时间分辨荧光光谱

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  • “低温高分辨激光光谱测试系统的研制”通过验收
    2009年11月25日,由中科院福建物构所陈学元研究员主持完成的中国科学院科研装备研制项目“低温高分辨激光光谱测试系统的研制”,通过中国科学院计划财务局组织的现场技术测试及专家验收。   该项目创新性地提出模块化和开放式光路设计方案,采用了多光栅组合、快响应微通道板型光电倍增管和时间相关单光子计数等技术,集成多种激光光源,成功地研制了低温高分辨激光光谱测试系统,实现了高灵敏度和高分辨率(时域和频率域)的超微弱荧光信号探测。所研制仪器的分辨率比最好的商用光谱仪提高了近20倍,可达到0.0057 nm 可测荧光寿命最短极限为11 ps 采用了闭循环交换气型低温光学恒温器和自主设计的低温样品杆,克服了常规谱仪低温下无法换样品的弊端,低温下换样品时间仅需5分钟,实现了3 K下皮秒瞬态荧光的快速检测。项目执行期间,申请相关专利7件,利用该仪器取得的实验数据已发表了SCI论文50多篇。   验收专家组对该仪器研制给予很高评价,认为其总体技术指标达到国际先进水平,其中3 K下皮秒瞬态荧光的快速检测等关键技术指标处于国际领先水平,标志着我国在高分辨激光光谱学领域的仪器研制创新能力取得了重要进展,为我国物理、化学和材料学等学科领域提供了一个先进的分析和研究平台。
  • “低温高分辨激光光谱测试系统的研制”通过专家验收
    11月25日,由中科院福建物构所陈学元研究员主持完成的中国科学院科研装备研制项目“低温高分辨激光光谱测试系统的研制”,通过中国科学院计划财务局组织的现场技术测试及专家验收。   该项目创新性地提出模块化和开放式光路设计方案,采用了多光栅组合、快响应微通道板型光电倍增管和时间相关单光子计数等技术,集成多种激光光源,成功地研制了低温高分辨激光光谱测试系统,实现了高灵敏度和高分辨率(时域和频率域)的超微弱荧光信号探测。所研制仪器的分辨率比最好的商用光谱仪提高了近20倍,可达到0.0057 nm 可测荧光寿命最短极限为11 ps 采用了闭循环交换气型低温光学恒温器和自主设计的低温样品杆,克服了常规谱仪低温下无法换样品的弊端,低温下换样品时间仅需5分钟,实现了3 K下皮秒瞬态荧光的快速检测。项目执行期间,申请相关专利7件,利用该仪器取得的实验数据已发表了SCI论文50多篇。   验收专家组对该仪器研制给予很高评价,认为其总体技术指标达到国际先进水平,其中3 K下皮秒瞬态荧光的快速检测等关键技术指标处于国际领先水平,标志着我国在高分辨激光光谱学领域的仪器研制创新能力取得了重要进展,为我国物理、化学和材料学等学科领域提供了一个先进的分析和研究平台。
  • 300万!华东师范大学时间-空间-角度分辨综合光谱检测仪项目
    项目编号:招案2022-3863项目名称:华东师范大学时间-空间-角度分辨综合光谱检测仪项目预算金额:300.0000000 万元(人民币)最高限价(如有):300.0000000 万元(人民币)采购需求:采购一套时间-空间-角度分辨综合光谱检测仪,主要用于全面研究微纳米材料的性质,包括材料形貌、结构、成分、电子能级、缺陷、光学响应等综合信息。同时可控的光学调控则需要获得样品全面的发光信息,包括发光位置、发光方向、发光时刻、发光波长、发光偏振等多维度信息。系统性能指标需满足共焦显微拉曼光谱,荧光光谱,角分辨光谱,以及时间分辨瞬态吸收光谱的单独和联合检测,具有多维度,多功能的精密光谱检测能力。(具体内容及要求详见招标文件第三部分-采购需求)合同履行期限:项目完成时间为合同签订后260天。本项目( 不接受 )联合体投标。

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  • 【求助】时间分辨荧光

    请教:请问PE的LS可以做时间分辨荧光免疫分析吗?与专用的时间分辨荧光光谱仪有什么区别吗?

  • 时间分辨荧光光谱测定不同氮化碳纳米结构的光催化性能研究

    时间分辨荧光光谱测定不同氮化碳纳米结构的光催化性能研究

    [align=center][b][font=黑体]时间分辨荧光光谱测定不同氮化碳纳米结构的光催化性能研究[/font][/b][/align][align=center][font=宋体]刘传德,束[/font][font=宋体]爽,魏[/font][font=宋体]巍[/font]*[/align][align=center][font=宋体]江苏大学[/font][font=宋体]分析测试中心[/font], [font=宋体]江苏[/font] [font=宋体]镇江[/font] 212013[/align][b][font=黑体]摘[/font][font=黑体]要[/font]: [/b][font=宋体]本文系统地研究了不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]纳米结构(块体[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和纳米线)光催化降解亚甲基蓝的活性及其在纳米尺度下的时间分辨荧光光谱。主要研究目的是阐明不同氮化碳纳米结构对光活性影响的因素。时间分辨荧光光谱表明,氮化碳纳米线形成了低的价导带和稳定的发光缺陷态,进而增长了其荧光寿命。研究进一步表明,氮化碳纳米线的界面发生的电子转移受氮化碳结构缺陷的影响。此外,光催化实验结果表明,与块体[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]相比所制备的纳米线具有更高的催化活性。[/font][b][font=黑体]关键词[/font]: [/b][font=宋体]氮化碳[/font][font=楷体_GB2312];[/font][font=宋体]纳米线;时间分辨荧光光谱;光催化活性[/font][align=center][b]Study on photocatalytic properties of different carbonnitride nanostructures determined by time-resolved fluorescence spectroscopy[/b][/align][align=center] LIU Chuan-de, SHU Shuang, WEI Wei *[/align][align=center]Analysis &Testing Center, Jiangsu University,Zhenjiang 212013, China[/align][b]Abstract:[/b]The time-resolved photoluminescence(PL) in the nanosecond time scale of different g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub]nanostructures (bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4 [/sub]and nanowires) has beensystematically investigated in relation to their photocatalytic degradation ofMethylene blue (MB). The main aim of the study is to elucidate the origin ofthe effects in photoactivity produced by different