晶体硅

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晶体硅相关的资讯

  • 美终裁中国产晶体硅光伏电池存在倾销和补贴
    华盛顿10月10日电 美国商务部10日作出终裁,认定中国向美国出口的晶体硅光伏电池及组件存在倾销和补贴行为,这基本为美国针对此类产品征收反倾销和反补贴关税(“双反”)扫清了道路。   美国商务部当天最终裁定,中国晶体硅光伏电池及组件的生产商或出口商在美国销售此类产品时存在倾销行为,倾销幅度为18.32%至249.96%。同时,还裁定中国输美的此类产品接受了14.78%至15.97%不等的补贴。   根据这一终裁结果,倾销幅度从今年5月份初裁的最低31.14%下调至18.32%,最高幅度不变 补贴幅度则大大高于初裁的2.9%至4.73%。   按照美方贸易救济程序,除美国商务部外,此案还需美国国际贸易委员会作出终裁。根据目前日程,美国国际贸易委员会定于今年11月23日左右作出终裁。如果美国国际贸易委员会也作出肯定性终裁,即认定从中国进口的此类产品给美国相关产业造成实质性损害或威胁,美国商务部将要求海关对相关产品征收“双反”关税。   根据美国商务部公布的数据,2011年美国从中国进口了价值约为31亿美元的晶体硅光伏电池及组件。   美国智库人士与相关行业协会多次警告,美国通过征收“双反”关税来保护本土企业,将付出沉重代价。美国廉价太阳能联合会估算,若美方对来自中国的光伏电池及组件征收100%的惩罚性关税,将在未来3年内损失5万个工作岗位。   这是今年以来美国对中国发起的又一项贸易救济行动,此前美国方面连续对中国产品发起“双反”和“337调查”。中国商务部多次表示,希望美国政府恪守反对贸易保护主义承诺,共同维护自由、开放、公正的国际贸易环境,以更加理性的方法妥善处理贸易摩擦。   美终裁对华光伏产品征34%-47%关税   《纽约时报》报道,美国商务部发布最终裁决,决定对大多数从中国进口的太阳能板和太阳能电池产品征收大约34%到接近47%的关税。   对大多数中国太阳能企业而言,这一惩罚比奥巴马政府今年早些时候的判决更为严苛。
  • 美国商务部发起针对中国晶体硅光伏电池的情势变更复审
    当地时间2022年3月23日,应SOURCE Global, PBC (SOURCE Global)的申请,美国商务部发起针对中国晶体硅光伏电池产品的情势变更复审(CCRs),以考虑是否撤销部分涉案产品现有的反倾销税令和反补贴税令。当地时间2012年12月7日,美国商务部发布公告,对进口自中国的晶体硅光伏电池发布反倾销和反补贴令。当地时间2020年12月4日,美国进口商SOURCE Global提交情势变更复审申请,要求撤销对某些离网小型便携式太阳能光伏电池的反倾销令和反补贴令。相关英文表述见下:SOURCE Global proposes that the Solar Cells Orders be revoked, in part, with respect to certain off-grid small portable CSPV panels as described below:(1). Off-grid CSPV panels in rigid form with a glass cover, with each of the following physical characteristics, whether or not assembled into a fully completed off-grid hydropanel whose function is conversion of water vapor into liquid water:(A) A total power output of no more than 80 watts per panel (B) A surface area of less than 5,000 square centimeters (cm^2) per panel (C) Do not include a built-in inverter (D) Do not have a frame around the edges of the panel (E) Include a clear glass back panel and(F) Must include a permanently connected wire that terminates in a two-port rectangular connector.
