溴化硅

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  • 了解氮化硅性质！

    化学式Si3N4，,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度3.44克/厘米3(20℃)；有两种变体：α型为六方密堆积结构；β型为似晶石结构。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。 　　氮化硅与水几乎不发生作用；在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅；易溶于氢氟酸，与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅，熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。

  • 【资料】碳化硅的特性和定义！

    一、碳化硅的定义 碳化硅是一种人工合成的碳化物，分子式为SiC。通常是由二氧化硅和碳在通电后2000℃以上的高温下形成的。碳化硅理论密度是3.18克每立方厘米，其莫氏硬度仅次于金刚石，在9.2-9.8之间，显微硬度3300千克每立方毫米，由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性及较高的高温强度等特点，被用于各种耐磨、耐蚀和耐高温的机械零部件，是一种新型的工程陶瓷新材料。 二、碳化硅的基本性能　　1、化学性质　　抗氧化性：当碳化硅材料在空气中加热到1300℃时，在其碳化硅晶体表面开始生成二氧化硅保护层。随着保护层的加厚，阻止了内部碳化硅继续被氧化，这使碳化硅有较好的抗氧化性。当温度达到1900K(1627℃)以上时，二氧化硅保护膜开始被破坏，碳化硅氧化作用加剧，所以1900K是碳化硅在含氧化剂气氛下的最高工作温度。　　耐酸碱性：在耐酸、碱及氧化物的作用方面，由于二氧化硅保护膜的作用，碳化硅的抗酸能力很强，抗碱性稍差。　　2、物理机械性能　　密度：各种碳化硅晶形的颗粒密度十分接近，一般认为是3.20克/毫米3，其碳化硅磨料的自然堆积密度在1.2--1.6克/毫米3之间，其高低取决于粒度号、粒度组成和颗粒形状。　　硬度：碳化硅的莫氏硬度为9.2，威氏显微密硬度为3000--3300公斤/毫米2，努普硬度为2670—2815公斤/毫米，在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。　　导热率：碳化硅制品的导热率很高，热膨胀系数较小，抗热震性很高，是优质的耐火材料。　　3、电学性质　　常温下工业碳化硅是一种半导体，属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降，含杂质碳化硅根据其含杂质不同，导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性，现已研制出实用器件。　　4、其他性质　　亲水性好，远红外辐射性等。

  • 四氯化硅的做样方法

    做晶体硅的厂都要测试四氯化硅，检测四氯化硅的含量。但是四氯化硅腐蚀性那么强，怎么进样测试呢，微量进样针会堵，大的普通进样针很难控制进样量，主峰容易平头，平头后两个杂质峰也分不开。不知道有哪位同仁做过这个应用？指点一下。

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  • 国内碳化硅半导体领域科研专家盘点
    第三代半导体材料又被称之为宽禁带半导体材料。主要包括碳化硅（SiC）、氮化嫁（GaN）、金刚石等。目前其主要在半导体照明、激光器和探测器、电力电子器件等领域应用。相比于第一、二代半导体材料，第三代半导体材料的物理特性方面优势十分明显，比如禁带宽度大、较高的热导率、较高的击穿电场以及更高的抗辐射能力等等，正是因为上述这些优势，第三代半导体材料是制作高频、高温、抗辐射及大功率器件的优异材料。而碳化硅作为第三代半导体家族的重要一员，其具有高热导率、高击穿场、高饱和电子迁移率、抗辐射和化学性质稳定等突出优点。而碳化硅器件具有开关频率高、功率密度高、损耗低、尺寸小等优点，可以在高功率、高频以及极端特殊环境下应用，例如在清洁能源汽车、车载充电器、城市轨道交通、城市输电等领域己经得到应用，并显示出优异的性能。同时碳化硅与氮化镓具有相近的晶格常数与热膨胀系数，是GaN薄膜异质外延生长的理想衬底材料，可以在半绝缘的SiC衬底上外延GaN薄膜制备一系列的微波射频器件，其研发生产将会推动5G技术的快速发展与应用。由于碳化硅广阔的市场前景，各国自上世纪八十年代以来便制订了一系列相关的科研计划并不断加大相关领域的研发投入。我国虽然碳化硅领域的相关研究起步较晚，但经过我国科研工作者二十多年的研究，相关工作也己取得突破性的进展。一系列重大项目的快速推进，如科技部863计划2002年启动的“碳化硅单晶衬底制备”项目、2006年启动的“2英寸以上半绝缘碳化硅材料与功率电子器件”项目、2011年启动的“高压大容量碳化硅功率器件的研发”项目等，使得国内碳化硅行业快速发展，在我国军事、航天、通讯等各领域得到应用。针对于此，仪器信息网分析和统计了2018-2020年，三年来的碳化硅相关的学位论文，共计232篇。