g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub]nanostructures. Time-resolved PL analysis indicates carbon nitride nanowiresintroduce new stabilized luminescent defective trap states below the conductionband revealed by long-living PL components. While analysis indicates that theelectron transfer occurring at the carbon nitride nanowires interface is affectedby the defective structure of carbon nitride. Furthermore, the photocatalyticexperimental results indicated that the as-prepared nanowires showed enhancedactivities compared with bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub].[b]Key words:[/b]carbon nitride nanowires time-resolvedphotoluminescence photocatalytic activity[font=宋体]石墨相氮化碳([/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体])是由[/font]N[font=宋体]桥连七嗪环([/font]C[sub]6[/sub]N[sub]7[/sub][font=宋体])结构单元构成的二维层状材料,它具有可见光响应、化学稳定性好、热稳定性高及成本低廉等突出优点[/font][sup][1, 2][/sup][font=宋体],在可见光催化水分解制氢[/font][sup][3][/sup][font=宋体]、二氧化碳还原[/font][sup][4][/sup][font=宋体]及环境治理[/font][sup][5][/sup][font=宋体]等领域得到了广泛应用,是近年备受研究人员关注的一种聚合物光催化材料。块体氮化碳([/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体])存在比表面积低、光生载流子易复合和光吸收有限等缺点[/font][sup][6][/sup][font=宋体],限制了石墨相氮化碳的实际应用前景。[/font][font=宋体]研究工作者通过调控[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的形貌来改善其催化活性[/font][sup][7][/sup][font=宋体],近年来,各种形态的纳米结构不断出现,已经报道的超薄纳米片、三维多孔等结构[/font][sup][3-5][/sup][font=宋体],此类结构都有这优异的特性,备受工作者青睐。[/font][font=宋体]时间分辨荧光光谱也叫瞬态荧光光谱,能够表征样品由基态受激发到激发态后,再由激发单重态回到基态辐射光子的过程,能够直接获得荧光衰减曲线,从而获得瞬态相关的物理机制,可以进一步研究光催化过程的光诱导电荷分离及其转移过程。[/font][font=宋体]我们利用高级稳态瞬态荧光测试系统,以可调谐皮秒激光器为激发光源,对制备的不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]纳米结构(块体[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和纳米线)进行荧光性能检测。考察不同形貌[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的瞬态寿命,辅以[/font]X[font=宋体]射线衍射仪、透射电子显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和比表面分析仪器等相应的检测手段,研究不同结构[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的相应性能,从而总结时间分辨荧光光谱寿命对催化性能的影响。[/font][b]1[/b][font=宋体]实验[/font][b]1.1[/b][font=黑体]材料与仪器[/font][font=宋体]三聚氰胺、三聚氰酸、无水乙醇、乙腈、亚甲基蓝均为分析纯,购自国药集团化学试剂公司;实验用水采用二次蒸馏水。[/font]X[font=宋体]射线衍射分析仪[/font]([font=宋体]德国[/font]Bruker [font=宋体]公司,[/font]D8 Advance)[font=宋体],扫描电子显微镜[/font]([font=宋体]日本[/font]JEOL[font=宋体]公司,[/font]JSM-7001F)[font=宋体],透射电子显微镜[/font]([font=宋体]日本[/font]JEOL[font=宋体]公司,[/font]JEM-1200EX)[font=宋体],傅里叶红外光谱仪[/font]([font=宋体]美国赛默飞世尔科技有限公司,[/font]Nicolet 50)[font=宋体],紫外可见分光光度计[/font]([font=宋体]日本岛津公司,[/font]UV-2450)[font=宋体],全自动比表面和孔隙分析仪[/font]([font=宋体]美国康塔公司,[/font]NOVA4200E)[font=宋体]、高级稳态瞬态荧光测试系统[/font]([font=宋体]美国[/font]Photon Technology International[font=宋体]公司,[/font]QM4m)[font=宋体]。[/font][b]1.2[font=黑体]不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=黑体]纳米结构的制备[/font][/b][font=宋体]首先,称取等摩尔比的三聚氰胺和三聚氰酸,直接溶解于[/font]60 mL[font=宋体]的乙腈中,充分搅拌[/font]12h[font=宋体],待搅拌结束后,用乙腈清洗数遍后,在[/font]80[font=宋体]℃下干燥[/font]12h[font=宋体],获得白色粉末。将白色粉末分散于[/font]80 mL[font=宋体]的乙腈中,放入[/font]100mL[font=宋体]的内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中,密封在[/font]180[font=宋体]℃下反应[/font]24h[font=宋体],反应结束后,离心洗涤多次,在[/font]80[font=宋体]℃下干燥[/font]12h[font=宋体]获得前驱体。将前驱体放入坩埚中于管式炉中在氮气保护[/font]500[font=宋体]℃下煅烧[/font]2h[font=宋体],待管式炉自然冷却至室温,取样品袋备用,标记为[/font]CNWs[font=宋体]。作为参比,根据之前的报道直接热解三聚氰胺获得样品,标记为[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][sup][3, 6][/sup][font=宋体]。