  • 狂发Nature等顶刊!Lake Shore低温探针台,助力超越硅极限的二维晶体管革新
    当今科技迅猛发展,电子器件的小型化和性能提升是科研人员的极致追逐。其中,晶体管是当代电子设备中不可或缺的核心组件,其尺寸微缩和性能提升直接关系到整个电子行业的进步。与此同时,硅基场效应晶体管(FET)的性能逐渐逼近本征物理极限,国际半导体器件与系统路线图(IRDS)预测硅基晶体管的栅长最小可缩短至12 nm,工作电压不低于0.6 V,这决定了未来硅基芯片缩放过程结束时的极限集成密度和功耗。因此,迫切需要发展新型沟道材料来延续摩尔定律。 二维(2D)半导体具备可拓展性、可转移性、原子级层厚和相对较高的载流子迁移率,被视为超越硅基器件的下一代电子器件的理想选择。近年来,先进的半导体制造公司和研究机构,都在对二维材料进行研究。Lake Shore的低温探针台系列产品可容纳最大1英寸(25.4mm)甚至8英寸的样品,可以为二维半导体材料研究提供精准的温度磁场控制及精确可重复的测量,是全球科研工作者的值得信赖的工具。本文我们将结合近期Nature、Nature electronics期刊中的前沿成果,一起领略Lake Shore低温探针台系列产品在二维晶体管革新中的应用吧! 图1. Lake Shore低温探针台1. 探针台电学测量揭秘最快二维晶体管——弹道InSe晶体管 对于二维半导体晶体管的速度和功耗方面的探索,北京大学电子学院彭练矛院士,邱晨光研究员课题组报道了一种以2D硒化铟InSe为沟道材料的高热速度场效应晶体管,首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基FinFET(鳍式场效应晶体管),并将工作电压下降到0.5V,称为迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管。相关研究成功以“Ballistic two-dimensional InSe transistors”为题发表于《Nature》上。 基于Lake Shore 低温探针台完成的电学测试表明,在0.5 V工作电压下,InSe FET具有6 mSμm-1的高跨导和饱和区83%的室温弹道比,超过了任何已报道的硅基晶体管。实现低亚阈值摆幅(SS)为每75 mVdec-1,漏极诱导的势垒降低(DIBL)为22 mVV-1。此外,10nm弹道InSe FET中可靠地提取了62 Ωμm的低接触电阻,可实现更小的固有延迟和更低的能量延迟积(EDP),远低于预测的硅极限。 这项工作首次证实了2D FET可以提供接近理论预测的实际性能,率先在实验上证明了二维器件性能和功效上由于先进硅基技术,为2D FET发展注入信心和活力。2. 探针台光电测量揭示光活性高介电常数栅极电介质——2D钙钛矿氧化物SNO 与2D半导体兼容的高介电常数的栅极电介质,对缩小光电器件尺寸至关重要。然而传统三维电介质由于悬挂键的存在很难与2D材料兼容。为解决以上问题,复旦大学方晓生教授等人进行了大量研究实验,发现通过自上而下方式制备的2D钙钛矿氧化物Sr10Nb3O10(SNO)具有高介电常数(24.6)、适中带隙、分层结构等特点,可通过温和转移的方法,与各种2D沟道材料(包括石墨烯、MoS2,WS2和WSe2)等构建高效能的光电晶体管。文章以“Two-dimensional perovskite oxide as a photoactive high-κ gate dielectric”为题发表在Nature electronics上。图3. 具有SNO顶栅介电层的双栅WS2光电晶体管的电特性和光响应 基于Lake Shore探针台的光电测试表明,SNO作为顶栅介电材料,与多种通道材料兼容, 集成光电晶体管具有卓越的光电性能。MoS2晶体管的开/关比为106,电源电压为2V,亚阈值摆幅为88&thinsp mVdec-1。在可见光或紫外光照射下,WS2光电晶体管的光电流与暗电流比为~106,紫外(UV)响应度为5.5&thinsp ×&thinsp 103&thinsp AW-1,这是由于栅极控制和光活性栅极电介质电荷转移的共同作用。本研究展示了2D钙钛矿氧化物Sr2Nb3O10(SNO)作为光活性高介电常数介质在光电晶体管中的广泛应用潜力。 3. 