碳化硅不仅可用于第三代半导体领域，盘点论文已剔除非半导体领域的研究，论文的研究方向覆盖了碳化硅材料制备、工艺开发、器件研究、应用分析等方面。学位论文数量排行图中给出的是学位论文三年间发表数量前九名，可以看出，电子科技大学在碳化硅领域多有建树。具体论文内容来看，电子科技大学的研究主要集中于MOSFET驱动电路、器件设计等方面。哈尔滨工业大学的研究方向主要是碳化硅的具体应用和抛光工艺。从近三年可以看出，2020年明显论文数量下降，而2019年还有所上升。这一结果并不能表明碳化硅半导体材料的研究热度变化，这可能是由于2020年发表的部分论文签署了论文保密协议，存在论文披露的滞后性。进一步，我们统计盘点了各高校的论文指导教师名单，需要注意的是，部分论文存在校外指导。（以下排名不分先后）学校论文指导教师安徽工业大学周郁明北方工业大学曹淑琴、韩军北京交通大学郑琼林、杨中平、林飞、李艳、郭希铮大连理工大学夏晓川、梁红伟、张建伟、杜国同、王德君、唐大伟、电子科技大学赵建明、何金泽、荣丽梅、张小川、周泽坤、邓小川、张有润、张金平、罗小蓉、杜江锋、徐红兵、钟其水、王雷、毕闯、李辉、东南大学孙立涛、徐涛、顾伟、孙伟锋、陆生礼、陈健、王继刚、广东工业大学阎秋生广西大学万玲玉贵州大学高廷红桂林电子科技大学李琦哈尔滨工程大学王颖哈尔滨工业大学周密愉、董尚利、杨剑群、翟文杰、杨明、郭亮、贲洪奇、高强、王晨曦、徐永向、张东来、李春、张国强、王高林杭州电子科技大学王颖、刘广海、合肥工业大学徐卫兵河北工业大学张保国、李尔平、湖北工业大学潘健湖南大学王俊、熊劼、陈鼎、高凤梅、姜燕、雷雄、沈征、帅智康华北电力大学崔翔、赵志斌、温家良、赵志斌、魏晓光、韩民晓、蒋栋、欧阳晓平华南理工大学姚小虎、Timothy C. Germann、耿魁伟、陈义强、华侨大学于怡青、胡中伟、段念、黄辉、郭新华、陈一逢、华中科技大学傅华华、梁琳、林磊、康勇、彭力、淮北师范大学刘忠良吉林大学吴文征、邢飞、赵宏伟、陈巍、呼咏、吉野辰萌、张文璋、赵继、李志来江南大学倪自丰江苏大学乔冠军昆明理工大学彭劲松、陈贵升、兰州大学张利民兰州交通大学汪再兴、杜丽霞、白云兰州理工大学卢学峰南方科技大学邓辉南京大学陆海、吴兴龙南京航空航天大学魏佳丹、秦海鸿、邢岩南京理工大学董健年青岛科技大学于飞三峡大学孙宜华、姜礼华、厦门大学孙道恒、王凌云山东大学马瑾、葛培琪、徐现刚、彭燕、李康、高峰、陈延湖、白云、王军上海电机学院赵朝会、杨馄、上海师范大学陈之战深圳大学彭建春沈阳工业大学何艳、关艳霞、苏州大学陶雪慧、太原理工大学杨毅彪天津大学徐宗伟、李连钢、天津工业大学宁平凡、孙连根、于莉媛、高志刚、张牧、高圣伟、黄刚、牛萍娟天津理工大学王桂莲武汉工程大学满卫东武汉科技大学柯昌明武汉理工大学涂溶、章嵩西安电子科技大学贾仁需、乐立鹏、王悦湖、汤晓燕、张玉明、戴显英、倪炜江、张艺蒙、宗艳民、张金平、郭辉、黄维、段宝兴、西安工程大学朱长军、李连碧、杨楞、张红卫、西安理工大学蒲红斌西华大学阳小明、吴小涛西南交通大学张湘湘潭大学李建成冶金自动化研究设计院王东文、陈雪松、云南大学陈秀华长安大学张林长春理工大学魏志鹏长沙理工大学谢海情、吴丽娟浙江大学祝长生、盛况、吴新科、郭清、邱建琪、何湘宁、吴建德、赵荣祥、李武华、徐德鸿郑州大学张锐郑州航空工业管理学院张锐、刘永奇中北大学梁庭中国科学技术大学刘长松、李辉、张军、李震宇、李传锋、许金时中国科学院大学陈小龙、施尔畏、黄维、夏晓彬、高大庆中国空间技术研究院于庆奎中国矿业大学伍小杰、戴鹏中国运载火箭技术研究院朱大宾重庆大学胡盛东、周林、周建林
    时间： 2021-08-13
    作者： KPC
  • 碳化硅色心自旋操控研究获重要进展 为基于碳化硅的量子器件提供发展新方向
    中国科大郭光灿院士团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心Adam Gali教授合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同时具有高自旋读出对比度和高单光子发光亮度的固态色心，该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的量子信息技术具有重要意义。该成果于2021年7月5日在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）杂志上。固态自旋色心是量子信息处理的重要研究平台，金刚石NV色心是其突出的代表。自从1997年德国研究团队报道了室温下单个金刚石NV色心的探测以来，金刚石NV色心在量子计算、量子网络和量子传感等方面都取得了重要进展。近年来，为了利用更加成熟的材料加工技术和器件集成工艺，人们开始关注其他半导体材料中的相似色心。其中碳化硅中的自旋色心，包括硅空位色心（缺失一个硅原子）和双空位色心（缺失一个硅原子和一个近邻碳原子），因其优异的光学和自旋性质引起了人们广泛的兴趣。其中室温下单个硅空位色心的相干操控虽然已经实现，但其自旋读出对比度只有2%，而且天然块状碳化硅材料中单个硅空位色心的单光子发光亮度每秒仅有10 k个计数，如此低的自旋读出对比度和单光子发光亮度极大的限制了其在室温下的实际应用。而室温下单个双空位色心的相干操控还未见报道。