高水平大学建设

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

台式高精度薄膜制备与加工系统Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。Moorfield Nanotechnology推出的台式设备体积小巧，但性能已经可以和大型设备相媲美。这些设备已经进入了欧洲的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、伦敦玛丽女王大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国物理实验室等著名单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。如今Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，将为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。全系列产品即将上线，敬请期待……台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列—nanoCVD超快速高质量石墨烯生长设备，整个过程30分钟内搞定！CVD被公认为是石墨烯具有应用前景的制备手段。NanoCVD系列台式设备是专为制备高质量的石墨烯与碳纳米管而开发的高性能台式CVD系统。与曼彻斯特大学诺奖团队的长期合作使得该系列产品在制备石墨烯等碳基纳米材料方面具有雄厚的技术积累。该系列产品操作简便，生长条件控制，生长迅速、制备出的样品具有高质量、高可重复性，可清楚的观测到分数量子霍尔效应。尤其适合于需要快速得到高质量石墨烯或碳纳米管用于高端学术研究的团队。点击查阅详细信息台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD可媲美大型PVD的台式高性能PVD系统 ，爆款热销中！基于多年大型薄膜制备系统的设计与研发所积累的丰富经验，Moorfield Nanotechnology推出了台式高性能多功能PVD薄膜制备系列产品。该系列产品是为高水平学术研究研发的小型物理气相沉积设备。该系列产品包含磁控溅射、金属/机物热蒸发系统。这些设备虽然体积小巧但是性能，能够快速实现高质量纳米薄膜、异质结的制备，通常在大型设备中才有的共溅射功能也可以在该系列产品上实现。便捷的操作、智能的控制、高效的制备效率让您的学术研究进入快车道。点击查阅详细信息 台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。点击查阅详细信息台式气氛\压力控制高温退火系统—ANNEAL从高真空到各种气氛都能控制的高端热处理系统Moorfield Nanotechnology专门为制备高质量的样品而推出的台式气氛\压力控制高温退火系统，该系统可以满足从高真空到各种气氛的退火需求。对气压和温度都能进行控制，该系统不仅仅是普通的退火系统更是二维材料、基片等进行可控热处理的重要保障。该系统颠覆了传统箱式、管式炉的粗放退火方式，开创了退火的新篇章。点击查阅详细信息多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEM 是一台喷金仪，但不仅仅是喷金仪！多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEM是Moorfield Nanotechnology为SEM、TEM样品的表面导电处理以及普通样品的高质量电生长而设计的金属溅射系统。系统配备SEM样品托、TEM样品网、普通薄膜样品等多种专用样品台。虽然该系统主要为溅射金属而设计，但是该设备的性能已经达到了高质量薄膜样品的制备标准。通过选择不同的配置可以兼顾样品的表面导电处理、电制备与学术研究型薄膜样品的制备。因此nanoEM是一台不可多得的多功能高磁控溅射喷金仪。

PicoFemto透射电镜360°水平旋转样品杆（单/双倾），价格请咨询(微信同号) 透射电镜360°水平旋转样品杆同时具备β角倾转以及360°水平旋转的功能，可以在透射电子显微镜中多自由度高精度旋转样品。性能指标：● 兼容指定型号电镜及极靴；● 保证电镜原有分辨率；● 保证电镜原有真空度；● 双倾可选（±30°同时受限于极靴）；● 流畅、准确、连续地实现水平方向360°旋转，延迟以及震动极小；● 高精度电机控制的β方向倾转以及水平方向旋转。 以上就是泽攸科技对PicoFemto透射电镜360°水平旋转样品杆的介绍，关于价格请咨询(微信同号)原文： 安徽泽攸科技有限公司，是一家具有完全自主知识产权的先进装备制造公司。公司集研发、生产和销售业务于一体，向客户提供原位电镜解决方案、扫描电子显微镜等设备，立志成为具有国际先进水平的电子显微镜及附件制造商。 　　公司有精通机械、光学、超高真空、电子技术、微纳加工技术、软件技术的团队，我们为纳米科学的研究提供的设备。公司团队于20世纪90年代投入电镜及相关附件研发中，现有两个系列核心产品： 　　　 （1）PicoFemto系列原位TEM/SEM测量系统； 　　　 （2）ZEM15台式扫描电子显微镜。 　　　 PicoFemto系列原位TEM/SEM测量系统自问世以来，获得了国内外研究者的高度关注，并且已外销至澳洲、美国、欧洲等地。我们协助用户做出大量研究成果，相关成果发表在Nature及其子刊/JACS/AM/Nano. Lett./Joule/Nano. Energy/APL/Angewandte/Inorg. Chem.等高水平刊物上。 目前在国内使用我公司产品的课题组/实验平台多达八十余个，遍布五十余所大学/研究机构，包括中科院过程所、北京大学、清华大学、浙江大学、中科院硅酸盐研究所、厦门大学、电子科大、苏州大学、西安交通大学、武汉理工大学、上海大学、中科院大连化物所等等。国外用户包括澳洲昆士兰科技大学、英国利物浦大学、美国休斯顿大学、美国莱斯大学等。