探针台电学测量探索200毫米晶圆级集成——多晶MoS2晶体管 二维半导体,例如过渡金属硫族化合物(TMDs),是一类很有潜力的沟道材料,然而单器件演示采用的单晶二维薄膜,均匀大规模生长仍具挑战,无法应用于大尺度工业级器件制备。与单晶相比,多晶TMD的较大规模生长就容易很多,具备工业化应用集成的潜力。 有鉴于此,三星电子有限公司Jeehwan Kim和Kyung-Eun Byun 团队提出一种使用金属-有机化学气相沉积(MOCVD)制造大规模多晶硫化钼(MoS2)场效应晶体管阵列的工艺,与工业兼容,在商用200毫米制造设备中进行加工,成品率超过99.9%。文章以“200-mm-wafer-scale integration of polycrystalline molybdenum disulfide transistors”为题发表在Nature electronics上。 图4. 三种不同接触类型(a常规顶部接触,b多晶MoS2的底部接触,c单层MoS2底部接触)的电学特性和肖特基势垒高度 基于Lake Shore低温探针台CPX-VF的电学测试表明,相比于顶部接触,底部接触可以更好的消除2D FETs阵列中多晶2D/金属界面的肖特基势垒。没有肖特基势垒的多晶MoS2场效应晶体管表现良好,迁移率可达21 cm2V-1s-1,接触电阻可达3.8 kΩµ m,导通电流密度可达120µ Aµ m-1,可比拟单晶晶体管。4. Lake Shore低温探针台系列 美国Lake Shore公司的低温探针台根据制冷方式不同,主要分为无液氦低温探针台和消耗制冷剂低温探针台,其下又因为磁场方向、尺寸大小差别,有更多型号的细分,适用于不同应用场景(电学、磁学、微波、THz、光学等),客户可根据需要,选择不同的温度和磁场配置。客户可以选择自己搭配测试仪表集成各类测试,也可以选择我们的整体测试解决方案,如电输运测试、半导体分析测试、霍尔效应测试、铁电分析测试,集成光学测试等。图5. 低温探针台选型和适用的应用场景Lake Shore低温探针台主要特征☛ 最大±2.5 T磁场☛ 低温至1.6 K,高温至675 K☛ fA级低漏电测量☛ 最高67 GHz高频探针☛ 3 kV 高电压探针(定制) ☛ 大温区低温漂探针☛ 真空腔联用传送样品(定制)☛ <30 nm低振动适用于显微光学测量☛ 无需翻转磁场快速霍尔效应测试☛ 多通道高精度低噪声综合电学测量☛ 光电、CV、铁电、半导体分析测试参考文献:1. J. Jiang, L. Xu, C. Qiu, L.-M. Peng, Ballistic two-dimensional InSe transistors. Nature 616, 470-475 (2023).2. S. Li, X. Liu, H. Yang, H. Zhu, X. Fang, Two-dimensional perovskite oxide as a photoactive high-κ gate dielectric. Nature Electronics 7, 216-224 (2024).3. J. Kwon et al., 200-mm-wafer-scale integration of polycrystalline molybdenum disulfide transistors. Nature Electronics 7, 356-364 (2024).相关产品1、Lake Shore低温探针台系列

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  • 单晶体硅的铝扩散层拍摄求助

    样品情况:单晶体硅,表面一层铝粉,铝粉融入硅晶体会形成硅铝层,与正常硅层有界限。那么问题来了,同样的样品我死活拍不出分层来。电镜6360LV。 附件是我拍的的别人拍的http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/01/201701191700_667408_3095845_3.jpeghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/10/2016040717480395_01_3095845_3.jpeg

  • 有晶体硅太阳能电池分析的吗?

