2）粗糙度与波纹度：能够测量样品的粗糙度和波纹度，分析软件通过计算扫描出的微观轮廓曲线，可获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等20余项参数；3）翘曲与形状：能够测量样品表面的2D形状或翘曲，如在半导体晶圆制造过程中，因多层沉积层结构中层间不匹配所产生的翘曲或形状变化，或者类似透镜在内的结构高度和曲率半径。2.数采与分析系统1）自定义测量模式：支持用户以自定义输入坐标位置或相对位移量的方式来设定扫描路径的测量模式；2）导航图智能测量模式：支持用户结合导航图、标定数据、即时图像以智能化生成移动命令方式来实现扫描的测量模式。3）SPC统计分析：支持对不同种类被测件进行多种指标参数的分析，针对批量样品的测量数据提供SPC图表以统计数据的变化趋势。3.光学导航功能配备了500W像素的彩色相机，可实时将探针扫描轨迹的形貌图像传输到软件中显示，进行即时的高精度定位测量。4.样品空间姿态调节功能 NS系列国产薄膜台阶高度测量仪配备了精密XY位移台、360°电动旋转平台和电动升降Z轴，可对样品的XYZ、角度等空间姿态进行调节，提高测量精度及效率。NS系列国产薄膜台阶高度测量仪是一种常用的膜厚测量仪器，它是利用光学干涉原理，通过测量膜层表面的台阶高度来计算出膜层的厚度，具有测量精度高、测量速度快、适用范围广等优点。它可以测量各种材料的膜层厚度，包括金属、陶瓷、塑料等。如针对测量ITO导电薄膜的应用场景，NS200台阶仪提供如下便捷功能：1）结合了360°旋转台的全电动载物台，能够快速定位到测量标志位；2）对于批量样件，提供自定义多区域测量功能，实现一键多点位测量；3）提供SPC统计分析功能，直观分析测量数值变化趋势；性能特点1.亚埃级位移传感器具有亚埃级分辨率，结合单拱龙门式设计降低环境噪声干扰，确保仪器具有良好的测量精度及重复性；2.超微力恒力传感器 1-50mg可调，以适应硬质或软质样品表面，采用超低惯量设计和微小电磁力控制，实现无接触损伤的接触式测量；3.超平扫描平台系统配有超高直线度导轨，杜绝运动中的细微抖动，真实地还原扫描轨迹的轮廓起伏和样件微观形貌。NS系列台阶仪应用场景适应性强，其对被测样品的反射率特性、材料种类及硬度等均无特殊要求，能够广泛应用于半导体、太阳能光伏、光学加工、LED、MEMS器件、微纳材料制备等各行业领域内的工业企业与高校院所等科研单位，其对表面微观形貌参数的准确表征，对于相关材料的评定、性能的分析与加工工艺的改善具有重要意义。典型应用部分技术指标型号NS200测量技术探针式表面轮廓测量技术样品观察光学导航摄像头:500万像素高分辨率 彩色摄像机,FoV,2200*1700μm探针传感器超低惯量，LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸150mm（6吋）,200mm（8吋）台阶高度重复性5 &angst , 量程为330μm时/ 10 &angst , 量程为1mm时（测量1μm台阶高度，1δ）尺寸（L×W×H）mm640*626*534重量40kg仪器电源100-240 VAC，50/60 Hz，200W使用环境相对湿度：湿度 （无凝结）30-40% RH温度：16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)地面振动：6.35μm/s（1-100Hz）音频噪音：≤80dB空气层流：≤0.508 m/s（向下流动）恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

薄膜GB1409介电常数测试仪HRJD概述：是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切 tanδ 及介电常数（ε ），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。薄膜GB1409介电常数测试仪HRJD测试原理：采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q 值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至，并保留了原Q 表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q 值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。本测试装置是由二只测微电容器组成，平板电容器一般用来夹持被测样品，园筒电容器是一只分辨率高达0.0033pF 的线性可变电容器，配用仪器作为指示仪器，绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放进平板电容器和不放进样品的Q 值变化，由园筒电容器的刻度读值变化值而换算得到的。