[/font][b]1.3[font=黑体]光催化活性测试[/font][/b][font=宋体]取[/font]0.1g[font=宋体]催化剂加入到[/font]100mL 10 mg/L[font=宋体]亚甲基蓝溶液,暗反应[/font]30min[font=宋体]以保证吸附[/font]-[font=宋体]脱附达到平衡,然后打开光源([/font]350 W[font=宋体]氙灯)照射在每隔[/font]30min[font=宋体]取出约[/font]3mL[font=宋体]液体,离心分离,利用采用紫外可见分光光度计测定溶液的吸光度。亚甲基蓝溶液的脱色率用以下公式计算:[/font][font=宋体]降解率[img=,433,65]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091630259980_5308_5248244_3.png!w433x65.jpg[/img][/font][font=宋体]式中:[/font][i]C[sub]0[/sub][/i]—[font=宋体]原溶液中亚甲基蓝的初始质量浓度;[/font][i]C[sub]e[/sub][/i]—[font=宋体]亚甲基蓝溶液降解后的质量浓度;[/font][i]A[sub]0[/sub][/i]—[font=宋体]原溶液中亚甲基蓝的初始吸光度;[/font][i]A[sub]e[/sub][/i]—[font=宋体]亚甲基蓝溶液降解后的吸光度。[/font][b] 2 [/b][font=宋体]结果与分析[/font][b]2.1[font=黑体]不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=黑体]纳米结构的表征[/font][/b][align=center][img=,690,265]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091629425631_5031_5248244_3.png!w690x265.jpg[/img][/align][align=center][font=宋体]图[/font]1 [font=宋体]所制备的[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的[/font]XRD[font=宋体]谱图[/font](a)[font=宋体]和红外光谱图[/font](b)[/align][align=center] Fig. 1 XRD patterns (a) and FT-IR spectra (b)for the as-prepared samples: bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub] and CNWs.[/align][b]2.1.1[/b][font=楷体_GB2312]样品的晶相分析[/font][font=宋体]图[/font]1(a)[font=宋体]为[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的[/font]XRD[font=宋体]谱图。在[/font]12.8[font=宋体]°和[/font] 27.3[font=宋体]°处出现石墨相氮化碳的特征衍射峰,与标准[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的晶面相相吻合[/font][font=宋体],分别对应于[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的[/font](100)[font=宋体]和[/font](002)[font=宋体]晶面,[/font][font=宋体]且未观测到其它特征峰,表明采用超分子自组装法能够制备[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][sup] [6][/sup][font=宋体]。[/font]12.8[font=宋体]°处的衍射峰归属于[/font]melon[font=宋体]类物质的特征峰,由体系内缩聚的三嗪单元的有序排列引起;[/font]27.3[font=宋体]°处的衍射峰归属于典型层间堆积的共轭芳香体系,表明[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]具有类石墨的层状结构[/font][sup][4][/sup][font=宋体]。[/font][align=center][font=宋体][img=,690,297]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091630100029_8764_5248244_3.png!w690x297.jpg[/img]图[/font]2[font=宋体]所制备的[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]样品的[/font]TEM[font=宋体]图:[/font](a) bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font](b) CNWs[/align][align=center]Fig. 2 RepresentativeTEM micrographs of (a) bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub] and (b) CNWs.[/align][font=宋体]此外,与[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]相比,[/font]CNWs[font=宋体]处于[/font]27.2[font=宋体]°处的峰出现偏移,说明该材料的晶面间距增大,表明层状结构被破坏,且强度变弱,说明采用超分子自组装法合成的[/font]CNWs[font=宋体]具有更高的缺陷率[/font][sup][8][/sup][font=宋体]。图[/font]1(b)[font=宋体]为[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的红外光谱图。[/font]CNWs[font=宋体]的红外吸收峰位与[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]基本一致,均表现出典型的[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]特征振动模型,说明两种纳米结构的[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]表观官能团结构相似,[/font]810 cm[sup]-1[/sup][font=宋体]处的吸收峰归属于三嗪结构单元典型的弯曲振动模式[/font][sup][4][/sup][font=宋体],[/font]890 cm[sup]-1[/sup][font=宋体]处的吸收峰归属于[/font]N-H[font=宋体]键的弯曲变形,[/font]1240~1640 cm[sup]-1[/sup][font=宋体]处的吸收峰是典型的芳香型碳氮杂环([/font]C–N(–C)–C [font=宋体]或[/font] C–NH–C[font=宋体])的伸缩振动峰[/font][sup][9][/sup][font=宋体]。