    最近我们公司新买了台Hitachi S4800,用于晶体硅太阳能电池的分析。太阳能电池的尺寸较大(可达156mm×156mm),而样品台的尺寸很小(最大只有1 inch),因此只能从太阳电池上取一小块区域进行观察。但是取样面临这两个问题:一是由于太阳能电池易碎,而我们没有专门的取样工具,通常采用直接敲碎的方法取样,结果很难取到想要观察的区域;二是取到的样品的断面很不平整,很不好观察。所以想请大家推荐取样的方法或工具,以及获取平整断面的方法,谢谢大家。

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  • 硅(Si)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:硅(Si)晶体基片 产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 技术参数:掺杂物质:掺B掺P类型:P N电阻率Ω.cm:10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 ):≤100≤100氧含量( /cm3 ):≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 ):≤5x1016≤5x1016 常规规格:晶体方向:111、100、110 ± 0.5° 或 特殊的方向;常规尺寸:dia1"x 0.30 mm dia2"x0.5mm dia3"x0.5mm dia4"x0.6mm 表面粗糙度:Ra10A可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询! 标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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  • 硅锗(Si-Ge)晶体基片 400-860-5168转2205
    产品名称:硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介:Al2O3(Sapphire,又称白宝石,蓝宝石)有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐蚀,它耐高温,导热好,硬度高,透红外,化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料,为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的需要,科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片,将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数:单晶: Si-Ge ( wt 2%)导电类型: P type电阻: 7-8 ohm-cm抛光情况:单面抛光 产品规格:常规晶向:100;常规尺寸:dia4″x0.5mm;注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋相关产品:A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列切割机旋转涂层机
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  • 总览一, ZNTE(碲化锌)太赫兹晶体110晶向的ZnTe(碲化锌)晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应,也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲,拥有非常宽的频率分量,这些分量间的相互作用(主要是差频)将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的110晶向ZnTe实现光电探测。太太赫兹光脉冲会使ZnTe晶体产生双折射,因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在ZnTe晶体中直线传播时,可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片,偏振分光体,以及平衡光电二极管,我们可以完成对可见光的偏振状态的监控,从而得知太赫兹光脉冲的振幅,延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息(振幅和相位延迟)的能力,是时域太赫兹光谱仪最具吸引力的特性之一。ZNTE(碲化锌)太赫兹晶体,ZNTE(碲化锌)太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像应用领域红外光学 基板 用于真空沉积的晶体片 THz探测器 THz 发射器 光学限位器生产方法HPVB or HPVZMCAS #1315-11-3结构Cubic zincblende密度5.633 g/cm3Specific Heat0.16 J/gK例如(300 K)2.25 eVMax. 透射 (l =7-12 mm)60 %Max. specific resistivity109 Ohm´ cm折射率 (l =10.6 mm)2.7光电系数r41 (l =10.6 mm)4.0´ 10-12 m/VMax. IR-optic blank diameter/lengthÆ 38´ 20 mmMax. 单晶直径/长度:Æ 38´ 20 mm碲化锌晶体(ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm碲化锌(ZnTe)晶体,是一种具有优异电光性能的II-VI族化合物半导体,自然条件下是闪锌矿(ZB)结构,室温下带隙宽度为2.3eV,其二阶非线性系数与电光系数均较大,辐射和探测THz电磁波的效率比其他电光晶体高,因此ZnTe晶体被认为是比较好的THz辐射源和探测器材料。