超薄膜沉积

仪器信息网超薄膜沉积专题为您整合超薄膜沉积相关的最新文章,在超薄膜沉积专题,您不仅可以免费浏览超薄膜沉积的资讯, 同时您还可以浏览超薄膜沉积的相关资料、解决方案,参与社区超薄膜沉积话题讨论。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

超薄膜沉积相关的耗材

  • 超薄碳膜
    是在微栅膜的基础上又镀了一层超薄纯碳膜,覆盖在微孔上面,这层膜大约5nm,电子束长时间照射不会产生黑斑,适合粒径较小、分散性较好、衬度较低的样品做较高分辨的实验。 产品编号名称规格YL-6037-C/Cu200超薄碳膜20目YL-6037-C/Ge100超薄锗膜100目YL-6037-C/Cu200坐标超薄膜200目
  • 坐标超薄膜
    超薄碳膜,也是支持膜的一种,本公司自主产品,客户可以在此基础上根据实验条件提方案,对产品改进;是在微栅的基础上,叠加了一层很薄的碳膜,一般为3-5nm。这层超薄碳膜的目的,是用薄碳膜把微孔挡住。这主要是针对那些分散性很好的纳米材料,如:10nm以下的样品,分散性极好,如果用微栅就有可能从微孔中漏出,如果在微栅孔边缘,由于膜厚可能会影响观察。所以,用超薄碳膜,就会得到很好的效果。材料:有铜、镍、钼、铝、钨、不锈钢、尼龙等金属及非金属材料。
  • 泡沫铜三维六方氮化硼薄膜(5*10cm)
    尺寸:5*10cm厚度:1.6mm铜基六方氮化硼薄膜采用化学气相沉积法(CVD),在高纯铜箔上沉积单层和多层h-BN薄膜。

超薄膜沉积相关的仪器

  • 1 产品概述: Riber分子束外延(MBE)系统是一款在半导体及光电子域广泛应用的先进设备,以其高精度、高纯度和低温生长的特点而著称。该系统能够在超高真空环境下,通过精确控制分子束的流量和速度,实现原子层的材料沉积,从而生长出具有优异性能的薄膜材料。Riber公司作为该域的先者,其MBE系统涵盖了多种型号,如MBE 6000-Multi和4英寸中试生产系统等,以满足不同规模和需求的生产场景。2 设备用途:半导体制造:Riber MBE系统可用于生长高质量的半导体材料,如GaAs、InP、GaN等,这些材料是制造晶体管、二管、激光器等微电子器件的关键。通过MBE技术,可以精确控制材料的组分、厚度和界面结构,从而优化器件的性能。光电子器件:在光电子域,Riber MBE系统可用于制造太阳能电池、LED、光电探测器等器件。利用MBE技术生长的量子点等结构,可以显著提升这些器件的光电转换效率和性能稳定性。量子点研究:MBE系统还广泛应用于量子点的研究和生产中。量子点是一种具有独特光电特性的纳米材料,通过MBE技术可以精确控制其尺寸、形状和组分,从而制备出性能优异的量子点材料。超导金属:Riber MBE系统还可用于生长超导金属材料。超导金属具有超精确的尺寸控制和电子在其中不受干扰地流动的特性,是制造超导器件和量子计算等沿技术的重要材料。3 设备特点 高精度沉积:Riber MBE系统能够实现原子层的材料沉积控制,确保薄膜的高质量和均匀性。这种高精度沉积能力使得MBE系统在制造高性能微电子和光电子器件方面具有独特优势。 高真空环境:系统配备先进的真空系统,提供超高真空环境,有效减少杂质和污染,保证晶体沉积的纯度和质量。 低温生长:MBE技术采用低温生长方式,有效避免界面原子的互扩散和缺陷的形成,从而生长出高质量的薄膜材料。 多源端口设计:部分型号如4英寸中试生产系统可配备多个源端口,以满足不同材料的沉积需求,有助于生长复杂的半导体结构。