李传锋、许金时研究组利用之前所发展的离子注入制备碳化硅缺陷色心的技术[ACS Photonics 6, 1736-1743 (2019) PRL 124, 223601(2020)]制备了双空位色心阵列。进一步利用光探测磁共振技术在室温下实现单个双空位色心的自旋相干操控，并发现其中一类双空位色心（称为PL6）的自旋读出对比度为30%，而且单光子发光亮度每秒可达150k个计数。这两项重要指标相比碳化硅中硅空位色心均提升了一个数量级，第一次展现了碳化硅自旋色心在室温下具有与金刚石NV色心相媲美的优良性质，并且单色心电子自旋在室温下的相干时间长达23微秒。研究团队还实现了碳化硅色心中单个电子自旋与近邻核自旋的耦合与探测，为下一步构建基于碳化硅自旋色心体系的室温固态量子存储与可扩展的固态量子网络奠定基础。实验结果图：室温下单个PL6色心的光学与自旋性质。（A）单色心阵列荧光成像图，橙色圈内为单个PL6色心；（B）单光子发光特性；（C）荧光饱和行为；（D）光探测磁共振（ODMR）谱；（E）Rabi振荡；（F）自旋相干时间。由于高读出对比度和高单光子发光亮度在量子信息的许多应用中至关重要，该成果为基于碳化硅的量子器件开辟了一个新的发展方向。审稿人高度评价该工作：“该论文的发现解决了碳化硅色心量子技术应用中的一个关键问题，该发现将会立即促进许多工作的发展（The discovery reported in this paper addresses a key issue in the quantum technology applications of color centers inSiC. The discovery will stimulate many works immediately）”；“其中一些结果，例如对一些色心30%的读出对比度是相当了不起的（Some of these results such as the 30% readout contrast from some of the centers are quite remarkable）”。中科院量子信息重点实验室博士后李强、王俊峰副研究员为论文的共同第一作者。该工作得到了科技部、国家基金委、中国科学院、安徽省和中国科学技术大学的资助。李强得到博士后创新人才支持计划的资助。论文链接：https://doi.org/10.1093/nsr/nwab122
    时间： 2021-07-12
    作者： KPC
  • 喜报 | 热烈庆祝创锐光谱首套碳化硅晶圆成像检测系统成功发运行业知名客户
    “南园春半踏青时，风和闻马嘶”。阳春三月，春风送暖。历经了150多个日夜不眠不休地组装调试，创锐光谱碳化硅（SiC）晶圆质量大面积成像系统SiC-MAPPING532（下简称S-532）达到持续稳定运行标准，正式下线发运行业知名客户。S-532为国际首台套基于瞬态光谱技术的第三代半导体缺陷检测设备，不仅实现了相关技术的全自主国产化替代，在各种技术指标上也全面超越进口同类产品。S-532的成功应用将助力国产SiC产业的高质量发展，加速推进解决关键材料的 “卡脖子”问题。同时，S-532设备的应用也标志着创锐光谱在工业检测领域实现重要突破，向工业检测蓝海市场迈出坚实的第一步。SiC晶圆质量检测系统正式下线交付，全体研发工程师合影吊装打包整装待发碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率等众多优异物理性能，可广泛应用于5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电网等领域。由于生产工艺成熟度等问题，目前工业级碳化硅晶圆中的缺陷（如点缺陷、晶格缺陷、杂质等）浓度通常远高于硅晶半导体晶圆，因此对碳化硅晶圆的表面和体相缺陷检测对管控晶圆质量、优化工艺、提高晶圆和芯片良率至关重要！在相关体相缺陷检测中，传统的微波电导率点扫描检测由于其空间、时间分辨率和检测效率等关键参数上的不足，无法实现碳化硅晶圆的高精度、高效检测。碳化硅晶圆针对上述工业界应用的痛点问题，创锐光谱基于其在超快瞬态吸收光谱领域的深厚技术积累，于2022年8月成立了针对碳化硅晶圆大面积质量成像检测技术攻关项目组，依托自主研发的高能、高频、高稳定性激光技术，创新性地开发了大面积高速相机成像检测方法和相关软件、算法系统。通过对晶圆少子寿命长短和分布等物理性质的高速成像采集，实现了对SiC晶圆（4寸、6寸和8寸）的快速质量成像检测和分析。S-532技术指标可以达到100μm高精度空间分辨和15ns的超快时间分辨，可对晶圆体相中点缺陷浓度、缺陷分布进行快速、无损和非接触式检测。其整机自动化设备具备全面自动化晶圆转运、测试、数据处理和一键输出报告等优异功能。在超过100天的稳定性测试中，S-532可完全达到工业级应用要求，多项关键指标国际领先。凭着本土化技术，在客户使用便捷度、售后服务响应、后期维护成本上，S-532也将具备得天独厚的优势。SiC MAPPING-532碳化硅晶圆成像检测系统做一个领路人是艰难的，做一个没有火把的夜行领路人更是充满挑战。在研发过程中，创锐SIC项目组攻克了一个又一个的技术难题，实验室里的不眠不休、攻坚克难成为那段日子属于创锐光谱的专属时光印迹。正是凭着这种精神，创锐人砥砺前行，从一个想法，到一张蓝图，最终实现一台高端精密的检测设备，这其中凝聚着所有研发工程师的无数心血。“坚持做我们认为正确的事”，是创锐人磨不掉的坚定信念。研发工程师加班加点攻克技术难点创锐光谱将一如既往地坚持以科技创新为引领，加大研发投入和半导体检测新技术的开发，持续推动第三代半导体晶圆级检测、LED晶圆检测和新一代光伏面板检测等技术的工业应用，力争成为半导体光谱检测行业领军企业。点击观看发货纪实