ZnTe晶体110方向在 800nm附近激光脉冲作用下相位匹配*****,为ZnTe晶体作为太赫兹辐射产生和探测的常规使用方向。此外,ZnTe晶体还可以广泛应用于各种光电子器件中,如绿光发光二极管、电光探测器、太阳能电池等碲化锌晶体(ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm,碲化锌晶体(ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm产品特点应用于THz产生、探测和光学限幅器晶体纯度高 99.995%-99.999%表面质量优通用参数晶格结构立方闪锌矿密度5.633g/cm3比热0.16j/gK带隙(300K)2.25eV透过率(λ=7-12um)60%电阻率109 Ohm*cm折射率(λ=10.6um)2.7电光系数r41(λ=10.6um)4.0×10-12m/V电阻率(1) Low:103Ohm*cm(2) High:109Ohm*cm封装尺寸5*5*1nmØ 25.4mm二, GaSe(硒化镓)太赫兹晶体GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。GaSe(硒化镓)太赫兹晶体,GaSe(硒化镓)太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像三, CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜微波等离子体CVD金刚石圆片:掺硼盘(蓝色)、光学级金刚石、机械级、未抛光盘。CVD金刚石最重要的性能是无与伦比的硬度,高的导热系数(1800 W/mK,是铜的五倍)宽带光学透明度,极度化学惰性,不受任何酸或其他化学物质的影响。仅在非常高的温度下(T700°C,含氧环境下)石墨化,在惰性环境中为1500℃)CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜,CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 太赫兹波传输窗片● X射线检测● 红外光学● 外延基片技术参数PropertyValueVickers hardness*10,000 kg/mm2Young's modulus*1050 GPaPoisson's ratio0.1Density3.515 g/cm3Atom density*1.77×1023 1/cm3Thermal expansion coefficient1.0*10-6/K @300KSound velocity*17,500 m/sFriction coefficient0.1Specific heat @ 20°C0.502 J/gKDebye temperature*1860 10KBandgap5.45 eVResistivity1013 - 1016 ohmmPropertyValueTransmission225nm to far IR , 70% @ 10µ mRefractive index2.38 @ 10µ m, 2.41 @ 500nmAbsorption coefficient0.10 cm-1 @ 10µ mBandgap5.45 eVTensile strength (0.5mm thick)Nucleation surface in tensionGrowth surface in tension600 MPa400 MPaLoss tangent (tan @140 GHz) 2.0×10-5Dielectric constant5.7PropertyValueDimensionsThicknessDiameter10 - 2000 µ mup to 100 mmSurface finishShapeflat, spherical (convex & concave)Roughness 5 nm*Flatness1 fringe/cm*Wedge0 – 1°*Antireflection Coatings (visible and infrared)Spec. Transmission at 10.6 µ m 98.6 %Wavefront distortion 4 fringes at 633 nm over 30 mm*MountingDiamond windows mounted e.g. in UHV flanges (bakeable at 250°C, vacuum tight 10-10 mbar l/s)*四, 太赫兹透镜(TPX,Tsurupica,HRFZ-Si)Terahertzlabs提供TPX和HRFZ-Si等不同太赫兹材料的THz透镜。我们拥有不同的标准尺寸以及不同的焦距EFL可供客户选择。同时我们也接受定制服务,我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料,可以用来加工成不同的光学元件,如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的,并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关,折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。太赫兹透镜(TPX,Tsurupica,HRFZ-Si),太赫兹透镜(TPX,Tsurupica,HRFZ-Si)产品特点● TPX,Tsurupica,HRSi材料可供选择● 不同标准尺寸1inch,2inch● 多种焦距可供客户选择● 高透射率,高平坦度● 宽谱透射范围0.02-5 THz● 高抗张强度● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 中远红外气体探测● 科学实验室研究● THZ量子级联激光器波片● 中远红外滤波片技术参数TPX主要参数:密度(g/cm3)0.83抗张强度4100psi~28.3MPa拉伸模量280000psi~1930.5MPa抗拉伸模量(%)10绕曲强度6100psi~42.1MPa绕曲模量210000psi~1447.8MPa热偏温度(℃)100融化温度(°F/℃)464/240吸收率(ASTM-D1228)(%)<0.01透水汽性(thk25μm,40C,90%RH)(g/m2*24h)110透气性(thk100μm)(cm3/m2*d*MPa)120000TPX透镜参数:材料TPX形状平凸、双凸最大直径(mm)100mm直径公差(mm)±0.25mm有效焦距公差(mm)±1%通光口径(mm)≥90%表面直径(双面抛光)80/50 Scr/Dig表面精度(mm)±0.01mm(和理想球面和平面的差)五, THz太赫兹TPX窗片我们提供由晶体和聚合物材料制成的太赫兹窗片。