4 技术参数和特点:衬底尺寸:5×3英寸、4×4英寸、150毫米、200毫米外延生长:可实现原子的表面平整度且界面陡峭的超薄层沉积,以及合金组分或掺杂原子纵向浓度梯度可调等。真空系统:提供高真空环境,减少杂质和污染,保证晶体沉积的纯度和质量。温度控制:生长温度低,有效避免界面原子的互扩散。 MBE 49生产系统的应用非常广泛,主要包括以下几个方面:半导体器件:如晶体管、二管、激光器等。光电子器件:如太阳能电池、LED、光电探测器等。量子点:使用“量子点”,这是使用MBE创建和控制的中等体积的纯半导体合金。超导金属:超导金属可以具有超精确的尺寸(原子尺度),电子在其中不受干扰地流动。
    留言咨询
  • 蒸发薄膜沉积系统 400-860-5168转5919
    1.产品概述:该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统;真空测量系统;蒸发源;电控系统;配气系统等部分组成。2.设备用途:热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内,通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等域。蒸镀薄膜种类:Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等3.产品配置:真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350×370mm限真空度:≤6.6E-4Pa沉积源:1个钨舟、2个有机源样品尺寸,温度:大可放置4片20mmx25mm的基片,基片不加热,可自转,速度5~20转/分;占地面积(长x宽x高):约1米x1米x1.9米电控描述:手动样品台:可放置基片,并可能具有旋转、加热等功能,以满足不同的工艺需求。例如,加热功能可以使样品达到一定温度,适应某些材料的沉积要求;旋转功能有助于提高薄膜的均匀性。控制系统:采用先进的控制系统,方便用户设置和调整工艺参数,如蒸发速率、沉积时间等。多种材料沉积能力:可以沉积多种不同的薄膜材料,以满足不同的应用需求。良好的稳定性和可靠性:确保系统能够长时间稳定运行,保证薄膜沉积的重复性和一致性。可视化操作界面:可能具有直观的操作界面,方便用户进行操作和监控。不同型号的 SMART 蒸发薄膜沉积系统在具体参数和功能上可能会存在差异,例如真空度的高低、蒸发源的类型和功率、样品台的尺寸和可调节范围、膜厚监测的精度等。
    留言咨询
  • 无针孔薄膜沉积设备 400-860-5168转5919
    1. 产品概述AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂,仅利用表面反应沉积薄膜,实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外,可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø 4英寸的晶片。2. 设备用途/原理用于下一代功率器件的栅氧化膜和钝化膜。在3D结构上形成均匀的薄膜,如MEMS。激光表面的沉积。碳纳米管的钝化膜。3. 设备特点成膜效率高,通过提供几十毫量的脉冲,减少了原材料的损耗,提高了沉积效率。真空清洁,温度不均匀性小,通过紧贴反应室内壁的内壁加热器,抑制反应室的温度不均匀,可获得清洁的真空。无针孔成膜,由于多种驱体在反应室中没有混合,因此可以防止颗粒,形成无针孔的薄膜。
    留言咨询