同时,与[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]相比,[/font]CNWs[font=宋体]在[/font]3000 cm[sup]-1[/sup][font=宋体]处有更强的吸收峰([/font]N-H[font=宋体]的弯曲振动峰),表明[/font]CNWs[font=宋体]中有较多的氨基基团。[/font][b]2.1.2[/b][font=楷体_GB2312]样品的形貌分析[/font][font=宋体]图[/font]2[font=宋体]为[/font][font=宋体]所制备的[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]样品的[/font]TEM[font=宋体]图。由图可见,与直接热解三聚氰胺得到的层状堆叠结构的[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]相比,[/font]CNWs[font=宋体]形成了纳米线结构。这种特殊形貌的形成是因为非共价键(氢键和卤键)在超分子自组装过程中的引导作用[/font][sup][9][/sup][font=宋体],使得三聚氰胺和三聚氰酸分子出现定向排布,最终形成纳米线构型。[/font][b]2.1.3[/b][font=楷体_GB2312]样品的紫外光谱及比表面积分析[/font][align=center][font=宋体][img=,690,261]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091630395450_9441_5248244_3.png!w690x261.jpg[/img]图[/font]3[font=宋体]所制备的[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的[/font]Uv-vis[font=宋体]谱图[/font](a)[font=宋体]和氮气吸附[/font]/[font=宋体]脱附等温曲线[/font](b)[/align][align=center]Fig. 3 (a)Uv-vis diffuse reflectance spectra of bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub] andCNWs (b) Nitrogen adsorption/desorption isotherm curves of bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub]and CNWs[/align][font=宋体]光吸收性能是影响样品的光催化活性的重要因素。图[/font]3(a)[font=宋体]为[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的紫外可见漫反射光谱图。从图中可以发现,制备的[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的最大吸收边为[/font]465 nm[font=宋体],而具有纳米线形貌的[/font]CNWs[font=宋体]的最大吸收边发生了明显的红移,大大增强了其对可见光的响应。相比[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体],超分子自组装法制备的纳米线在光吸收能力上显著增强,提高了其对可见光的利用率。根据[/font]Tauc plot[font=宋体]公式计算[/font][sup][3][/sup][font=宋体],[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]禁带宽度为[/font]2.62 eV[font=宋体],而氮化碳纳米线的禁带宽度为[/font]1.52 eV[font=宋体],形成了较低的价导带,表明了光吸收性能得到了有效的改善,可能由于入射光在纳米线堆中多次反射后增大了光吸收的有效光程所致[/font][sup][10][/sup][font=宋体]。图[/font]3(b)[font=宋体]为[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的的[/font][font=宋体]氮气吸附[/font]/[font=宋体]脱附等温曲线。经吸附脱附等温线测试得分析[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]表现出典型的第Ⅳ类等温线特征,其比表面积为[/font]74.25 m[sup]2[/sup]g[sup]-1[/sup][font=宋体]和[/font]60.16 m[sup]2[/sup]g[sup]-1[/sup][font=宋体]。[/font]CNWs[font=宋体]在[/font]p/p[sub]0[/sub] = 0.8- 1.0 [font=宋体]质检出现滞后环,表明其内部结构介孔较多,且孔径较大,纳米线结构有利于分子的穿插和吸附,增强了反应分子的传质效率[/font][sup][5,11][/sup][font=宋体]。[/font][align=center][img=,690,269]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091630514303_7222_5248244_3.png!w690x269.jpg[/img][/align][align=center][font=宋体]图[/font]4 (a) bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的荧光光谱图[/font] (b)bulkg-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的时间分辨荧光光谱寿命图[/font][/align][align=center]Fig.4 (a) Photoluminescence spectra of bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4 [/sub]and CNWs (b) Time-resolvedfluorescence decay spectra of bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4 [/sub]and CNWs[/align][b]2.1.4 [/b][font=楷体_GB2312]样品的光学性质分析[/font][font=宋体]光致发光光谱中荧光强度越弱表明光生电子空穴复合作用越弱,光量子效率越高,说明光催化性能越好。荧光光谱的强度是反应半导体中光致电子空穴分离和复合效率的重要手段,其峰值强度越大往往代表着较低的电子空穴复合速率以及较高的光催化活性[/font][sup][3][/sup][font=宋体]。图[/font]4(a)[font=宋体]显示的是在[/font]350 nm[font=宋体]处激发的[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的荧光光谱图。[/font]bulkg-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]在[/font]469 nm[font=宋体]处有一个强度较高的发射峰,然而[/font]CNWs[font=宋体]的发射峰强度比[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的强度急剧下降,说明[/font]CNWs[font=宋体]拥有相对较低的电子空穴复合速率。