同时我们也接受定制服务,我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料,可以用来加工成不同的光学元件,如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的,并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关,折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。THz太赫兹TPX窗片,THz太赫兹TPX窗片通用参数产品特点:TPX,HRFZ Si,ZEONEX材料可供选择不同标准尺寸1inch,2inch接受客户定制服务产品应用:太赫兹时域系统太赫兹源窗片中远红外气体探测科学实验室研究THZ量子级联激光器波片中远红外滤波片技术参数: 1,晶体材料1.1 HRFZ Si窗片材料HRFZ-Si类型平面-平面可用尺寸, mmto 150直径或横切公差, mm+0.0 / -0.1厚度公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min3表面质量 (双面抛光), scr/вig60/40表面精度, mm+/-0.01偏离理想平面涂层应要求提供AR涂层以下窗片可从库存中获得No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0238.1 (1.5)1.0350.8 (2.0)1.0476.2 (3.0)1.05101.6 (4.0)1.0可根据要求定制尺寸 1.2 THz级石英晶体和THz级蓝宝石窗片材料THz级石英晶体 (z-cut) and THz 级蓝宝石窗片类型平面-平面尺寸公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min5表面质量 (双面抛光), scr/dig80/50表面精度, mm+/-0.01 偏离理想平面涂层 (对于石英晶体)应要求提供AR涂层太赫兹级石英晶体窗片尺寸如下:No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0, 2.0, and 3.0238.1 (1.5)1.0, 2.0, and 3.0350.8 (2.0)1.0, 2.0, and 3.0 其他尺寸和定制设计可根据要求制造。以下尺寸的太赫兹级石英晶体可用:对于沿Z轴生长的晶体Z-axis: X =100 mm, Y=150 mm and Z up to 35 mm对于沿X轴生长的晶体 X-axis: X up to 30 mm, Y=100 mm and Z=125 mm. 可根据要求提供太赫兹级蓝宝石窗片。不同尺寸的成品可现货供应或在一周内供应。 2. 聚合物2.1 TPX windows材料TPX类型平面-平面,楔形(楔形为6mrad)可用直径, mmto 300尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.025 (TPX)表面精度, mm±0.01 偏离理想平面以下TPX窗片有现货供应:No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)2.0238.1 (1.5)3.0350.8 (2.0)3.5定制尺寸(最大厚度30 mm)可根据要求定制 2.2 ZEONEX 窗片材料ZEONEX类型平面-平面,楔形可用直径, mmto 120尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.05表面精度, mm±0.01 偏离理想平面 ZEONEX窗户可根据要求制造。库存材料的最大厚度为33 mm。五, BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)德国BATOP公司供应TPX和硅两种材质的太赫兹透镜,尺寸一般为1英寸或2英寸,包括超半球形和椭圆形硅质太赫兹透镜,以及具有不同直径和焦距的非球面TPX太赫兹透镜。BATOP的TPX透镜可用于太赫兹波段中发射器和探测器之间的太赫兹光束引导,还有专用于PCA应用的TPX太赫兹透镜,能够实现太赫兹光束的准直和聚焦。 在代理Tydex太赫兹透镜和BATOP公司TPX透镜的基础上,筱晓上海光子也提供自主开发的太赫兹透镜和窗镜,包括太赫兹透镜和石英透镜,尺寸可以为1英寸至4英寸,为用户提供更大的定制自由度。BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm),BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)通用参数PCA专用TPX透镜特点:使用高透过率TPX(聚甲基戊烯)透镜,可以对太赫兹光束进行整形。搭配一个TPX透镜可以准直来来自超半球形基板透镜的发散太赫兹光束。搭配两个TPX透镜,可以实现清晰的THz聚焦。1英寸直径的TPX透镜可被容易地安装到具有超半球形硅透镜的PCA光导天线上。 