    时间： 2023-03-27
    作者： 创锐光谱
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  • Thermo Scientific Orion 8030cX 二氧化硅分析仪 400-805-8969
    Orion 8030cX 二氧化硅分析仪Thermo ScientificTM Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪根据杂多钼蓝比色法原理自动测量二氧化硅浓度，准确、可靠且重现性好。Orion 8030cX 二氧化硅分析仪采用最先进的专利工业设计，具有直观的触摸屏用户界面和抗干扰测量过程，可用于各种应用，以满足过程控制要求。该分析仪作为Thermo ScientificTM Orion 8000 系列分析仪平台的一部分同一界面适用于多个参数。Orion 8030cX 分析仪性能优越可靠，设置简单，只需少量维护。市场电力石油和天然气工业净水化学半导体纸浆和造纸应用脱矿质剂锅炉RO出水混床出水概述二氧化硅是用于检测、控制和尽量减少涡轮机、换热器和锅炉结垢的一种关键度量。在线实时测量活性二氧化硅可尽量降低因结垢而产生的维修/更换成本，实现安全高效的长期运行，这款在线二氧化硅分析仪可用于对二氧化硅超标的生产用水的去除或回收进行即时或自动的决策。连续实时二氧化硅监测可快速通知离子交换树脂的RO穿透或饱和情况，从而使系统效率最大化，尽量减少维修停机时间。Orion 8030cX 在线二氧化硅分析仪可配置为在二氧化硅峰值出现时发送警告/警报或测量数据来警告用户，触发纠正措施，防止下游出现问题。优点1. 8030cX二氧化硅分析仪具有一流的准确度、检测限和可靠性，可满足过程控制和监测要求。2. 自动量程切换功能（0-5000 μg/L）可在整个量程内确保数据有效性和准确度。3. 专利流路系统设计和优化化学试剂可确保较低的LOD，并减少磷酸盐干扰。4. 先进软件功能包括自动校准、自动验证、按设定时间间隔自动测量、自动清洁、警告、警报和系统诊断功能。这些自动功能可减少手动干预和维护需求。5. 由于试剂消耗量少，维护需求低，因此运行成本较低。只需每100天更换一次试剂。6. 直观图形触摸屏界面非常容易理解，与智能手机操作类似。7. 该分析仪紧凑、稳健，已在各种发电厂和工业超纯水厂中成功进行案例研究。8. 外壳防护等级达IP65，关键部件经全面测试且寿命较长，可确保长期稳定运行。订购信息
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    厂商： 赛默飞世尔环境与过程
    品牌： 赛默飞/Thermo Fisher
    型号： Orion 8030cX
    价格： 面议
  • 碳化硅红外光源 400-628-5299
    仪器简介：LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路，反射镜镀金，以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式，有效避免了风冷造成的空气扰动，建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱，并且配有水流保护，方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数：规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1～16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128～168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点：主要特点◆ 功率：200W◆ 光谱范围：1-16&mu m◆ 辐射系数大，效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜，单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配，提高光谱测量时的光收集效率
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： LSH-SiC200
    价格： 面议
  • 湖北微化碳化硅微通道反应器 组件 小试设备 持液量3ml
    我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。
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    厂商： 湖北微化装备科技有限公司
    品牌： 湖北微化/HBWH
    型号： SiC-3ml
    价格： 1 - 2.5万元