从中推测[/font]CNWs[font=宋体]的纳米线结构形成有效的界面电子转移,从而大幅抑制光生载荷子的复合[/font][sup][8][/sup][font=宋体],实现[/font]TiO[sub]2[/sub][font=宋体]光催化活性的提高,这与上述[/font]Uv-vis[font=宋体]分析结果一致。[/font][font=宋体]为了进一步研究不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的光生载流子的光物理性质,采用时间分辨荧光光谱定量测定样品的荧光寿命,以高级稳态瞬态荧光测试系统可调谐皮秒激光器为激发光源,激发光波长为[/font]337 nm[font=宋体],检测荧光发射信号在样品荧光发射峰[/font]469 nm[font=宋体]位置。图[/font]4(b)[font=宋体]为[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的时间分辨荧光光谱寿命图。采用单指数衰减方程[/font][sup][4][/sup][font=宋体]来拟合相应的荧光衰减曲线,经拟合计算[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]的平均荧光寿命分别为[/font]2.36 ns[font=宋体]和[/font]3.29 ns[font=宋体]。可见,[/font]CNWs[font=宋体]的光生载流子复合率较低,可能与的二维线性结构和改变的电子能带有关[/font][sup][10][/sup][font=宋体]。时间分辨荧光光谱寿命进一步表明,[/font]CNWs[font=宋体]体系中的光生电子具有较长的荧光寿命。由此,利用二维纳米线结构,促进材料间的光生电荷快速迁移,使催化剂的光生电子与空穴能够有效分离与传输,并保持较强的氧化还原能力[/font][sup][11][/sup][font=宋体]。[/font][b]2.2[font=宋体]不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]纳米结构的光催化性能[/font][/b][font=宋体]图[/font]5 [font=宋体]为制备的不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]纳米结构样品随光照时间的变化降解亚甲基蓝([/font]MB[font=宋体])的降解率曲线及降解有机染料[/font]MB[font=宋体],对比两种不同形貌[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]的光催化活性。[/font]bulk g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]和[/font]CNWs[font=宋体]对[/font]MB[font=宋体]的降解率分别为[/font]71.08%[font=宋体]和[/font]98.52%[font=宋体],纳米线具有更大比表面积的纳米线结构有利于[/font]MB[font=宋体]吸附,提供了更多的反应位点;其二维结构促进了电荷转移传输,增大了光生载流子的转移效率和存活时间,使得催化效率得到了进一步提高[/font][sup][5, 8,12][/sup][font=宋体]。[/font][align=center][img=,690,272]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/10/202310091631019684_8928_5248244_3.png!w690x272.jpg[/img][/align][align=center][font=宋体]图[/font]5 [font=宋体]不同[/font]g-C[sub]3[/sub]N[sub]4[/sub][font=宋体]样品对亚甲基蓝的降解率[/font] (a) [font=宋体]和降解动力学曲线[/font] (b) [/align][align=center]Fig. 5 (a) Degradation of MB by differentsamples and (b) degradation kinetics curve of different samples.[/align][b] 3[font=宋体]结[/font][font=宋体]论[/font][/b][font=宋体]二维线性结构的氮化碳纳米线结构形成有效的界面电子转移,大幅抑制光生载荷子的复合,使得光催化活性明显高于块体氮化碳。借助时间分辨荧光光谱寿命研究了不同氮化碳的荧光性能,进一步证明了纳米线具有更长的荧光寿命,表明氮化碳纳米线的界面发生的电子转移受氮化碳结构缺陷的影响,提高了氮化碳的光催化性能。[/font][font=黑体]参考文献:[/font][1] Wang, Y., Wang, X., & Antonietti, M. (2012).Polymeric graphitic carbon nitride as a heterogeneous organocatalyst: fromphotochemistry to multipurpose catalysis to sustainable chemistry. [i]AngewandteChemie International Edition[/i], [i]51[/i](1), 68-89.[2] Wang, X., Blechert, S., & Antonietti, M.(2012). Polymeric graphitic carbon nitride for heterogeneousphotocatalysis. [i]Acs Catalysis[/i], [i]2[/i](8), 1596-1606.[3] Cao, S., Low, J., Yu, J., & Jaroniec, M.(2015). Polymeric photocatalysts based on graphitic carbon nitride. [i]AdvancedMaterials[/i], [i]27[/i](13), 2150-2176.[4] Zhao, Z., Sun, Y., & Dong, F. (2015). Graphiticcarbon nitride based nanocomposites: a review. [i]Nanoscale[/i], [i]7[/i](1),15-37.[5] Zheng, Y., Lin, L., Wang, B., & Wang, X.(2015). Graphitic carbon nitride polymers toward sustainable photoredoxcatalysis. [i]Angewandte Chemie International Edition[/i], [i]54[/i](44),12868-12884.[6] Ma, T. Y., Cao, J. L., Jaroniec, M., & Qiao, S.Z. (2016). Interacting carbon nitride and titanium carbide nanosheets for high[font=宋体]-[/font]performance oxygen Evolution. [i]AngewandteChemie International Edition[/i], [i]55[/i](3), 1138-1142.