超薄膜沉积相关的试剂

超薄膜沉积相关的方案

超薄膜沉积相关的论坛

  • 超薄薄膜适合做拉曼吗?

    各位大神,小水在SrTiO3衬度上采用PLD(激光脉冲沉积法)生长了超薄PbTiO3薄膜(3-15nm),现在的问题是,可能有相变(比如,有四方,菱方,单斜相生成)。请问可否能够采用拉曼谱分析出各种相?采用什么样的拉曼分析方法? 希望各位大神赐教!先谢谢各位了!!!

  • 【讨论】聚合物超薄膜 红外光谱

    本人的课题是聚合物超薄膜的构筑,在基底上基于层层组装技术在基片上沉积聚电解质,一层聚电解质膜的厚度只有几个纳米,我想用氟化钙做基底,然后再去做红外,我想问的是,由于量比较少,吸收的肯定也比较少,这样的超薄膜能做红外吗,样品的量是不是太少了,峰会不会被噪声干扰而无法识别?谢谢(由于仪器比较老,做不了衰减全发射,只能做最普通的红外测试,哎,真杯具啊)

  • 【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    溅射制膜的过程:气体辉光放电、等离子体、靶、溅射、沉积到衬底(一)与蒸发法相比,溅射沉积的主要特点:①沉积原子能量高,因此薄膜的组织更致密,附着力也可以得到明显改善;②制备合金膜时,其成分的控制性能好;③靶材可以是极难熔的材料;④可利用反应溅射技术,从金属无素靶材制备化合物薄膜;⑤由于被沉积的原子均携带有一定的能量,因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力,降低薄膜表面的粗糙度。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151100_555534_2989334_3.jpghttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(二)溅射沉积分类主要的溅射方式可以根据其特征分为四种:(1)直流溅射;(2)射频溅射;(3)磁控溅射;(4)反应溅射。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151102_555536_2989334_3.jpg图1 不同溅射方法的靶电流密度和靶电压的比较http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(1)直流溅射直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射图2直流溅射沉积装置示意图,其典型的溅射条件为:工作气压10Pa,溅射电压3000V,靶电流密度0.5mA/cm2,薄膜的沉积速率低于0.1μm/min直流溅射过程中常用Ar作为工作气体。工作气压是一个重要参数,它对溅射速率以及薄膜的质量都有很大影响直流溅射设备的优点和缺点:优点:简单缺点:使用的气体压力高,溅射速率较低,这不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151105_555538_2989334_3.jpg图2直流溅射沉积装置示意图http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(2 )射频溅射直流溅射要求靶材有较好的导电性,可以很大方便地沉积各类合金膜。对于导电性很差的非金属材料的溅射,我们需要一种新的溅射方法—射频溅射。射频溅射是适于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法射频场对于靶材的自偏压效应。在衬底或薄膜本身是绝缘体的情况下,采取对其施加一个射频电压的方法,也可以起到对其施加负偏压的作用。(3)磁控溅射相对于蒸发沉积来说,一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一,溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低;第二,溅射所需的工作气压较高 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。而磁控溅射技术:沉积速度较高,工作气体压力较低。工作原理:磁场对电弧运动有一定的约束作用(绕磁场螺旋前进);(1)电子的电离效率高,有效提高了靶电流密度和溅射效率,(2)较低气压下溅射原子被气体分子散射的几率较小(三)气体放电是离子溅射过程的基础(1)首先介绍直流电场作用下的物质的溅射现象预抽真空,充入适当压力的惰性气体,如Ar气,10-1~10Pa;在正负电极间外加电压的作用下,电极间的气体原子将被大量电离;Ar—→Ar++e,Ar+被电场加速后射向靶材,撞击出靶材原子(分子),靶材原子脱离靶时仍具有一定能量,飞向衬底,电子被电场加速飞向阳极;http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151107_555542_2989334_3.jpg图3直流气体放电体系模型及伏安特性曲线http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif电压进一步增大,发生极板两端电压突然降低,电流突然增大,并同时出现带有颜色的辉光,此过程称为气体的击穿;击穿后气体的发光放电称为辉光放电;这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击,即使自然游离源不存大,放电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低,且不变,此时电流的增大显然与电压无关,而只与阴极板上产生辉光的表面积有关;正常辉光放电的电流密度与阴极材料和形状、气体种类和压强有关;由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小,所以在溅射方面均是选择在非正常辉光放电区工作。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151110_555543_2989334_3.jpg图4示意性地画出了在离子轰击条件下,固体表面可能发生的物理过程http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151111_555544_2989334_3.jpg图5所示,不同能量离子与固体表面相互作用的过程不同当离子入射到靶材上时,对于溅射过程来说,比较重要的过程有两个:其一是物质的溅射;其二是二次电子发射:二次发射电子在电场作用下获得能量,进而参与气体分子的碰撞,并维持气体的辉光放电过程。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif (四)合金的溅射和沉积用溅射法沉积合金膜,比蒸发法易于保证薄膜的化学配比;溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递。因此,溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能,其数值一般可以达到5~20eV;一方面,溅射原子具有很宽的能量分布范围,其平均能量约为10eV左右;另一方面,随着入射离子能量的增加,溅射离子的平均能量也有上升的趋势;溅射过程还会产生很少的溅射离子,它们具有比溅射出来的原子更高的能量。能量较低的溅射离子不易逃脱靶表面的鞘层电位的束缚,将被靶表面所俘获而不能脱离靶材;由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV,两者相差两个数量级;在溅射沉积中,高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力,另一方面也会引起衬底温度的升高。