同时，由平板电容器的刻度读值变化而换算得到介电常数薄膜GB1409介电常数测试仪HRJD技术指标：1、Q 值测量范围：2～10232、Q 值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；3、电感测量范围：自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能 4.5nH-100mH 分别有 0.1μ H、0.5μ H、2.5μ H、10μ H、50μ H、100μ H、1mH、5mH、10mH 九个电感组成。4、电容直接测量范围：1～460pF5、主电容调节范围： 30～500pF6、电容准确度 150pF 以下±1.5pF；150pF 以上±1%7、信号源频率覆盖范围 10KHz-70MHz （双频对向搜索 确保频率不被外界干扰）另有 GDAT-C 频率范围 100KHZ-160M8、型号频率指示误差：1*10-6 ±1，Q 值合格指示预置功能范围：5～1000 Q 值自动锁定，无需人工搜索9、Q 表正常工作条件a. 环 境 温 度 ：0℃～+40℃ b．相对湿度：80％；薄膜GB1409介电常数测试仪HRJD安全操作规程本仪器必须有专人负责保管，使用，非专职操作者应在使用前了解和熟悉本说明书，以免造成不必要的损失和事故。每次使用前应仔细检查接地线是否完好，确保以后方可通电使用。接通电源前应将灵敏度开关调到Z低位置。测量试品前应先对试品进行高压试验，证明在电桥工作电压下无噪声，电离等现象出现，然后才能进行测试（若试品己做过高压试验，该项可不必每次测量都做）。对试品施加高压时缓慢升高，不可以加突变电压。测试时操作人员必须集中思想，工作前做好一切准备工作，测试地点周围应有明显的标记或金属屏蔽围成高压危险区，以防止非操作人员闯入。在测量过程中，如有放电管发光时，则必须及时切断电源，仔细检查接线及试品都无击穿，待检查排除故障后，再进行高压测量工作。操作方法薄膜GB1409介电常数测试仪HRJD测试前的准备工作连接标准电容Ｃｎ（选用外接标准电容时），与被测电容Ｃｘ，并且将标准电容与被测电容尽可能远离，以防止互相之间干扰。如选用内部标准电容器，只需连接被测试品即可。检查周围是否有强电磁场干扰，应尽量避免。检查大地线是否牢靠，以保证操作人员的安全，应检查电桥上的（⊥）与大地是否接触良好。表征介质材料的介电性质或极化性质的物理参数。其值等于以欲测材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比，该值也是材料贮电能力的表征。也称为相对电容率。不同材料不同温度下的相对介电常数不同，利用这一特性可以制成不同性能规格的电容器或有关元件。介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率。如果有高介电常数的材料放在电场中，场的强度会在电介质内有可观的下降。信号源范围DDS数字合成信号：10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比： 7000:1信号源频率精度6位有效数： 3×10-5 ±1个字 采样精度： 12BIT 高精度的AD采样，保证了Q值的稳定性，以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围： 1-1000自动/手动量程Q分辨率： 4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差： 5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH ：1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差 ： 3%调谐电容 ： 主电容17-240pF (一体镀银成型,精度高)电容自动搜索 ：是(带步进马达)电容直接测量范围： 1pF～25nF调谐电容误差： ±1 pF或1%分辨率： 0.1pF谐振点搜索： 自动扫描Q合格预置范围： 5-1000声光提示Q量程切换： 自动/手动LCD显示参数：F，L，C，Q，Lt，Ct，Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感的： 有自动扣除功能大电容值直接测量显示功能： 测量值可达25nF介质损耗系数： 精度 万分之一 / LCD直接显示介电常数： 精度 千分之一 / LCD直接显示材料测试厚度： 0.1mm-10mm技术：仪器自动扣除残余电感和测试引线电感。大幅提高测量精度。大电容值直接测量显示。数显微测量装置，直接读值。当获得适当的相关性数据时，耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征，例如电介质击穿，湿分含量，固化程度和任何原因导致的破坏。然而，由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子，除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的，耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。