[7] Xia, P., Zhu, B., Yu, J., Cao, S., & Jaroniec,M. (2017). Ultra-thin nanosheet assemblies of graphitic carbon nitride forenhanced photocatalytic CO[sub]2[/sub] reduction. [i]Journal of MaterialsChemistry A[/i], [i]5[/i](7), 3230-3238.[8] Cui, Q., Xu, J., Wang, X., Li, L., Antonietti, M.,& Shalom, M. (2016). Phenyl[font=宋体]-[/font]modified carbon nitride quantum dots with distinct photoluminescenceBehavior. [i]Angewandte Chemie International Edition[/i], [i]55[/i](11),3672-3676.[9] Zhou, C., Lai, C., Huang, D., Zeng, G., Zhang, C.,Cheng, M., ... & Wen, X. (2018). Highly porous carbon nitride bysupramolecular preassembly of monomers for photocatalytic removal ofsulfamethazine under visible light driven. [i]Applied Catalysis B:Environmental[/i], [i]220[/i], 202-210.[10] Niu, P., Qiao, M., Li, Y., Huang, L., & Zhai,T. (2018). Distinctive defects engineering in graphitic carbon nitride forgreatly extended visible light photocatalytic hydrogen evolution. [i]NanoEnergy[/i], [i]44[/i], 73-81.[11] Xia, P., Antonietti, M., Zhu, B., Heil, T., Yu,J., & Cao, S. (2019). Designing defective crystalline carbon nitride to enableselective CO[sub]2[/sub] photoreduction in the gas phase. [i]AdvancedFunctional Materials[/i], 1900093.[12] Zhang, G., Li, G., Heil, T., Zafeiratos, S., Lai,F., Savateev, A., ... & Wang, X. (2019). Tailoring the grain boundary chemistryof polymeric carbon nitride for enhanced solar hydrogen production and CO[sub]2[/sub]reduction. [i]Angewandte Chemie International Edition[/i], [i]131[/i](11),3471-3475.

时间分辨荧光光谱相关的资料

时间分辨荧光光谱相关的仪器

  • 系统主要功能指标:宽光谱测量范围:UV-VIS-NIR, 200-900nm 高系统时间分辨率: =5ps寿命衰减测量时间范围:=50ps—100us 高系统光谱分辨率: 0.1nm宽单次成谱范围: =200nm静态(稳态)光谱采集,瞬态时间分辨光谱图像及荧光寿命曲线系统集成整体控制及数据处理软件超快时间分辨光谱系统 是由光谱仪、超快探测器、耦合光路、系统控制及数据处理软件组成。光谱仪对入射光信号进行分光,分光光谱耦合到超快探测器,入射光由透镜聚焦在阴极上,激发出的光电子通过阳极加速,入射到偏转场中的电极间,此时电压加在偏转电极上,光电子被电场偏转,激射荧光屏,以光信号的形式成像在荧光屏上。转换后的光信号还可以再通过图像增强器进行能量放大,并在图像增强器的荧光屏上成像。最后通过制冷相机采集荧光屏上信号。因为电子的偏转与其承受的偏转电场成正比,因此,通过电极的时间差就可以作为荧光屏上条纹成像的位置差被记录下来,也就是将入射光的时间轴转换成了荧光屏空间轴。系统控制软件用于整个系统的参数设置、功能切换、数据采集等,图像工作站用于采集数据处理分析主要应用方向超快化学发光超快物理发光超快放电过程超快闪烁体发光时间分辨荧光光谱,荧光寿命,半导体材料时间分辨PL谱钙钛矿材料时间分辨PL谱瞬态吸收谱,时间分辨拉曼光谱测量光通讯,量子器件的响应测量自由电子激光,超短激光技术各种等离子体发光 汤姆逊散射,激光雷达。。。。。。 光谱仪建议选型参数列表光谱仪型号Omni-λ2002iOmni-λ3004iOmni-λ5004iOmni-λ7504i光谱仪焦距200mm320mm500mm750mm相对孔径F/3.5F/4.2F/6.5F/9.7光谱分辨率(1200l/mm)0.3nm0.1nm0.08nm0.05nm波长准确度+/-0.2nm+/-0.2nm+/-0.15nm+/-0.1nm倒线色散(1200l/mm)3.6nm/mm2.3nm/mm1.7nm/mm1.1nm/mm光栅尺寸50*50mm68*68mm68*68mm68*68mm光栅台双光栅三光栅三光栅三光栅与探测器耦合中继光路1:1耦合,配合二维焦面精密调节一体化底板系统光谱分辨率(1200l/mm)=0.3nm=0.2nm=0.1nm0.08nm一次摄谱范围(150 l/mm)230nm150nm90nm60nm光谱仪入口选项光纤及光纤接口,标准荧光样品室,镜头收集耦合,共聚焦显微收集耦合等多系统灵活组合超快时间分辨光谱测试系统既可以与飞秒超快光源配合完成独立的光谱测试,也可以与卓立汉光的其他系统比如 TCSPC, RTS&FLIM显微荧光寿命成像系统,TAM900宽场瞬态吸收成像系统,以及低温制冷室,飞秒&皮秒激光器等配合完成更为复杂全面的超快测试。Zolix其他可配合超快测量系统lRTS2& FLIM 显微荧光寿命成像系统光谱扫描范围:200-900nm(可拓展)最小时间分辨率:16ps荧光寿命测量范围:500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器激发源: 375nm- 670nm 皮秒脉冲激光器可选,或使用飞秒光源科研级正置显微镜及电动位移台空间分辨率:≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件Omni-TAM900 宽场飞秒瞬态吸收成像系统测量模式:1:点泵浦-宽场探测:测量载流子迁移和热导率等;2:宽场泵浦-宽场探测:测量载流子分布和物理态的空间异质性等。探测器:sCMOS相机成像空间分辨率:优于500nm载流子迁移定位精度 优于30nm时间延时范围:0-4ns或0-8ns可选搭配倒置显微镜,可兼容低温,探针台,电学调控等模块20ps 的钙钛矿薄膜ASE 发光寿命曲线