PCA专用TPX透镜规格参数PCA专用TPX透镜分为3个型号,其通用参数一致 CTL-D25mm - 已安装的准直非球面TPX透镜,直径25.4 mm以上.. CTLF-D25mm - 用于光纤耦合PCA的安装准直非球面TPX透镜,直径25.4 mm以上.. FTL-f32.5mm - 聚焦平凸TPX透镜 PCA专用TPX透镜 通用参数透镜直径25.4 mm透镜厚度8.0 mm焦距32.5 mm通光孔径 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz吸收系数0.3 cm-1材质TPX(聚甲基戊烯)太赫兹透镜面形平凸(非球面)PCA兼容外壳 以下为BATOP聚焦平凸TPX透镜 标准品型号TPX透镜,直径1英寸和2英寸,其中TPX-D25.4-f10,专门用于空间高分辨率的应用1英寸直径TPX透镜,焦距F:10mm~32.5mm型号TPX-D25.4-f10 TPX-D25.4-f15TPX-D25.4-f25TPX-D25.4-f32.5透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距10 mm15.0 mm25.0 mm32.5 mm通光孔径 20 mm 23.4 mm 22.4 mm 22.0 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.640.590.380.3中心透镜厚度11.2 mm8.0 mm8.0 mm8.0 mm边缘厚度3.3 mm1.6 mm3.1 mm4.2 mm材质TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)形状平凸(非球面)平凸(非球面)平凸(非球面)平凸(非球面) 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格1英寸TPX透镜,焦距F:50mm~150mm型号 TPX-D25.4-f50 TPX-D25.4-f67 TPX-D25.4-f100 TPX-D25.4-f150透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距50.0 mm67 mm100 mm150 mm通光孔径 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.210.160.1070.072中心透镜厚度7.0 mm6.94 mm7.0 mm6.0 mm边缘厚度4.4 mm5.0 mm5.7 mm5.1 mm材质TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)形状平凸(非球面)平凸(非球面)平凸(非球面)平凸(非球面) 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格2英寸TPX透镜,焦距F:35mm~200mm型号TPX-D50-f35 TPX-D50.8-f65 TPX-D50.8-f100TPX-D50.8-f200透镜直径50.0 mm50.8 mm50.8 mm50.8 mm焦距35.0 mm65.0 mm100 mm200 mm通光孔径 47.0 mm 47.8 mm 47.8 mm 47.8 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.540.330.230.12中心透镜厚度18 mm13 mm10 mm8.3 mm边缘厚度3.0 mm4.1 mm4 mm5.0 mm材质TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)TPX(聚甲基戊烯)形状平凸(非球面)平凸(非球面)平凸(非球面)平凸(非球面) 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格 六, BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜对于发射器和探测器之间的太赫兹光束引导,我们提供不同直径和焦距的超半球和椭圆硅透镜以及非球面TPX透镜。BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜 , BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜通用参数标准型号1:HSL-12超半球形硅衬底透镜与GaAs PCA芯片相结合,确保THz辐射的大立体角Ω=1.25 sr。由于该透镜提供发散太赫兹光束,因此必须通过附加透镜进行准直。超半球硅透镜:&bull 直径:12 mm&bull 厚度:7.1 mm&bull 折射率:3.41&bull 材料:未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻 ρ:10 kΩcm&bull 表面:抛光&bull PCA芯片厚度:0.6 mm太赫兹光束收集角α73°发散角ß 17°虚拟焦距L 26.5 mm标准型号2:CSL-20-12准直硅透镜椭圆准直硅透镜设计用于连接0.6 mm厚的天线芯片。&bull 直径:20 mm&bull 厚度:13.8 mm&bull 折射率:3.41&bull 材料:未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻ρ:10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面:抛光&bull PCA芯片厚度:0.6 mm太赫兹光束直径为20mm的准直收集角α 54.6°标准型号3:FSL-D20-f50-聚焦硅透镜聚焦椭圆硅透镜,直径20 mm,焦距50 mm。&bull 直径:20 mm&bull 厚度:14 mm&bull 折射率:3.41&bull 材料:未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻:10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面:抛光&bull PCA芯片厚度:0.6 mm太赫兹光束焦距f 50 mm收集角α 52.7°收敛角ß 10°艾里盘直径at 300 GHz 3.6 mmat 1 THz 1.1 mmat 3 THz 0.36 mm
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