介电常数测量仪/介电常数检测仪该方法降低了或消除了样本的电极需求。厚度必须进行测定，测量时，在电学测量所用的样本区域上进行系统性地分布测量，厚度测量值均匀性应在±1%的平均厚度之内。如果样本整个区域将被电极覆盖，同时如果已知材料密度，可通过称量法来测定平均厚度。样本直径选择应使得能提供一个具有要求精度的样本电容测量值。采用受到良好保护和遮蔽的装置，将没有困难测量电容为10pF，分辨率为1/1000的样本。相对电容率。不同材料不同温度下的相对介电常数不同，利用这一特性可以制成不同性能规格的电容器或有关元件。绝对介电常数ε0是一个电磁学物理常数。

中图仪器NS系列沉积薄膜台阶高度测量仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪器，其主要用于台阶高、膜层厚度、表面粗糙度等微观形貌参数的测量。其采用LVDC电容传感器，具有的亚埃级分辨率和超微测力等特点使得其在ITO导电薄膜厚度的测量上具有很强的优势。针对测量ITO导电薄膜的应用场景，NS200沉积薄膜台阶高度测量仪提供如下便捷功能：1）结合了360°旋转台的全电动载物台，能够快速定位到测量标志位；2）对于批量样件，提供自定义多区域测量功能，实现一键多点位测量；3）提供SPC统计分析功能，直观分析测量数值变化趋势；工作过程NS系列沉积薄膜台阶高度测量仪测量时通过使用2μm半径的金刚石针尖在超精密位移台移动样品时扫描其表面，测针的垂直位移距离被转换为与特征尺寸相匹配的电信号并最终转换为数字点云信号，数据点云信号在分析软件中呈现并使用不同的分析工具来获取相应的台阶高或粗糙度等有关表面质量的数据。产品功能1.参数测量功能1）台阶高度：能够测量纳米到330μm甚至1000μm的台阶高度，可以准确测量蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料；2）粗糙度与波纹度：能够测量样品的粗糙度和波纹度，分析软件通过计算扫描出的微观轮廓曲线，可获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等20余项参数；3）翘曲与形状：能够测量样品表面的2D形状或翘曲，如在半导体晶圆制造过程中，因多层沉积层结构中层间不匹配所产生的翘曲或形状变化，或者类似透镜在内的结构高度和曲率半径。2.数采与分析系统1）自定义测量模式：支持用户以自定义输入坐标位置或相对位移量的方式来设定扫描路径的测量模式；2）导航图智能测量模式：支持用户结合导航图、标定数据、即时图像以智能化生成移动命令方式来实现扫描的测量模式。3）SPC统计分析：支持对不同种类被测件进行多种指标参数的分析，针对批量样品的测量数据提供SPC图表以统计数据的变化趋势。3.光学导航功能配备了500W像素的彩色相机，可实时将探针扫描轨迹的形貌图像传输到软件中显示，进行即时的高精度定位测量。4.样品空间姿态调节功能配备了精密XY位移台、360°电动旋转平台和电动升降Z轴，可对样品的XYZ、角度等空间姿态进行调节，提高测量精度及效率。产品应用NS系列台阶仪应用场景适应性强，其对被测样品的反射率特性、材料种类及硬度等均无特殊要求，能够广泛应用于半导体、太阳能光伏、光学加工、LED、MEMS器件、微纳材料制备等各行业领域内的工业企业与高校院所等科研单位，其对表面微观形貌参数的准确表征，对于相关材料的评定、性能的分析与加工工艺的改善具有重要意义。性能特点1.亚埃级位移传感器具有亚埃级分辨率，结合单拱龙门式设计降低环境噪声干扰，确保仪器具有良好的测量精度及重复性；2.超微力恒力传感器1-50mg可调，以适应硬质或软质样品表面，采用超低惯量设计和微小电磁力控制，实现无接触损伤的接触式测量；3.超平扫描平台系统配有超高直线度导轨，杜绝运动中的细微抖动，真实地还原扫描轨迹的轮廓起伏和样件微观形貌。部分技术参数型号NS200测量技术探针式表面轮廓测量技术探针传感器超低惯量，LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)样品R-θ载物台电动，360°连续旋转单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸150mm（6吋）,200mm（8吋）尺寸（L×W×H）mm640*626*534重量40kg仪器电源100-240 VAC，50/60 Hz，200W使用环境相对湿度：湿度 （无凝结）30-40% RH温度：16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)地面振动：6.35μm/s（1-100Hz）音频噪音：≤80dB空气层流：≤0.508 m/s（向下流动）恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。