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  • 仪器简介:■ 红外吸收光谱测量范围:2-10µ m(MCT)/1-5.5µ m(InSb)■ 时间分辨率:50ns(MCT)/25ns(InSb)■ 碳化硅红外辐射源,波长范围1-16µ m■ 镀金反射镜,增加红外光收集效率■ 红外辐射源既可做为加热源,又可做为光谱透射测量的辐射源■ 既可测量通过样品的连续光谱透射(吸收),也可测量时间分辨红外光谱技术参数:■ 红外吸收光谱测量范围:2-10µ m(MCT)/1-5.5µ m(InSb)■ 时间分辨率:50ns(MCT)/25ns(InSb)■ 碳化硅红外辐射源,波长范围1-16µ m■ 镀金反射镜,增加红外光收集效率■ 红外辐射源既可做为加热源,又可做为光谱透射测量的辐射源■ 既可测量通过样品的连续光谱透射(吸收),也可测量时间分辨红外光谱主要特点:■ 红外吸收光谱测量范围:2-10µ m(MCT)/1-5.5µ m(InSb)■ 时间分辨率:50ns(MCT)/25ns(InSb)■ 碳化硅红外辐射源,波长范围1-16µ m■ 镀金反射镜,增加红外光收集效率■ 红外辐射源既可做为加热源,又可做为光谱透射测量的辐射源■ 既可测量通过样品的连续光谱透射(吸收),也可测量时间分辨红外光谱
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  • 近中红外荧光光谱系统近中红外具体指哪个波段?红外波,是电磁频谱中的重要组成部分。相较于我们常说的可见光波段,是人眼所无法看到的成分。红外辐射覆盖从700nm到1mm的范围,常见地按照波段进行区分,红外分为以下几个部分:近红外(0.751.4μm)、短波红外(1.4-3μm)、中红外(3-8μm)、长波红外(8-15μm)、远红外(15-1000μm),所以近中红外区我们大致概括为700nm到8μm范围。红外与电磁波谱的关系波段波长范围应用领域近红外0.75 - 1.4μm材料科学、光纤通信,医学领域短波红外1.4 - 3μm电信和军事应用中红外3 - 8μm化学工业和天文学长波红外8 - 15μm天文望远镜和光纤通信远红外15 - 1000μm通常用于癌症治疗不同红外区的波段及应用近中红外荧光材料的典型应用——近中红外激光晶体Er:YAG和Cr,Er:YAG激光晶体棒的图片由于3μm中红外波段激光在军工领域、激光理疗设备及环境监测等领域有着重要的应用前景,稀土离子掺杂的固体激光材料因此得到广泛关注及大量研究。较早被研究的材料有基于808nm、980nm激光器激发的Er3+的2.7μm发射(4I11/2-4I13/2跃迁),随着半导体激光器在短波长逐渐成熟,衍生出了Ho3+离子掺杂的LiYF4,使用640nm的激光激发可产生1.2μm(5I6-5I8),2.0μm(5I7-5I8),2.8-3μm(5I5-5I7)均具有较强的荧光,再有硫系玻璃如Ho3+掺杂的Ge-Ga-S-CsI玻璃,在900nm激发下能够发射2.81μm(5I6-5I7)和3.86μm(5I5-5I6)。近中红外客户案例与实测数据1) 掺铒微晶玻璃的中红外荧光光谱在众多激光玻璃材料中,由于Er离子掺杂的氟化物玻璃具有较低的声子能量、优异的中红外透过特性、较高的激光损伤阈值,因此它是目前实现2.7μm波段光纤激光器的候选材料并备受关注,其2.7μm波段发光源于Er3+离子的4I11/2-4I13/2跃迁。采用卓立汉光中红外荧光测试系统,系统组成:980nm激光器、Omni-λ5015i影像校正型红外单色仪、红外镀金反射式样品室、液氮制冷型InSb探测器(光谱响应范围1-5.5um)。掺铒中红外荧光微晶玻璃PL谱测试结果,发射峰在2.7μm左右。2) 近中红外荧光光谱系统配置808nm,980nm激光器掺Er离子样品发射在1550nm,2730nm左右。3) 近中红外荧光光谱系统PbS量子点ns寿命测量及时间分辨荧光光谱碲酸盐玻璃掺杂硫酸锌YAG:Er晶体系统性能及指标稳态测试发射光谱:1-5.5μm(选配探测器拓宽光谱范围)瞬态测试荧光寿命衰减尺度:μs-ms-s(需配置示波器,具体视激发光源而定)激发光源连续激光808nm、980nm、1064nm、1550nm、1940nm等OPO可调谐激光器可选输出范围:3000-3450nm,2700-3100nm,650-2400nm,410-2400nm,210-2400nm。重复频率:20Hz,脉冲:≤6ns,mJ级别的单脉冲能量纳秒固体激光器2940nm,1064nm,532nm等光路切换外置3路激光切换装置,通过推拉装置进行光路切换,无需移动或调整激光样品仓结构红外专用镀金反射式样品仓,带两个激光吸收阱,带高通滤光片插槽样品架标配:液体、粉末、薄膜样品架光谱仪光路结构Czerny-Turner(CT)光路设计,焦距:320mm,杂散光:1*10-5光栅配置配置三块进口光栅,尺寸:68mm×68mm光子计数型探测模块近红外光电倍增管950-1700nm,TE制冷型,制冷温度:-60℃,最小有效面积Ø 1.6mm,增益:1×106,阳极暗计数:2.5×105,阳极脉冲上升时间:0.9ns近红外光电倍增管300-1700nm,液氮制冷型,制冷温度:-80℃,最小有效面积3×8mm,增益:1×106,阳极暗计数:2.5×105,阳极脉冲上升时间:3ns单光子计数器计数率:100Mcps,采样速率:1MB/S,四通道模拟输入:1-10V,通道数:10000时间相关单光子计数器计数率:100Mcps,分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps,通道数:65535模拟信号型探测模块TE-InGaAs探测器800-1700nm,TE制冷型,制冷温度:-40℃,光敏面直径:3mm,峰值响应度:0.9 A/W,配置温控器及前置放大器,温度稳定度:±0.5℃,信号输出模式:电流TE-InGaAs探测器800-2600nm,TE制冷型,制冷温度:-40℃,光敏面直径:3mm,峰值响应度:1.2 A/W,配置温控器及前置放大器,温度稳定度:±0.5℃,信号输出模式:电流LN-InSb探测器1-5.5μm,液氮制冷型,制冷温度:77K,光敏面尺寸:Ø 2mm,峰值响应度:3A/W,配置前置放大器,信号输出模式:电流LN-MCT探测器2-12μm(另有14μm、16μm、22μm选项),液氮制冷型,制冷温度:77K,光敏面尺寸:1×1mm,峰值响应度:3x103V/W,配置前置放大器,信号输出模式:电压锁相放大器参考信号通道,频率范围:50mHz至102kHz,输入阻抗:1MΩ/25pF,输入信号类型:方波或正弦波,相位分辨率:0.01°,相位漂移:低于10kHz 0.1°/℃;高于10kHz:0.5°/℃斩波器频率范围:标配20~1KHz( 10孔),30~1.5KHz(15孔),60~3KHz(30孔),TTL/COMS电平输入输出,频率稳定性:250ppm/℃,频率漂移:1%,输入输出连接器:BNC时序控制器可编程延时发生器脉冲通道个数:6个,一个T(时钟基准),其他为CH1-CH5,单个脉冲周期:最小值100ns(10MHz),最大值1s(1Hz),单个脉冲宽度:≥50ns,脉冲延迟:100ns-1s(基于T通道时钟),脉冲输出高电平:T,CH1-CH2:5±0.5V/20mA;CH3:4.5V±0.5V/100mA(适用于50Ω输入阻抗外设);CH4-CH5:3.3±0.5V/高阻,分辨率:1μs,上升时间:4-6ns电源:USB供电:5V/500mA,通讯接口:USB2.0,输出接口:SMA示波器示波器模拟带宽:500 MHz,通道数:4+ EXT,实时采样率:5GSa/s(交织模式),2.5GSa/s(非交织模式),存储深度:250Mpts/ch(交织模式),125 Mpts/ch(非交织模式)电脑及软件标配电脑标配操作系统Windows系统Omni-Win控制软件稳态测试功能:激发扫描,发射扫描,同步扫描,三维扫描瞬态测试功能:动力学扫描,寿命扫描,时间分辨光谱扫描可选功能:温度控制扫描光学平台阻尼隔振光学平台尺寸(L×W×H):1500mm×1000mm×800mm阻尼隔振光学平台尺寸(L×W×H):1800mm×1200mm×800mm相关文章成果液氮制冷型MCT检测器1、基于全光纤结构的2-6.5μm红外高能量超连续光源输出光谱测量[1] (a) 不同长度的As2S3光纤输出光谱测量 (b) 4m As2S3 光纤在不同输入光能量下的输出光谱2、PPLN晶体中通过温度调谐自由差频产生的连续波2.9-3.8μm 随机激光光谱测量[2]2.9μm-3.8μm可调谐中红外随机激光光谱测量液氮制冷型InSb检测器1、中红外发光硫卤玻璃陶瓷中红外发光研究[3],通过引入Ga2S3纳米晶,极大增强了硫卤玻璃陶瓷位于2.3和3.8μm处的中红外发光强度。