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溴化硅相关的耗材

  • 氮化硅膜
    氮化硅膜主要用于纳米技术研究；支撑强度高，TEM与原子力电镜都可以使用。氮化硅膜极其稳定可以抵抗温度变化上升至1000摄氏度；但是，疏水性，如果需要亲水，建议用刻蚀法：等离子刻蚀，增加电荷。膜厚：100nm、50nm、30nm；孔：1mm×mm 膜粗糙度2nm。型号名称硅框架厚度（μm）窗口尺寸（mm）膜厚（nm）孔厚包装/个产地21505-10氮化硅膜2000.25 x 0.25mm50110美国21500-10氮化硅膜2000.5 x 0.550110美国21502-10氮化硅膜2001.0 x 1.0mm50110美国21525-10氮化硅膜2000.25 x 0.25mm200110美国21522-10氮化硅膜2001.0 x 1.0mm200110美国21524-10氮化硅膜2000.1 x 1.5200210美国21528-10氮化硅膜2000.1 x 1.5200210美国4112SN-BA氮化硅膜2001.0 x 1.0200110SPI4120SN-BA氮化硅膜2000.5 x 0.5200110SPI
    供应商： 北京新兴百瑞技术有限公司
    品牌： 新兴百瑞
    价格： 面议
  • 多孔氮化硅载网
    多孔氮化硅TEM载网以高纯单晶硅为基底，超薄氮化硅(10-50nm)为支撑膜，可实现原子级分辨率。具有耐电子束辐照，电子束穿透率高，成像背景均匀和噪音小等优点。载网不含碳元素，避免积碳，尤其适合球差原子分辨表征。可以非常方便在不同分析仪器间转移分析，如TEM， AFM，XRD，EXAFS，Raman等。
    供应商： 厦门超新芯科技有限公司
    品牌： 超新芯
    价格： 面议
  • 金相制样专用碳化硅砂纸
    磨削失效测试:将砂纸安装在磨抛机支持盘上,每磨2分钟后对样品称重,在样品水磨后连续三次质量差值不变则认为打磨失效。抗翘曲性测试:将砂纸安装在磨抛机支持盘上,水磨5分钟后取下,测量砂纸自然放置时卷曲最高点和最低点的距离。抗翘曲系数=干砂纸厚度/翘曲后厚度×1002分钟打磨效率测试:将砂纸安安裝在磨抛机支持盘上,等压强水磨2分钟后对同尺寸样品称重,测量样品在水磨前后的质量差值。2分钟打磨效率=（水磨前质量-水磨后质量）/样品原质量×100%对于常见的有色金属等易磨样品是不需要用到专用砂纸的，普通的碳化硅水砂纸也可以完成粗磨和中磨的过程，只是在细磨和精磨过程控制中由于对样品表面平整度的要求较高才会用到金相专用砂纸。金相专用砂纸通常会裁剪成与磨抛盘相同的尺寸，目的是减少由于卡箍尺寸不同导致卷曲造成不平整砂纸表面的机会，当然如果有条件使用背胶或者带胶支持盘则可避免这类问题。 *产品名称*品牌*产品规格金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P80，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P120，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P240，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P320，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P400，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P600，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P1200，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P2500，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P4000，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P80，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P120，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P240，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P320，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P400，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P600，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P1200，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P2500，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P4000，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P80，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P120，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P240，300mm100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P320，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P400，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P600，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P1200，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P2500，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎P4000，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P80，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P120，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P240，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P320，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P400，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P600，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P1200，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P2500，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P4000，200mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P80，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P120，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P240，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P320，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P400，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P600，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P1200，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P2500，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P4000，250mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P80，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P120，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P240，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P320，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P400，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P600，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P1200，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P2500，300mm 100片/盒金相制样专用碳化硅砂纸德国古莎自粘型，P4000，300mm 100片/盒 金相制样专用砂纸是指对于相对难磨的样品材料而言需要的特殊设计的碳化硅砂纸，专用砂纸的特点是依靠复合植砂技术，磨料粒径控制和纸基抗卷曲技术来控制磨抛时样品表面的平整度。
    供应商： 上海杰星生物科技有限公司
    品牌： 德国古莎
    价格： 面议
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