超薄膜沉积相关的资料

超薄膜沉积相关的资讯

  • 薄膜沉积工艺和设备简述
    薄膜沉积(Thin Film Deposition)是在基材上沉积一层纳米级的薄膜,再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行,就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层,而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物,以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法,因为它有如下的这些特点:1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜,也可以按要求制备多组分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行,镀膜的绕射性好,对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散,可以得到附着力好的膜层,这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多,由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层,这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高,一般要850~ 1100℃下进行,许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段:1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程:i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时,SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散,并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散,因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层,形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右,栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD,LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD,)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下,采用物理方法,将材料源(固体或液体) 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜, 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染,耗材少。成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法:◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating
  • 1950万!武汉大学采购原子层薄膜沉积仪等
    项目编号:HBT-13210048-225732项目名称:武汉大学原子层薄膜沉积仪、三维激光扫描测振仪、原位光电热催化真空红外分析平台采购项目预算金额:1950.0000000 万元(人民币)最高限价(如有):1950.0000000 万元(人民币)采购需求:本项目为3个项目包,接受同一供应商多包投标与中标。具体内容见下表。主要技术及服务要求等详见第三章货物需求及采购要求。包号序号货物名称是否接受进口产品单位数量是否为核心产品项目包预算(万元)011原子层薄膜沉积仪是台1是350021三维激光扫描测振仪是台1是500031原位光电热催化真空红外分析平台是台1是1100 合同履行期限:交货期:01包合同签订后 270 日内;02包合同签订后 180 日内;03包合同签订后 240 日内。本项目( 不接受 )联合体投标。
  • 可视化技术为薄膜沉积研究降本增效
    当前,我国半导体设备依旧高度依赖于海外企业,并且在核心技术和零部件上受到一定的限制。作为半导体产业重要的一环,薄膜沉积设备可以说牵一发而动全身。而中国作为半导体设备的重要市场,随着各地半导体项目的林立,晶圆代工厂的产能扩建热潮以及自主可控进程的推进,薄膜沉积设备厂商也迎来了快速成长和突破的新黄金期。对此,仪器信息网特邀请天津中环电炉股份有限公司介绍了其薄膜沉积设备。不断加大研发投入,为用户提供试用平台据了解,薄膜沉积领域在过去一直处于国外品牌独占市场。在此背景下,天津中环集中力量,借鉴国际先进经验,结合国内特色,开发了独具特色的薄膜沉积设备。其主要薄膜沉积产品包括CVD12IIIH-3-G、双相气流二硫化钼沉积设备、等离子薄膜沉积设备PECVD12IIH-3-G、三源流化床薄膜沉积设备等,凭借优异的性能,多次帮助用户在Science等多种国际级顶级期刊发表高影响力文章及成果,更是几乎进入了目前主流实验领域全部实验和部分高难度实验。天津中环的1200℃预加热双温区PECVD集成系统目前我国总体上看在薄膜沉积设备技术还处于新兴产业,发展时间短,技术积累薄弱,专业人才稀缺。市场处于萌芽阶段,但后续市场规模和技术需要又相当高。对此,天津中环认为,必须加大投入,无论资金、技术、人力等,不加大投入一但被国外产品拉开差距,建立技术壁垒,我国该产业很难发展,以至于薄膜沉积领域科研严重受制。正是在这种不断的研发投入下,天津中环现有产品已基本达到与国际龙头企业参数一致、价格更低、操作更容易、维护更简单。国内市场已经占据较多份额,主要客户群体有中科院所、大专院校、研究所、企业研发部门和检验部门。其中73%为实验领域。目前用户主要关注产品的技术参数和实验效果,为了更好的服务用户,天津中环组织人力、物力积极筹建实验室,为客户提供设备试用平台,目前天津中环实验室已经可以完成大多数实验,并得到理想的实验结果。确保客户采购设备后能够达到使用效果。另辟蹊径,绕开壁垒,突破“卡脖子”技术在贸易战以来,全社会都关注“卡脖子”问题,而在薄膜成绩领域当然也存在一定的“卡脖子”现象。在真空领域、气体控制领域特别明显,如高真空无油泵、特种气体流量控制等方面尤为突出。据透露,天津中环在5年前就发现问题,并积极联合各相关企业进行联合开发,通过特殊的设备结构、独特的设计理念另辟蹊径的达到了与国外类似的实验结果。从根本上绕过了一定的技术壁垒。谈到未来发展趋势时,天津中环认为未来的实验室和工业领域对于薄膜沉积技术更倾向于可视化的沉积与制备,可以更加直观的发现问题和解决问题。目前沉积设备都是盲烧。无法直观的展现沉积过程与沉积状态。这大大延缓了实验进度,阻碍了科学工作者的实验思路。基于对未来发展趋势的判断,天津中环于4年前着手研发可视化烧结、沉积设备。目前已经达到8微米级别的可视化分辨率,产品在陶瓷烧结、金属冶炼熔渗、高温接触角分析等领域获得无数好评,想成了稳定销售。下一步,天津中环还将着重研发纳米级分辨精度产品,为薄膜沉积领域打开一条新路。关于天津中环天津中环电炉是一家成立于1993年的股份制企业,现有产品专利40项,于2017年成功上市,具备研发、生产、实验等能力,产品上专精于实验电炉与薄膜沉积类设备及外延产品。在近年来半导体产业热潮下,天津中环主要业绩同比上一年度提高接近30%,三年平均增长18.7%。连续8年实现销售额增长超过10%。天津中环产品主要应用于材料行业、陶瓷行业、金属冶炼、处理。生物材料以及化学化工行业。
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制