下图为440℃不同热处理时间下的硫卤玻璃陶瓷中红外发射光谱测试,浅蓝曲线为主体玻璃陶瓷的发光。硫卤玻璃陶瓷中红外发射光谱2、能量转移相关的Ho3+掺杂Yb3+敏化氟铝酸玻璃的中红外2.85μm发光研究[4]Ho3+/Yb3+ 掺杂氟铝酸玻璃的中红外荧光光谱TE制冷型InGaAs检测器Bi:CsI晶体的超宽近红外发光光谱[5]300K不同激发波长下Bi:CsI 晶体的近红外发光光谱参考文献:【1】Bin Yan etal, Optics Express, Vol. 29, No. 3【2】Bo Hu etal, Science China-Information Sciences , August 2023, Vol. 66【3】Shixun Dai etal, Journal of Non-Crystalline Solids 357 (2011) 2302–2305【4】Beier Zhou etal,Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer, 149(2014)41–50【5】Liangbi Su etal, OPTICS LETTERS , Vol. 36, No. 23, December 1, 2011
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时间分辨荧光光谱相关的耗材

  • TPX3Cam用于纳秒光子时间戳的单光子快速光学相机 (1.6ns时间分辨高速成像光学相机)
    总览荷兰ASI出品的TPX3Cam是一款用于光学光子时间戳的快速光学相机。它基于一种新型硅像素传感器,并结合了Timepix3 ASIC和读出芯片技术,适用于电子、离子或单光子等需要时间分辨成像的各种应用。TPX3Cam可以很容易地集成在桌上型研究装置中,也可以集成在同步加速器或自由电子激光环境中。使用TPX3Cam,可在速度映射成像设备中测量电子和离子。纳秒级的时间分辨率和数据采集速率使我们能够以前所未有的方式进行测量。TPX3Cam能够在400至1000 nm波长范围内以高量子效率同时对超过1000个光子的闪烁光进行成像和时间戳记。它可以在VMI(速度映射成像)装置中高效地记录撞击在MCP(微通道板)上的离子。 MCP耦合到一个快速P47磷光体屏,该屏产生响应离子撞击MCP的闪烁光。TPX3Cam放置在真空之外,能检测来自磷光体屏的闪光。在TPX3Cam中,所有单个像素都可独立工作,且能对伴随发生的' 事件' 进行时间戳记。 这就将成像传感器变成了快速数字转换器阵列,具有并行作用的空间和时间分辨率,因此可以同时记录多个离子种类,允许进行符合测量和协方差分析。 工作波长400-1000nm 技术参数优点光敏硅传感器波长范围:400 - 1000nm每像素的同时检测时间(ToA)和强度(ToT)时间分辨率1.6ns,有效帧率 500 MHz无噪声、数据驱动读数,高达80 Mhits/s (10Gb/s)灵活光学设计 下图:TPX3CAM能够同时对超过1000个光子进行成像和时间标记,在400到1000 nm波长范围内具有高量子效率。它可以在VMI(速度图成像)配置中有效地记录撞击在微通道板上的离子。MCP与快速P47荧光粉耦合,当离子撞击MCP时,该荧光粉会产生闪光。TPX3CAM,放置在真空之外,可以检测荧光粉的闪光。“在TPX3CAM中,所有单个像素都独立工作,能够对‘事件’进行时间标记。这将成像传感器转变成一个快速数化器阵列,具有空间和时间分辨率,同时发挥作用,因此可以同时记录多个离子种类,从而进行重合和协方差分析。"应用离子和电子成像TPX3CAM的应用包括飞行时间质谱中离子的空间和速度图成像;离子和电子的符合成像,以及其他时间分辨成像光谱类型。TPX3CAM能够以1.6 ns的时间分辨率检测离子撞击并对其进行时标记,从而可以同时记录所有碎片离子的离子动量图像。这种单检测器设计简单、灵活,能够进行高度差分测量。右边的图像显示了CH2IBr的离子TOF质谱,该质谱是在德国汉堡同步加速器的闪光光源下,用TimepixCam(TPX3CAM的之前型号)记录的,在强激光脉冲强场电离后,以及每个探测器的图像在TOF光谱中的峰值。单光子成像强化版TPX3CAM可以是单光子敏感的。在这种配置中,检测器与现成的图像增强器结合使用。应用包括宽场时间相关单光子计数成像(TCSPC),磷光寿命成像和任何需要时间分辨单光子成像的应用。 图像(a): 通过TimepixCam获得,TimepixCam是TPX3CAM的前一个模型。图像(b):对于(a)中所示的A1-A4区域,强度是时间的函数(磷光衰减),磷光衰减和拟合的残差具有单指数拟合。 规格传感器材料光敏性增强的硅波长范围400 - 1000 nm探测范围~1000光子/每像素 光学传感器活动区域14.1 x 14.1 mm2类型C型接口成像专用集成电路类型Timepix3像素间隔55 µm像素数量256 x 256阈值数量1吞吐量10 Gb/s 的情况下,高达80 Mhits/s1 Gb/s的情况下,高达15 Mhits/s停滞时间读数停滞时间为0时间分辨率1.6 ns有效帧速率 500 MHz像素击中停滞时间~1 µs读出模式数据驱动,通过每像素ToA和ToT检测同步时间和强度其他参数计算机接口1 Gb/10 Gb外部快门控制 有外部信号时间戳260 ps重量2.2 kg尺寸(长x宽x高)28.8 x 8 x 9 cm冷却空气采集软件Windows/ Linux/Mac的图形用户界面
  • 应用于时间分辨PIV的高重频激光器
    LDY300 PIV 系列 应用于时间分辨PIV的高重频激光器特点: —高能量@527nm —0-20KHz连续可变 —可在现场更换的泵浦模块 —专用PIV激光头 —薄殷钢光学轨道 —坚固耐用的工业设计应用: —PIV —粒子筛选 —Ti:S泵浦 LDY300系列是半导体泵浦,双腔,Q开关Nd:YLF激光系统,适用于高速PIV.输出能量高达30mJ@1kHz(每个腔)@527nm。激光器建立在一个坚固的自承重殷钢轨道上,机械性能优异,光学稳定性好。配合专利的谐振腔设计,输出光束在时间/空间上分布平滑,稳定,从而提供几乎相同的间隔照明。
  • 超分辨成像缓冲体系试剂盒
    超分辨成像缓冲体系试剂盒用途:本试剂盒提供超分辨荧光成像所需的全套成像缓冲体系。规格:包含可进行50次独立实验的用量,每次实验可检测10个样品。1)试剂成分和pH稳定,能保证长时间的成像效果,且对样品无损伤;2)试剂盒内所有内容物均采用灭菌处理,无污染,且不产生背景荧光;3)方便快捷,用户只需提供样品,加入本品即可进行超分辨荧光成像;4)操作简单,即开即用,无需复杂配制过程,无需专业人员即可完成。
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